添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线:13692101218  13751165337
51电子网联系电话:13692101218
位置:首页 > IC型号导航 > 首字符K型号页 > 首字符K的型号第35页 > K4B2G0446D-HYH9
版本1.01 , 2010年11月
K4B2G0446D
K4B2G0846D
2GB D-死DDR3L SDRAM
78FBGA无铅&无卤
(符合RoHS )
1.35V
数据表
三星电子保留更改产品,信息的权利,
规格,恕不另行通知。
本文所讨论的产品和规格仅供参考。所有信息讨论
本文提供的"AS IS"的基础上,没有任何形式的担保。
本文及本文讨论的所有信息保持三星的独有财产
电子产品。任何专利,版权,口罩工作,商标或任何其他知识产权的任何许可
右侧是该文件正由一方到另一方,通过暗示,禁止反言或其他 -
明智的。
三星的产品不得用于生命支持,重症监护,医疗,安全设备,或使用
类似的应用产品故障可能导致人身或人身伤害,或任何损失
军事或国防应用程序,或任何政府采购,以这特殊条款或规定
可以申请。
如需更新或有关三星产品的更多信息,请联系您最近的三星办公。
所有品牌名称,商标和注册商标均归其各自所有者所有。
2010三星电子有限公司保留所有权利。
-1-
K4B2G0446D
K4B2G0846D
数据表
历史
- 第一规格。发布
- 修正错字。
草案日期
2010年8月
2010年11月
修订版1.01
DDR3L SDRAM
修订历史
版本号
1.0
1.01
备注
-
-
编者
S.H.Kim
S.H.Kim
-2-
K4B2G0446D
K4B2G0846D
数据表
修订版1.01
DDR3L SDRAM
目录
2GB D-死DDR3L SDRAM
1.订购信息.....................................................................................................................................................五
2.重点Features.................................................................................................................................................................五
3.封装引脚/机械尺寸& Addressing.................................................................................................. 6
3.1 X4封装引脚(顶视图) : 78ball FBGA封装...................................... .................................................. 6 ..
3.2 X8封装引脚(顶视图) : 78ball FBGA封装...................................... .................................................. 7 ..
3.3 FBGA封装尺寸( X4 / X8 ) .......................................................................................................................... 8
4.输入/输出功能Description.............................................................................................................................. 9
5. DDR3 SDRAM寻址........................................................................................................................................... 10
6.绝对最大额定值.......................................................................................................................................... 11
6.1绝对最大DC Ratings............................................................................................................................... 11
6.2 DRAM元件工作温度范围............................................ .................................................. .. 11
7. AC &直流工作Conditions..................................................................................................................................... 11
7.1建议的直流工作条件(SSTL_1.5)............................................................................................. 11
8. AC &直流输入电平测量............................................................................................................................ 12
8.1交流&直流逻辑输入电平为单端信号...................................... .................................................. ...... 12
8.2 V
REF
Tolerances...................................................................................................................................................... 14
8.3交流&直流逻辑输入电平为差分信号........................................ .................................................. ...... 15
8.3.1 。差分信号的定义............................................................................................................................ 15
8.3.2 。差分摆幅要求时钟( CK - CK)和选通脉冲( DQS - DQS ) ................................. ................. 15
8.3.3 。单端要求的差分信号........................................... ................................................ 17
8.4差分输入交叉点Voltage...................................................................................................................... 18
对于差分输入信号8.5压摆率的定义..................................................................................................... 19
8.6压摆率的定义为差分输入信号.......................................... .................................................. ....... 19
9. AC &直流输出电平测量......................................................................................................................... 19
9.1单端AC &直流输出Levels..................................................................................................................... 19
9.2差分交流&直流输出Levels......................................................................................................................... 19
9.3单端输出压摆率.............................................................................................................................. 20
9.4差分输出摆率.................................................................................................................................. 21
9.5参考负载的AC时序和输出摆率........................................ .................................................. .. 21
9.6过冲/下冲规格....................................................................................................................... 22
9.6.1 。地址和控制过冲和下冲规格........................................... ........................... 22
9.6.2 。时钟,数据,选通和面具过冲和下冲规格....................................... ............... 23
9.7 34ohm输出驱动器DC电气Characteristics................................................................................................. 23
9.7.1 。输出驱动器的温度和电压灵敏度............................................ .............................................. 25
9.8片上端接( ODT)水平和IV特性...................................... ............................................... 25
9.8.1 。 ODT DC电气特性................................................................................................................... 26
