OneNAND256
FL灰内存
信息在本文档提供有关三星产品，
并随时更改，恕不另行通知。
本条中的任何文件应当解释为授予任何许可，
明示或暗示，被禁止的或其他方式，
任何知识产权权利三星的产品或技术。所有
信息在本文档提供
作为"AS IS"基础不承担任何声明或保证。
1.对于更新或有关三星产品的更多信息，请联系您最近的三星办公。
2.三星的产品不得用于生命支持，重症监护，医疗，安全设备，或者类似用途
应用产品故障可能导致人身或人身伤害，或任何军事或损失
国防应用，或任何政府采购到特殊条款或规定可能适用。
OneNAND闪存
，是三星电子公司的注册商标，公司的其它名称及商标属于各自所有者的财产自己
失主。
版权
2005年，三星电子公司，有限公司
2
OneNAND256
文档标题
OneNAND闪存
FL灰内存
修订历史
修订历史号
0.0
0.5
首次发行。
1.修改初步规范。
2.添加高速缓存中读取操作和DQ来回切换方案。
1.更正勘误表
2. ECC说明修订。
3.改变阅读的同时加载和写在程序框图。
4.修订OTP流程图
5.增加了多块擦除操作的情况下
6.增加了备份的分配信息
7.增加了NAND阵列存储器映射
8.新增OTP加载/程序/锁定操作说明
9.修订OTP加载/程序/锁定流程图;排除故障的情况下
10.增加了备份的分配信息
11.新增OTP擦除失败案例控制器状态寄存器输出表
12.新增DC / AC参数
13.修订OTP区域分配
14.新增INT指导
15. 2.65V设备添加。
1.更正勘误表
从0001H到00ECh 2.更改制造商ID
3.删除BootRAM解锁/锁定命令
4.修订1.8V / 2.65V / 3.3V直流参数
从9ns至为7ns 5.修正传统文化表现形式
6.写保护状态寄存器的描述修改
1.更正勘误表
在所有的流输入命令之前2.感动中断寄存器设置
图表
3.修双操作图
4.增加和修改了异步读操作时序图
5.修改了异步写操作时序图
6.增加了TREADY参数热复位操作
7.修正典型TRD2从75us到50微秒
8.修订最大TRD2从100us的到75us
9.修订的写保护状态描述
1.修订冷复位和热复位图
2.增加TSOP1包装信息
3.修订的典型TOTP ， TLOCK从300US为600us
4.修订最大TOTP ， TLOCK从600us到1000US
5.删除锁/锁拧紧所有的块操作
6.增加了耐用性和数据保留
删除机密马克
草案日期
2004年1月6日
2004年3月24日
备注
ADVANCE
初步
0.6
五月。 7 ，2004
初步
0.7
七月。 6 ， 2004
初步
0.8
八月。 6 ， 2004
初步
1.0
十月。 21 ， 2004年
最终科幻
1.1
十二月。 17 ， 2004年决赛
所附的说明书准备和批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留权利
改变规格。三星电子将评估和回复您的要求和有关设备的问题。如果你有
有任何疑问，请联系三星分支机构靠近你。
3
OneNAND256
文档标题
OneNAND闪存
FL灰内存
修订历史
修订历史号
1.2
在开始的时候1.增加了著作权声明
2.更正勘误表
3.更新ICC2 ， ICC4 ， ICC5 ， Icc6我
SB
4.修正INT引脚说明
5.增加OTP擦除的情况下注意
的中断状态寄存器6.修订病例定义
7.添加了注释命令寄存器
8.新增ECClogSector信息表
9.删除“数据单元为基础的数据处理” ，从设备的说明
手术
在暖/热/ NAND闪存内核复位10.修订说明
11.修改后热复位时序
12，补充说明了OTP
L
在内部寄存器复位
13.删除了所有的块锁定默认情况下，冷或热复位后，
14.添加说明在保护模式下每个禁止的情况下
15.修正在多块擦除书写其他命令的情况下，
常规
16.修订说明4-， 8-，16- ， 32 -字线突发模式
17.修订OTP操作说明
18.增加了补充解释ECC操作
从ECC操作ECC错误19.删除分类
从ECC旁路操作20.删除多余森泰斯
21.增加了技术说明的引导顺序
22.增加了技术说明的INT引脚连接指南
从异步读表23.排除TOEH
不在乎模式24.修正Asycnchronous读时序图CE
不在乎模式25.修正异步写时序图CE
对于CE 26.修正载入操作时序图不在乎模式
草案日期
2005年6月15日
备注
所附的说明书准备和批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留权利
改变规格。三星电子将评估和回复您的要求和有关设备的问题。如果你有
有任何疑问，请联系三星分支机构靠近你。
4
OneNAND256
1.产品特点
设计技术： 0.12μm
电源
- 1.8V器件（ KFG5616Q1M ） ： 1.7V 1.95V
