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红外发光二极管（ GaAlAs的）
KEM5001R
该KEM5001R是的GaAlAs红外发光二极管
其被设计用于高功率，低正向电压。
在发射波长870nm ，并具有高的辐射
效率在宽范围的正向电流。
1.15
尺寸
[单位：mm ]
该器件的速度和效率优化
0.085
0.45
特点
0.70
3.70±0.1
870nm波长
低正向电压
2.50
2.60
*引脚说明
阳极
阴极
高功率和高可靠性
可用于脉冲操作
表面贴装无铅封装
应用
红外音频和电话
IR通信
光开关
可用于无线数字数据传输
绝对最大额定值
参数
功耗
正向电流
脉冲正向电流* 1
反向电压
工作温度
储存温度
焊接温度
*2
* 1 。占空比= 1/ 100时，脉冲宽度= 0.1毫秒
* 2 。 MAX 5秒
[T
A
= 25
符号
PD
IF
IFP
VR
TOPR 。
TSTG 。
TSOL
等级
95
50
1
5
-25~+85
-25~+100
260
单位
mW
mA
A
V
]
0.70
光电特性
参数
正向电压
反向电压
辐射强度
峰值发射波长
光谱带宽50 ％
半角
上升时间
符号
V
F
V
R
P
O
p
条件
I
F
=50
I
R
=10uA
I
F
=50
I
F
=20
I
F
=20
I
F
=30mA
I
F
=50mA
分钟。
-
4
13
-
-
-
-
典型值。
1.6
-
16
870
45
±20
15
马克斯。
1.9
-
-
-
-
-
-
[T
A
= 25
单元。
V
V
½/sr
nm
nm
度。
ns
2.30±0.1
0.80
]
Θ
1/2
Tr
-1-
红外发光二极管（ GaAlAs的）
KEM5001R
正向电流
Vs
正向电压
80
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
1
2
正向电压[V]的
相对强度
Vs
波长
1.2
1
相对强度
0.8
0.6
0.4
0.2
0
600
700
800
900
1000
波长
λ [nm]的
1100
辐射强度宝
[毫瓦/锶]
100
1000
3
正向电流IF [马]
正向电流IF [马]
70
60
50
40
30
20
10
0
-20
0
20
40
60
80
100
环境温度TA [ ℃ ]
正向电流
Vs
环境温度
辐射强度
Vs
正向电流
10
1
1
10
100
1000
正向电流IF [马]
10000
辐射角
角（度）
10000
脉冲电流与
占空比
[脉冲≤100
Ta=25℃]
脉冲电流[mA ]
1000
100
10
0
1
10
占空比[ ％ ]
100
-2-
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