【半导体技术参数概述KF5N60D/IN沟道MOS场场效应晶体管KF5N60D这个平面条形MOSFET】,IC型号KF5N60I,KF5N60I PDF资料,KF5N60I经销商,ic,电子元器件-51电子网

半导体

技术参数

概述

KF5N60D/I

N沟道MOS场

场效应晶体管

KF5N60D

这个平面条形MOSFET具有更好的特性，如快速

切换时间，快速反向恢复时间，低导通电阻，低门

充电和出色的雪崩特性。它主要适用于

电子镇流器和开关模式电源。

特点

DSS

= 600V ，我

= 3.5A

·漏源

导通电阻，R

DS （ ON）

= 2.0Ω （最大） @V

= 10V

·QG （典型值）

= 11nC

DIM毫米

6.60 + 0.20

6.10 + 0.20

5.34 + 0.30

0.70 + 0.20

2.70 + 0.15

2.30 + 0.10

0.96 MAX

0.90最大

1.80 + 0.20

2.30 + 0.10

0.50 + 0.10

0.70分钟

最大额定值

(Tc=25℃)

特征

漏源电压

栅源电压

=25℃

漏电流

=100℃

脉冲（注1）

单脉冲雪崩能量

（注2 ）

重复性雪崩能量

（注1 ）

峰值二极管恢复的dv / dt

（注3）

耗电

耗散

Tc=25℃

减免上述25 °

英镑

符号

DSS

GSS

dv / dt的

等级

600

±30

3.5

2.2

1.门

2.漏

3.源

单位

DPAK （1）

KF5N60I

140

3.5

4.5

59.5

0.48

150

-55½150

暗淡

MILLIMETERS

V / ns的

6.6

0.2

6.1

0.2

5.34

0.3

0.7

0.2

9.3

0.3

2.3

0.2

0.76

0.1

2.3

0.1

0.5

0.1

1.8

0.2

0.5

0.1

1.0

0.1

0.96 MAX

1.02

0.3

W/℃

℃

最高结温

存储温度范围

热特性

热阻，结到外壳

热阻，结点到

环境

thJC

thJA

2.1

110

℃/W

1.门

2.漏

3.源

引脚连接

IPAK(1)

2011. 1. 26

版本号： 0

1/6

KF5N60D/I

电气特性

(Tc=25℃)

特征

符号

测试条件

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

STATIC

漏源击穿电压

击穿电压温度系数

排水截止电流

栅极阈值电压

栅极漏电流

漏源导通电阻

DSS

ΔBV

DSS

/ΔT

DSS

GSS

DS （ ON）

=250 , V

=0V

= 250 ，参考25 ℃

=600V, V

=0V,

, I

=250

=±30V, V

=0V

= 10V ，我

=1.75A

600

2.5

0.61

1.7

4.5

±100

2.0

V/℃

动态

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

源极 - 漏极二极管评级

连续源电流

脉冲源电流

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

＆ LT ; V

= 3.5A ，V

=0V

= 4.5A ，V

=0V,

dIs/dt=100A/

270

1.8

4.5

1.4

D（上）

D（关闭）

国际空间站

OSS

RSS

=25V, V

= 0V ， F = 1.0MHz的

=300V

=4.5A

=25

(Note4,5)

= 480V ，我

=4.5A

=10V

(Note4,5)

2.8

520

5.5

注1 ） Repetivity的评价：脉冲宽度有限的结温。

注2 ） L = 12.7mH ，我

= 4.5A ，V

= 50V ，R

= 25Ω ，起始物为

=25℃.

注3 ）I

≤4.5A,

DI / dt≤100A / ，V

ΔBV

DSS

，起始物为

=25℃.

注4 ）脉冲测试：脉冲宽度

≤300,

值班cycle≤2 ％。

注5 ）基本上是独立的工作温度。

记号

KF5N60

001

KF5N60

001

产品名称

批号

2011. 1. 26

版本号： 0

2/6

KF5N60D/I

Fig1 。我

- V

100

=30V

Fig2 。我

- V

漏电流I

(A)

漏电流I

(A)

=10V

=7V

=100

=5V

0.1

100

-1

漏 - 源极电压V

(V)

栅 - 源电压V

(V)

Fig3 。 BV

DSS

- TJ

归一化的击穿电压BV

DSS

1.2

= 0V

= 250

图四。

DS （ ON）

- I

6.0

ON - 电阻r

DS （ ON）

()

5.0

4.0

3.0

2.0

1.0

=10V

=6V

1.1

1.0

0.9

0.8

-100

-50

100

150

结温Tj （ C）

漏电流I

(A)

Fig5 。我

- V

Fig6 。

DS （ ON）

- TJ

3.0

=10V

= 2.5A

反向漏电流I

(A)

归一化导通电阻

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

=100

-1

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

1.8

0.0

-100

-50

100

150

源 - 漏极电压V

(V)

结温Tj （ C）

2011. 1. 26

版本号： 0

3/6

KF5N60D/I

图7. - V

1000

=4.5A

Fig8 。 Qg- V

栅 - 源电压V

(V)

西塞

= 480V

电容（pF）

100

科斯

CRSS

漏 - 源极电压V

(V)

门 - 电荷Qg （ NC）

Fig9 。安全工作区

操作在此

Fig10 。我

- T

区由R限于

DS （ ON）

漏极电流ID （ A）

10s

100s

漏电流I

(A)

100

125

150

1ms

10ms

-1

TC = 25℃

TJ = 150℃

单脉冲

漏 - 源极电压V

(V)

结温Tj （

)

Fig11 。瞬态热响应曲线

瞬态热阻

Duty=0.5

0.2

0.1

0.05

-1

0.02

0.01

ULS

GLE

罪

-2

-5

- 占空比，D = T

J（下最大）

- T

- R

thJC

-4

-3

-2

-1

时间（秒）

2011. 1. 26

版本号： 0

4/6

KF5N60D/I

Fig12 。栅极电荷

VGS

快

恢复

二极管

10 V

0.8 VDSS

1.0毫安

QGS

QGD

VGS

Fig13 。单脉冲雪崩能量

EAS =

AS2

DSS

- V

DSS

50V

10 V

VGS

(t)

时间

Fig14 。阻性负载开关

90%

0.5 VDSS

VDS

10V

VGS

10%

D（上）

D（关闭）

关闭

2011. 1. 26

版本号： 0

5/6

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