- 2.65V设备（ KFG5616D1M ） ： 2.4V 2.9V
- 3.3V器件（ KFG5616U1M ） ： 2.7V 3.6V
组织
- 主机接口： 16位
内部BufferRAM （ 3K字节）
- 1KB的BootRAM ， 2KB的DataRAM
NAND阵列
- 页面大小： （ 1K + 32 ）字节
- 块大小（ 64K + 2K ）字节
FL灰内存
架构
性能
主机接口类型
- 同步突发读
：时钟频率：高达54MHz的
：线性突发 - 4 ， 8 ， 16 ， 32个字有环绕式
：连续顺序突发（ 512字）
- 异步随机读
： 76ns的存取时间
- 异步随机写入
可编程只读延迟
多扇区读
- 读取多个部门按行业计数寄存器（最多2个扇区）
多种复位
- 冷复位/热复位/热启动/ NAND闪存复位
功耗（典型值，C
L
=30pF)
- 待机电流： 10uA@1.8V设备， 15uA@2.65V/3.3V设备
- 同步突发读取电流（ 54MHz的） ： 12mA@1.8V设备， 20mA@2.65V/3.3V设备
- 负载电流： 20mA@1.8V设备， 20mA@2.65V/3.3V设备
- 程序电流： 20mA@1.8V设备， 20mA@2.65V/3.3V设备
- 擦除电流： 15mA@1.8V设备， 18mA@2.65V/3.3V设备
可靠的CMOS浮栅技术
- 耐力： 100K编程/擦除周期
- 数据保存： 10年
硬件特性
电压检测器产生从Vcc内部复位信号
硬件复位输入（ RP ）
数据保护
- 写保护模式BootRAM
- 写保护模式NAND闪存阵列
- 在上电期间写保护
- 在掉电写保护
用户控制的一次性可编程（ OTP ）区域
内部2位EDC / ECC 1位
内部的Bootloader引导支持解决方案系统
软件特点
握手功能
- INT引脚：表示就绪/忙的OneNAND的
- 轮询方法：提供了检测的OneNAND的Ready / Busy状态软件的方法
通过ID寄存器芯片的详细信息
包装
包
- 63ball ， 9.5毫米x 12毫米X最大1.0mmt ，球间距为0.8mm FBGA
- 48 TSOP 1 ，12毫米X 20毫米， 0.5mm间距
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OneNAND256
FL灰内存
信息在本文档提供有关三星产品，
并随时更改，恕不另行通知。
本条中的任何文件应当解释为授予任何许可，
明示或暗示，被禁止的或其他方式，
任何知识产权权利三星的产品或技术。所有
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作为"AS IS"基础不承担任何声明或保证。
1.对于更新或有关三星产品的更多信息，请联系您最近的三星办公。
2.三星的产品不得用于生命支持，重症监护，医疗，安全设备，或者类似用途
应用产品故障可能导致人身或人身伤害，或任何军事或损失
国防应用，或任何政府采购到特殊条款或规定可能适用。
OneNAND闪存
，是三星电子公司的注册商标，公司的其它名称及商标属于各自所有者的财产自己
失主。
版权
2005年，三星电子公司，有限公司
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OneNAND256
文档标题
OneNAND闪存
FL灰内存
修订历史
修订历史号
0.0
0.5
首次发行。
1.修改初步规范。
2.添加高速缓存中读取操作和DQ来回切换方案。
1.更正勘误表
2. ECC说明修订。
3.改变阅读的同时加载和写在程序框图。
4.修订OTP流程图
5.增加了多块擦除操作的情况下
6.增加了备份的分配信息
7.增加了NAND阵列存储器映射
8.新增OTP加载/程序/锁定操作说明
9.修订OTP加载/程序/锁定流程图;排除故障的情况下
10.增加了备份的分配信息
11.新增OTP擦除失败案例控制器状态寄存器输出表
12.新增DC / AC参数
13.修订OTP区域分配
14.新增INT指导
15. 2.65V设备添加。
1.更正勘误表
从0001H到00ECh 2.更改制造商ID
3.删除BootRAM解锁/锁定命令
4.修订1.8V / 2.65V / 3.3V直流参数
从9ns至为7ns 5.修正传统文化表现形式
6.写保护状态寄存器的描述修改
1.更正勘误表
在所有的流输入命令之前2.感动中断寄存器设置
图表
3.修双操作图
4.增加和修改了异步读操作时序图
5.修改了异步写操作时序图
6.增加了TREADY参数热复位操作
7.修正典型TRD2从75us到50微秒
8.修订最大TRD2从100us的到75us
9.修订的写保护状态描述
1.修订冷复位和热复位图
2.增加TSOP1包装信息
3.修订的典型TOTP ， TLOCK从300US为600us
4.修订最大TOTP ， TLOCK从600us到1000US
