OneNAND256(KFG5616x1A-xxB6)
FL灰内存
OneNAND闪存
TM
规范
密度
产品型号
KFG5616Q1A-DEB6
KFG5616Q1A-PEB6
KFG5616D1A-DEB6
KFG5616D1A-PEB6
KFG5616U1A-DIB6
KFG5616U1A-PIB6
V
CC
（核心& IO）
1.8V(1.7V~1.95V)
1.8V(1.7V~1.95V)
2.65V(2.4V~2.9V)
2.65V(2.4V~2.9V)
3.3V(2.7V~3.6V)
3.3V(2.7V~3.6V)
温度
EXTENDED
EXTENDED
EXTENDED
EXTENDED
产业
产业
PKG
67FBGA(LF)
48TSOP1
67FBGA(LF)
48TSOP1
67FBGA(LF)
48TSOP1
256Mb
版本：版本。 1.1
日期： 2005年8月12日
1
OneNAND256(KFG5616x1A-xxB6)
FL灰内存
1.0
介绍
该规范包含了三星电子公司的OneNAND信息
，闪存产品系列。部分
1.0包括一个总体概述，修订历史记录，以及产品订购信息。
第2.0节描述了OneNAND闪存设备。第3.0节提供了有关设备操作的信息。电气规格
时序波形在第4.0 ，虽然6.0 。第7.0节提供了额外的应用程序和有关使用技术说明
的OneNAND闪存。包装尺寸被发现在第8.0节
信息在本文档提供有关三星产品，
并随时更改，恕不另行通知。
本条中的任何文件应当解释为授予任何许可，
明示或暗示，被禁止的或其他方式，
任何知识产权权利三星的产品或技术。所有
信息在本文档提供
作为"AS IS"基础不承担任何声明或保证。
1.对于更新或有关三星产品的更多信息，请联系您最近的三星办公。
2.三星的产品不得用于生命支持，重症监护，医疗，安全设备，或者类似用途
应用产品故障可能导致人身或人身伤害，或任何军事或损失
国防应用，或任何政府采购到特殊条款或规定可能适用。
OneNAND闪存
，是三星电子公司的注册商标，公司的其它名称及商标属于各自所有者的财产自己
失主。
版权
2005年，三星电子公司，有限公司
2
OneNAND256(KFG5616x1A-xxB6)
FL灰内存
1.1
OneNAND闪存
修订历史
文档标题
修订历史
修订历史号
0.0
1.0
1.初始发行
1.更正勘误表
2.增加了数据保护流程。
3.删除缓存中读取操作。
4.增加了对命令寄存器的更多信息。
5.修正中断状态寄存器的信息。
6.增加INT引脚的原理图。
7.改变tPGM1到205 320us ， tPGM2到220 350us 。
8.修订的AC / DC参数
9.修正ECC绕道说明
10.修正参数复位和时序图。
草案日期
2005年4月17日
2005年5月17日
备注
初步
最终科幻
1.1
1.更正勘误表
2.修改无效块表创建流程图。
3.改进多块擦除描述。
4.修正复位模式操作。
2005年8月12日
最终科幻
3
OneNAND256(KFG5616x1A-xxB6)
FL灰内存
1.2
闪存产品类型选择
三星提供了各种闪存解决方案，包括NAND闪存， OneNAND闪存的
和NOR闪存。三星提供闪存产品
这两个组件和各种卡格式，包括RS - MMC ， MMC ， CF卡， SM卡和。
要确定哪个三星闪存产品解决方案最适合你的应用程序，请参阅该产品选择表。
应用程序需要
快速随机读取
快速的连续读
快写/编程
多块擦除
擦除挂起/恢复
回拷
锁定/解锁/锁定紧
ECC
可扩展性
三星闪存产品
NAND
OneNAND闪存
（最多64块）
（ EDC）的
外部（硬件/软件）
（ ECC ）
国内
X
NOR
1.3
订购信息
F G 56 1 6× 1 A - X X B 6
速度
5 ： 54MHz的
6 ： 66MHz的
产品线desinator
B：包括坏块
D：菊花样品
工作温度范围
E =扩展级温度。 （ -30
°C
85
°C)
I =工业级温度。 （ -40
°C
85
°C)
包
D： FBGA （无铅）
P： TSOP （无铅）
VERSION
答：第二代
页面架构
1 ： 1KB页
三星
OneNAND闪存记忆
设备类型
G：单芯片
密度
56 ： 256Mb的
组织
X16组织
工作电压范围
问： 1.8V （ 1.7 V至1.95V ）
D： 2.65V （ 2.4V至2.9V ）
U： 3.3V （ 2.7 V至3.6V ）
4
OneNAND256(KFG5616x1A-xxB6)
FL灰内存
1.4
架构优势
OneNAND闪存是一种基于NAND闪存阵列围绕一个高度集成的非易失性存储器中的溶液。
该芯片集成系统的功能，包括：
一个BootRAM和引导程序
两个独立的双向1KB DataRAM缓冲区
高速X16主机接口
片上纠错
芯片NOR接口控制器
这种片上集成，使系统设计人员能够减少外部系统的逻辑和使用应用的高密度NAND闪存
否则将不得不使用更多的NOR组件。
OneNAND闪存利用了更高性能的NAND节目时间，低功耗，和高密度，并与将其结合起来
同步读取性能NOR 。 NOR闪存主机接口，使OneNAND闪存像G3应用的理想解决方案
智能手机，拍照手机，并具有大型，先进的多媒体应用程序和操作系统的移动应用程序，
但缺乏一个NAND控制器。
当集成到三星多芯片封装与三星移动DDR SDRAM ，设计者可以完成高性
曼斯，小尺寸解决方案。
所附的说明书准备和批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留权利
改变规格。三星电子将评估和回复您的要求和有关设备的问题。如果你有
有任何疑问，请联系三星分支机构靠近你。
5
QQ：2881677436 复制