9.8.2 。 ODT温度和电压灵敏度...................................................................................................... 28
9.9 ODT时序定义........................................................................................................................................... 29
9.9.1 。测试负载的ODT Timings.............................................................................................................................. 29
9.9.2 。 ODT时序定义.................................................................................................................................... 29
10. IDD电流测量Method..................................................................................................................................... 32
10.1 IDD测量条件............................................................................................................................... 32
11. 2GB DDR3 SDRAM D-模具IDD规格表....................................... .................................................. ........... 41
12.输入/输出电容........................................................................................................................................... 42
13.电气特性和AC时序DDR3-800到DDR3-1600 ................................... ................................... 43
13.1时钟规格................................................................................................................................................ 43
13.1.1 。用于定义tCK(avg).................................................................................................................................... 43
13.1.2 。用于定义tCK(abs).................................................................................................................................... 43
13.1.3 。针对TCH ( AVG)和TCL ( AVG)的定义.............................................................................................................. 43
13.1.4 。对于笔记定义tJIT ( PER) , tJIT (每,伊克) ................................... .................................................. ............ 43
13.1.5 。对于tJIT (CC )的定义, tJIT (CC ,伊克) ................................................................................................................. 43
13.1.6 。对于TERR定义( NPER ) ................................................................................................................................ 43
按设备13.2刷新参数Density................................................................................................................. 44
13.3速箱和CL , tRCD的,激进党,真相与和解委员会tRAS的相应斌.................................. ............................... 44
13.3.1 。转速表斌的注意事项.................................................................................................................................. 47
-3-
K4B2G0446D
K4B2G0846D
数据表
修订版1.01
DDR3L SDRAM
由速度等级14.时序参数.......................................................................................................................... 48
14.1抖动注意事项............................................................................................................................................................ 51
14.2时序参数Notes........................................................................................................................................ 52
14.3地址/命令设置,保持和降额: ........................................ .................................................. .......... 53
14.4数据建立,保持和压摆率降额: .......................................................................................................... 59
-4-
K4B2G0446D
K4B2G0846D
数据表
DDR3L - 1066 ( 7-7-7 )
K4B2G0446D-HYF8
K4B2G0846D-HYF8
DDR3L - 1333 ( 9-9-9 )
3
K4B2G0446D-HYH9
K4B2G0846D-HYH9
修订版1.01
DDR3L SDRAM
1.订购信息
【表1】三星的2Gb DDR3L D-死订购信息表
组织
512Mx4
256Mx8
DDR3L -1600 ( 11-11-11 )
2
K4B2G0446D-HYK0
K4B2G0846D-HYK0
78 FBGA
78 FBGA
:
1.速度斌是为了CL- tRCD的-TRP的。
2.向后兼容DDR3L -1333 ( 9-9-9 ) , DDR3L -1066 ( 7-7-7 )
3.向后兼容DDR3L - 1066 ( 7-7-7 )
2.主要特点
[表2]的2Gb DDR3的D型模具速箱
速度
TCK (分钟)
CAS延迟
的tRCD (MIN)
激进党(分钟)
tRAS的(分)
的tRC (分钟)
DDR3-800
6-6-6
2.5
6
15
15
37.5
52.5
DDR3-1066
7-7-7
1.875
7
13.125
13.125
37.5
50.625
DDR3-1333
9-9-9
1.5
9
13.5
13.5
36
49.5
DDR3-1600
11-11-11
1.25
11
13.75
13.75
35
48.75
单位
ns
NCK
ns
ns
ns
ns
JEDEC标准的1.35V ( 1.28V 1.45V ) & 1.5V ( 1.425V 1.575V )
V
DDQ
= 1.35V ( 1.28V 1.45V ) & 1.5V ( 1.425V 1.575V )
400 MHz的F
CK
为800MB /秒/针, 533 F
CK
为1066MB /秒/针,
667 F
CK
为1333Mb /秒/针, 800MHz的F
CK
为1600MB /秒/针
8银行
可编程CAS延迟( CAS贴) : 5,6,7,8,9,10,11
可编程的附加延迟: 0 , CL -2或CL- 1的时钟
可编程CAS延迟写入(CWL ) = 5 ( DDR3-800 ) ,
6 ( DDR3-1066 ) , 7 ( DDR3-1333 )和8 ( DDR3-1600 )
8位预取
突发长度: 8 (交错,没有任何限制,顺序与出发
地址为“ 000”只) , 4 TCCD = 4不允许无缝
读或写[无论是在使用A12或MRS飞]
双向差分数据选通
内部(个体经营)校准:通过ZQ引脚内部自校准
( RZQ :240欧姆± 1%)的
片上终端使用ODT引脚
平均更新周期7.8us时于T低
85°C ,在3.9us
85°C <牛逼
< 95
°C
异步复位
封装: 78球FBGA - X4 / X8
所有无铅产品符合RoHS指令的
所有的产品都是无卤
2GB的DDR3 SDRAM D-模具的结构为64Mbit的×4 I / OS X 8banks ,
32兆×8个I / O X 8banks设备。该同步装置实现高
高达1600MB /秒/针的速度双倍数据率传输速率( DDR3-
1600 )的一般应用。
该芯片的设计符合以下关键DDR3 SDRAM为特色的
Tures的,如贴CAS ,可编程CWL ,内部(自我)的校准,
片上终端使用ODT引脚和异步复位。
所有的控制和地址输入端的一对克斯特同步
应受供应差分时钟。输入被锁定在昼夜温差的交叉点
髓鞘时钟( CK上升沿和CK下降) 。所有的I / O与同步
对双向选通(DQS和DQS )在源同步fash-
离子。地址总线用于传送行,列和行地址
在一个RAS / CAS复样式的信息。在DDR3器件工作
用一个1.35V ( 1.28V 1.45V )或1.5V ( 1.425V 1.575V )供电
和1.35V ( 1.28V 1.45V )或1.5V ( 1.425V 1.575V ) 。
2GB的DDR3 D-模具设备处于78ball FBGAs ( X4 / X8 )提供
1.本数据表是全DDR3规格的抽象,并不包括在“ DDR3 SDRAM器件操作&时序描述的共同特征
图“ 。
2.功能描述和包含在此数据表中的时序规范操作的DLL启用模式。
-5-
查看更多K4B2G0446D-HYH9PDF信息
推荐型号
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    K4B2G0446D-HYH9
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2276945435 复制 点击这里给我发消息 QQ:2801615837 复制

