半导体
技术参数
概述
这个平面条形MOSFET具有更好的特性，如快速
开关时间，快
反向恢复时间，
低导通电阻，低栅
充电和出色的雪崩特性。它主要适用于
有源功率因数校正和开关式电源。
特点
V
DSS
= 500V ，我
D
=10A
漏极 - 源极导通电阻：
R
DS （ ON）
(Max)=0.65
QG （典型值）= 19.5nC
t
RR （典型值）
= 170ns
@V
GS
=10V
D
N
A
KF10N50PR/FR
N沟道MOS场
场效应晶体管
KF10N50PR
O
C
F
E
G
B
Q
I
K
M
L
J
H
P
DIM毫米
_
9.9 + 0.2
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
15.95 MAX
1.3+0.1/-0.05
_
0.8 + 0.1
_
3.6 + 0.2
_ 0.1
2.8 +
3.7
0.5+0.1/-0.05
1.5
_
13.08 + 0.3
1.46
_
1.4 + 0.1
_
1.27 + 0.1
_ 0.2
2.54 +
_
4.5 + 0.2
_
2.4 + 0.2
_
9.2 + 0.2
N
最大额定值（TC = 25
特征
漏源电压
栅源电压
@T
C
=25
漏电流
@T
C
=100
脉冲（注1）
单脉冲雪崩能量
（注2 ）
重复性雪崩能量
（注1 ）
峰值二极管恢复的dv / dt
（注3）
耗电
耗散
Tc=25
减免上述25
)
等级
符号
KF10N50PR
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
E
AS
E
AR
dv / dt的
P
D
T
j
T
英镑
130
1.04
150
-55 150
D
N
N
H
N
O
P
Q
单位
KF10N50FR
500
30
10
5
25
300
14.7
4.5
41.5
0.33
10*
5*
25*
mJ
mJ
V / ns的
K
1
2
3
1.门
2.漏
3.源
V
V
TO-220AB
A
A
F
KF10N50FR
C
O
B
E
G
暗淡
MILLIMETERS
W
W/
L
M
J
R
最高结温
存储温度范围
热特性
热阻，结到外壳
热阻，
结到环境
R
thJC
R
thJA
0.96
62.5
3.0
62.5
/W
/W
1
2
3
1.门
2.漏
3.源
*：漏电流受最高结温。
引脚连接
（ KF10N50PR ， KF10N50FR ）
D
Q
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
O
Q
R
_
10.16
+
0.2
_
15.87
+
0.2
_
2.54
+
0.2
_
0.8
+
0.1
_
3.18
+
0.1
_
3.3
+
0.1
_
12.57
+
0.2
_
0.5
+
0.1
_
13.0
+
0.5
_
3.23
+
0.1
1.47 MAX
1.47 MAX
_
2.54
+
0.2
_
0.2
6.68
+
_
4.7
+
0.2
_
2.76
+
0.2
TO- 220IS （1）
G
S
2008. 11. 19
版本号： 0
1/7
KF10N50PR/FR
电气特性（ TC = 25
特征
)
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
符号
STATIC
漏源击穿电压
击穿电压温度系数
排水截止电流
栅极阈值电压
栅极漏电流
漏源导通电阻
BV
DSS
BV
DSS
/ T
j
I
DSS
V
th
I
GSS
R
DS （ ON）
I
D
= 250 A，V
GS
=0V
I
D
= 250 A，参考25
V
DS
=500V, V
GS
=0V
V
DS
=V
GS
, I
D
=250 A
V
GS
= 30V, V
DS
=0V
V
GS
= 10V ，我
D
=5A
500
-
-
2
-
-
-
0.6
-
-
-
0.54
-
-
10
4
100
0.65
V
V/
A
V
nA
动态
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
输入电容
反向传输电容
输出电容
源极 - 漏极二极管评级
连续源电流
脉冲源电流
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
I
S
I
SP
V
SD
t
rr
Q
rr
V
GS
＆ LT ; V
th
I
S
= 10A ，V
GS
=0V
I
S
= 10A ，V
GS
=0V,
DIS / DT = 100A / S
-
-
-
-
-
-
-
-
176
0.7
10
A
40
1.4
-
-
V
ns
C
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
V
DS
=25V, V
GS
= 0V ， F = 1.0MHz的
V
DD
=250V
I
D
=10A
R
G
=25
(Note4,5)
V
DS
= 400V ，我
D
=10A
V
GS
=10V
(Note4,5)
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
19.5
4.5
8.7
27
35
60
29
880
12
133
-
-
-
-
-
ns
-
-
-
-
-
pF
nC
注1 ） Repetivity的评价：脉冲宽度有限的结温。
注2 ） L = 5.5mH ，我
S
= 10A ，V
DD
= 50V ，R
G
= 25 ，起始物为
j
=25
注3 ）I
S
图10A中， di / dt的
200A/
, V
DD
300
注4 ）脉冲测试：脉冲宽度
，占空比
2%.
.
BV
DSS
，起始物为
j
=25 .
注5 ）基本上是独立的工作温度。
记号
1
1
KF10N50
801
PR
2
KF10N50
813
FR
2
1
产品名称
2
批号
2008. 11.19
版本号： 0
2/7
QQ：2880707522 复制
