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半导体

技术参数

概述

这个平面条形MOSFET具有更好的特性，如快速

开关时间，低导通电阻，低栅极电荷和优良

雪崩特性。它主要适用于电子镇流器和

开关模式电源。

特点

V

DSS

= 500V ，我

D

= 5.0A

·漏源

导通电阻，R

DS （ ON）

=1.4 @V

GS

= 10V

·QG （典型值）

= 12NC

D

N

KF5N50P/F/PZ/FZ

N沟道MOS场

场效应晶体管

KF5N50P ， KF5N50PZ

A

O

C

F

E

G

B

Q

I

K

M

L

J

H

P

N

最大额定值（ TC = 25 ℃ ）

等级

特征

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

I

DP

E

AS

E

AR

dv / dt的

P

D

T

j

T

英镑

83

0.66

150

-55½150

5.0

2.9

13

270

8.6

4.5

41.5

0.33

KF5N50P

KF5N50PZ

500

±30

5.0*

2.9*

13*

A

S

E

G

B

F

DIM毫米

_

9.9 + 0.2

A

15.95 MAX

B

1.3+0.1/-0.05

C

_

D

0.8 + 0.1

_

E

3.6 + 0.2

_

F

2.8 + 0.1

3.7

G

H

0.5+0.1/-0.05

1.5

I

_

13.08 + 0.3

J

K

1.46

_

1.4 + 0.1

L

_

1.27+ 0.1

M

_

2.54 + 0.2

N

_

4.5 + 0.2

O

_ 0.2

2.4 +

P

_

9.2 + 0.2

Q

KF5N50F

KF5N50FZ

单位

1

2

3

1.门

2.漏

3.源

漏源电压

栅源电压

@T

C

=25℃

漏电流

@T

C

=100℃

脉冲（注1）

单脉冲雪崩能量

（注2 ）

重复性雪崩能量

（注1 ）

峰值二极管恢复的dv / dt

（注3）

耗电

耗散

Tc=25℃

减免上述25 °

V

V

TO-220AB

A

KF5N50F ， KF5N50FZ

C

mJ

mJ

V / ns的

W

P

暗淡

MILLIMETERS

K

L

L

W/℃

℃

℃

R

最高结温

存储温度范围

热特性

热阻，结到外壳

热阻，结点到

环境

M

D

D

J

N

N

H

R

thJC

R

thJA

1.5

62.5

3.0

62.5

℃/W

1

2

3

Q

℃/W

A

B

C

D

E

F

G

H

J

K

L

M

N

P

Q

R

S

_

10.0

+

0.3

_

15.0

+

0.3

_

2.70

+

0.3

0.76+0.09/-0.05

_

Φ3.2

+

0.2

_

3.0

+

0.3

_

12.0

+

0.3

0.5+0.1/-0.05

_

13.6

+

0.5

_

3.7

+

0.2

1.2+0.25/-0.1

1.5+0.25/-0.1

_

2.54

+

0.1

_

6.8

+

0.1

_

4.5

+

0.2

_

2.6

+

0.2

0.5 TYP

*：漏电流受最高结温。

1.门

2.漏

3.源

引脚连接

（ KF5N50P ， KF5N50F ）

D

TO-220IS

（ KF5N50PZ ， KF5N50FZ ）

D

G

G

S

S

2008. 11. 19

版本号： 0

1/7

KF5N50P/F/PZ/FZ

电气特性（TC = 25⊥ ）

特征

符号

测试条件

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

STATIC

漏源击穿电压

BV

DSS

I

D

=250 , V

GS

=0V

I

D

= 250 ，参考25 ℃

V

DS

=500V, V

GS

=0V,

V

DS

=V

GS

, I

D

=250

KF5N50P/F

KF5N50PZ/FZ

V

GS

=±30V, V

DS

=0V

V

GS

=±25V, V

DS

=0V

500

-

-

2.0

-

-

-

-

0.55

-

-

-

-

1.15

-

-

10

4.0

±100

±10

1.4

V

V/℃

V

nA

击穿电压温度系数

ΔBV

DSS

/ΔT

j

排水截止电流

栅极阈值电压

栅极漏电流

漏源导通电阻

I

DSS

V

th

I

GSS

R

DS （ ON）

V

GS

= 10V ，我

D

=2.5A

动态

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

源极 - 漏极二极管评级

连续源电流

脉冲源电流

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

I

S

I

SP

V

SD

t

rr

Q

rr

V

GS

＆ LT ; V

th

I

S

= 5A ，V

GS

=0V

I

S

= 5A ，V

GS

=0V,

dIs/dt=100A/

-

-

-

-

-

-

-

-

150

0.42

5

A

20

1.4

-

-

V

ns

μ

C

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

V

DS

=25V, V

GS

= 0V ， F = 1.0MHz的

V

DD

=250V

R

L

=50

R

G

=25

(Note4,5)

V

DS

= 400V ，我

D

=5A

V

GS

=10V

(Note4,5)

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

12

2.4

5.4

22.5

29

58

18

430

71

7.5

-

-

-

-

-

ns

-

-

-

-

-

pF

nC

注1 ） Repetivity的评价：脉冲宽度有限的结温。

注2 ） L = 19.5mH ，我

S

= 5A ，V

DD

= 50V ，R

G

= 25Ω ，起始物为

j

=25℃.