电话:0755-82522939
联系人:彭小姐
地址:广东省深圳市福田区福华路嘉汇新汇商中心1020
K4B2G0446D-HYH9
SAMSUNG
10000
22+
原包装原标现货,假一罚十,
0.1
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:953787052 复制 点击这里给我发消息 QQ:849036869 复制

电话:15899765957 19573525995
联系人:朱小姐
地址:深圳市福田区华强北街道华航社区海外装饰大厦B座539
K4B2G0446D-HYH9
SAMSUNG
24+
10000
BGA
原装正品热卖
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881793588 复制

电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
K4B2G0446D-HYH9
SAMSUNG
2443+
23000
FBGA
一级代理专营,原装现货,价格优势
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881501653 复制

电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
K4B2G0446D-HYH9
SAMSUNG/三星
24+
12300
FBGA
全新原装现货,原厂代理。
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:280773285 复制 点击这里给我发消息 QQ:2748708193 复制
电话:0755-83015506-23947236
联系人:朱先生
地址:广东省深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室
K4B2G0446D-HYH9
SAMSUNG/三星
24+
9850
FBGA
100%原装正品,可长期订货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:97877807 复制

电话:171-4755-1968(微信同号)
联系人:周小姐171-4755-1968微信同号,无线联通更快捷!
地址:体验愉快问购元件!帮您做大生意!!深圳市福田区3037号南光捷佳大厦2418室
K4B2G0446D-HYH9
SAMSUNG
24+
56300
FBGA
体验愉快问购元件!!就找我吧!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:296271020 复制
电话:0755-/83218466/83200833
联系人:销售部
地址:深圳市罗湖区北站路1号中贸大厦402
K4B2G0446D-HYH9
SAMSUNG/三星
24+
22000
FBGA
原装正品假一赔百!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:565106636 复制 点击这里给我发消息 QQ:414322027 复制
电话:15026993318 // 13764057178 // 15821228847
联系人:销售部
地址:门市:上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
K4B2G0446D-HYH9
SAMSUNG/三星
2024
30475
FBGA
上海原装现货库存,欢迎咨询合作
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:346072800 复制 点击这里给我发消息 QQ:735585398 复制

电话:18026926850/0755-83247709/0755-83247721
联系人:朱
地址:福田区振兴西路华康大厦2栋315室
K4B2G0446D-HYH9
SAMSUNG
23+
10000
BGA
原装正品,价优
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
K4B2G0446D-HYH9
SAMSUNG
新年份
18600
BGA
全新原装正品/质量有保证
查询更多K4B2G0446D-HYH9供应信息

深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功!