5.删除锁/锁拧紧所有的块操作
6.增加了耐用性和数据保留
删除机密马克
草案日期
2004年1月6日
2004年3月24日
备注
ADVANCE
初步
0.6
五月。 7 ，2004
初步
0.7
七月。 6 ， 2004
初步
0.8
八月。 6 ， 2004
初步
1.0
十月。 21 ， 2004年
最终科幻
1.1
十二月。 17 ， 2004年决赛
所附的说明书准备和批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留权利
改变规格。三星电子将评估和回复您的要求和有关设备的问题。如果你有
有任何疑问，请联系三星分支机构靠近你。
3
OneNAND256
文档标题
OneNAND闪存
FL灰内存
修订历史
修订历史号
1.2
在开始的时候1.增加了著作权声明
2.更正勘误表
3.更新ICC2 ， ICC4 ， ICC5 ， Icc6我
SB
4.修正INT引脚说明
5.增加OTP擦除的情况下注意
的中断状态寄存器6.修订病例定义
7.添加了注释命令寄存器
8.新增ECClogSector信息表
9.删除“数据单元为基础的数据处理” ，从设备的说明
手术
在暖/热/ NAND闪存内核复位10.修订说明
11.修改后热复位时序
12，补充说明了OTP
L
在内部寄存器复位
13.删除了所有的块锁定默认情况下，冷或热复位后，
14.添加说明在保护模式下每个禁止的情况下
15.修正在多块擦除书写其他命令的情况下，
常规
16.修订说明4-， 8-，16- ， 32 -字线突发模式
17.修订OTP操作说明
18.增加了补充解释ECC操作
从ECC操作ECC错误19.删除分类
从ECC旁路操作20.删除多余森泰斯
21.增加了技术说明的引导顺序
22.增加了技术说明的INT引脚连接指南
从异步读表23.排除TOEH
不在乎模式24.修正Asycnchronous读时序图CE
不在乎模式25.修正异步写时序图CE
对于CE 26.修正载入操作时序图不在乎模式
草案日期
2005年6月15日
备注
所附的说明书准备和批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留权利
改变规格。三星电子将评估和回复您的要求和有关设备的问题。如果你有
有任何疑问，请联系三星分支机构靠近你。
4
OneNAND256
1.产品特点
设计技术： 0.12μm
电源
- 1.8V器件（ KFG5616Q1M ） ： 1.7V 1.95V
- 2.65V设备（ KFG5616D1M ） ： 2.4V 2.9V
- 3.3V器件（ KFG5616U1M ） ： 2.7V 3.6V
组织
- 主机接口： 16位
内部BufferRAM （ 3K字节）
- 1KB的BootRAM ， 2KB的DataRAM
NAND阵列
- 页面大小： （ 1K + 32 ）字节
- 块大小（ 64K + 2K ）字节
FL灰内存
架构
性能
主机接口类型
- 同步突发读
：时钟频率：高达54MHz的
：线性突发 - 4 ， 8 ， 16 ， 32个字有环绕式
：连续顺序突发（ 512字）
- 异步随机读
： 76ns的存取时间
- 异步随机写入
可编程只读延迟
多扇区读
- 读取多个部门按行业计数寄存器（最多2个扇区）
多种复位
- 冷复位/热复位/热启动/ NAND闪存复位
功耗（典型值，C
L
=30pF)
- 待机电流： 10uA@1.8V设备， 15uA@2.65V/3.3V设备
- 同步突发读取电流（ 54MHz的） ： 12mA@1.8V设备， 20mA@2.65V/3.3V设备
- 负载电流： 20mA@1.8V设备， 20mA@2.65V/3.3V设备
- 程序电流： 20mA@1.8V设备， 20mA@2.65V/3.3V设备
- 擦除电流： 15mA@1.8V设备， 18mA@2.65V/3.3V设备
可靠的CMOS浮栅技术
- 耐力： 100K编程/擦除周期
- 数据保存： 10年
硬件特性
电压检测器产生从Vcc内部复位信号
硬件复位输入（ RP ）
数据保护
- 写保护模式BootRAM
- 写保护模式NAND闪存阵列
- 在上电期间写保护
- 在掉电写保护
用户控制的一次性可编程（ OTP ）区域
内部2位EDC / ECC 1位
内部的Bootloader引导支持解决方案系统
软件特点
握手功能
- INT引脚：表示就绪/忙的OneNAND的
- 轮询方法：提供了检测的OneNAND的Ready / Busy状态软件的方法
通过ID寄存器芯片的详细信息
包装
包
- 63ball ， 9.5毫米x 12毫米X最大1.0mmt ，球间距为0.8mm FBGA
- 48 TSOP 1 ，12毫米X 20毫米， 0.5mm间距
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