注3 ）I

S

≤5A,

DI / dt≤100A / ，V

DD

ΔBV

DSS

，起始物为

j

=25℃.

注4 ）脉冲测试：脉冲宽度

≤300,

值班cycle≤2 ％。

注5 ）基本上是独立的工作温度。

记号

1

1

1

KF5N50

801

P

2

KF5N50

813

F

1

2

KF5N50

801

PZ

2

KF5N50

813

FZ

2

1

产品名称

2

批号

2008. 11. 19

版本号： 0

2/7

KF5N50P/F/PZ/FZ

Fig1 。我

D

- V

DS

100

V

DS

=30V

Fig2 。我

D

- V

GS

漏电流I

D

(A)

漏电流I

D

(A)

V

GS

=10V

10

1

10

V

GS

=7V

T

C

=100

C

1

V

GS

=5V

10

0

25

C

0.1

0.1

1

10

100

10

-1

2

4

6

8

10

漏 - 源极电压V

DS

(V)

栅 - 源电压V

GS

(V)

Fig3 。 BV

DSS

- TJ

归一化的击穿电压BV

DSS

1.2

V

GS

= 0V

I

DS

= 250

图四。

DS （ ON）

- I

D

3.0

ON - 电阻r

DS （ ON）

()

2.5

V

GS

=6V

1.1

2.0

1.5

V

GS

=10V

1.0

1.0

0.5

0

0

0.9

0.8

-100

-50

0

50

100

150

2

4

6

8

10

12

结温Tj （ C）

漏电流I

D

(A)

Fig5 。我

S

- V

SD

10

2

Fig6 。

DS （ ON）

- TJ

3.0

V

GS

=10V

I

DS

= 2.5A

反向漏电流I

S

(A)

归一化导通电阻

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

10

1

T

C

=100

C

25

C

10

0

10

-1

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

1.8

0.0

-100

-50

0

50

100

150

源 - 漏极电压V

SD

(V)

结温Tj （ C）

2008. 11. 19

版本号： 0

3/7

KF5N50P/F/PZ/FZ

图7. - V

DS

1000

12

I

D

=5A

Fig8 。 Qg- V

GS

栅 - 源电压V

GS

(V)

西塞

10

8

6

4

2

0

0

2

4

6

8

10

12

14

16

V

DS

= 400V

V

DS

= 250V

V

DS

= 100V

电容（pF）

100

科斯

10

CRSS

1

0

5

10

15

20

25

30

35

40

漏 - 源极电压V

DS

(V)

门 - 电荷Qg （ NC）

Fig9 。安全工作区

10

2

操作在此

Fig10 。安全工作区

10

2

操作在此

（ KF5N50P ， KF5N50PZ ）

（ KF5N50F ， KF5N50FZ ）

区由R限于

DS （ ON）

区由R限于

DS （ ON）

漏极电流ID （ A）

10

1

漏极电流ID （ A）

100s

1ms

10

1

100s

10

0

10ms

100ms

10

0

1ms

10ms

100ms

10

-1

TC = 25℃

TJ = 150℃

2

单脉冲

DC

10

-1

TC = 25℃

TJ = 150℃

2

单脉冲

DC

10

10

0

10

1

10

2

10

3

10

10

0

10

1

10

2

10

3

漏 - 源极电压V

DS

(V)

漏 - 源极电压V

DS

(V)

Fig11 。我

D

- T

j

6

5

漏电流I

D

(A)

4

3

2

1

0

0

25

50

75

100

125

150

结温Tj （

C

)

2008. 11. 19

版本号： 0

4/7

KF5N50P/F/PZ/FZ

Fig12 。瞬态热响应曲线

（ KF5N50P 。 KF5N50PZ ）

10

0

Duty=0.5

瞬态热阻

0.2

10

-1

0.1

0.05

P

DM

t

1

t

2

P

GLE

ULS

e

0.02

1

0.0

罪

- 占空比，D = T

1

/t

2

- R

thJC

=

T

J（下最大）

- T

c

P

D

10

0

10

1

10

-2

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

10

-1

时间（秒）

Fig13 。瞬态热响应曲线

（ KF5N50F 。 KF5N50FZ ）

Duty=0.5

瞬态热阻

10

0

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

罪

GLE

ls

Pu

10

-1

P

DM

t

1

e

t

2

10

-2

10

-5

- 占空比，D = T

1

/t

2

T

J（下最大）

- T

c

- R

thJC

=

P

D

10

-4

10

-3

10

-2

10

-1

10

0

10

1

时间（秒）

2008. 11. 19

版本号： 0

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