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KDZ4.7B
二极管
稳压二极管
KDZ4.7B
应用
电压调节
尺寸
(单位:毫米)
1.6±0.1
0.1±0.1
    0.05
土地面积图
(单位:毫米)
1.2
0.85
特点
1 )小功率模具类型。 ( PMDU )
2 )高ESD耐受性
2.6±0.1
3.5±0.2
PMDU
施工
硅外延平面
0.9±0.1
结构
 
0.8±0.1
ROHM : PMDU
JEDEC : SOD- 123
制造日期
EX 。 KDZ10B
大坪尺寸
(单位:毫米)
4.0±0.1
2.0±0.05
φ1.55±0.05
1.75±0.1
0.25±0.05
3.5±0.05
8.0±0.2
1.81±0.1
4.0±0.1
φ1.0±0.1
3.71±0.1
1.5MAX
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
功耗
结温
储存温度
符号
P
Tj
TSTG
范围
1000
150
-55到+150
单位
mW
Rev.A的
3.05
1/4
KDZ4.7B
二极管
电气特性
(Ta=25°C)
符号
典型值。
36亿KDZ
KDZ 3.9B
KDZ 43亿
KDZ 4.7B
KDZ 5.1B
KDZ 5.6B
KDZ 6.2B
KDZ 6.8B
KDZ 7.5B
KDZ 82亿
KDZ 9.1B
KDZ 10B
KDZ 11B
KDZ 12B
KDZ 13B
KDZ 15B
KDZ 16B
KDZ 18B
KDZ 20B
KDZ 22B
KDZ 24B
KDZ 27B
KDZ 30B
KDZ 33B
KDZ 36B
分钟。
3.600
3.900
4.300
4.700
5.100
5.600
6.200
6.800
7.500
8.200
9.100
10.000
11.000
12.000
13.300
14.700
16.200
18.000
20.000
22.000
24.000
27.000
30.000
33.000
36.000
齐纳电压
VZ (V)的
反向电流: IR ( μA )
典型值。
3.813
4.136
4.572
4.924
5.368
5.856
6.509
7.280
7.889
8.655
9.747
10.310
11.510
12.500
13.820
15.350
16.860
19.000
20.820
23.850
25.310
28.700
31.570
34.950
39.240
马克斯。
4.000
4.400
4.800
5.200
5.700
6.300
7.000
7.700
8.400
9.300
10.200
11.200
12.300
13.500
15.000
16.500
18.300
20.300
22.400
24.500
27.600
30.800
34.000
37.000
40.000
IZ (毫安)
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
20
20
20
20
20
20
20
10
10
10
10
10
10
马克斯。
60
40
20
20
20
20
20
20
20
20
20
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
VR ( V)
1.0
1.0
1.0
1.0
1.5
2.5
3.0
3.5
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10.0
11.0
12.0
13.0
15.0
17.0
19.0
21.0
23.0
25.0
27.0
(1)齐纳电压( Vz的)被测量为40ms接通电源之后。
( 2 )公司经营电阻( ZZ
½
ZZK )由重叠的微小交流电流的调节的电流(IZ )进行测定。
记号
(型号)
TYPE
KDZ 3.6B
KDZ 3.9B
KDZ 4.3B
KDZ 4.7B
KDZ 5.1B
KDZ 5.6B
KDZ 6.2B
KDZ 6.8B
KDZ 7.5B
KDZ 8.2B
KDZ 9.1B
KDZ 10B
KDZ 11B
型号
GB
HB
JB
KB
LB
MB
NB
PB
QB
RB
SB
TB
UB
TYPE
KDZ 12B
KDZ 13B
KDZ 15B
KDZ 16B
KDZ 18B
KDZ 20B
KDZ 22B
KDZ 24B
KDZ 27B
KDZ 30B
KDZ 33B
KDZ 36B
型号
VB
WB
XB
YB
ZB
AD
BD
CD
DD
ED
FD
GD
Rev.A的
2/4
KDZ4.7B
二极管
100
5.1
4.7
4.3
10
3.9
3.6
5.6 6.2 6.8 7.5 8.2 9.1 10 11 12 13 15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
齐纳电流: IZ (MA )
1
0.1
0.01
0.001
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
齐纳电压: VZ( V)
VZ- IZ特性
1200
功耗:钯(MW )
1000
800
600
400
200
0
0
25
50
75
100
125
150
环境温度: TA( ℃ )
PD-钽特性
0.12
0.1
TEMP.COEFFICIENCE : γz ( % / ℃ )
0.08
0.06
0.04
0.02
0
-0.02
-0.04
-0.06
-0.08
0
10
20
30
齐纳电压: VZ( V)
γz - Vz的特性
40
15
10
5
0
-5
40
35
30
25
20
10000
PRSM
t
反向浪涌最大
POWER: PRSM ( W)
1000
100
10
1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
时间: T(毫秒)
PRSM - 时间特性
1000
安装在环氧板
IM=10mA
IF=100mA
短暂
THAERMAL阻抗的Rth ( ℃ / W)
TEMP.COEFFICIENCE : γz (MV / ℃ )
1ms
时间
Rth的第(j-一)
100
300us
10
RTH (J -C )
1
0.001
10
时间: T( S)
RTH- T特性
0.1
1000
Rev.A的
3/4
KDZ4.7B
二极管
电气特性曲线
(Ta=25°C)
100
Ta=75℃
Ta=125℃
1
Ta=150℃
Ta=25℃
Ta=-25℃
Ta=125℃
10000
f=1MH½
之间的电容
端子的CT (PF )
1000
反向电流: IR ( NA)
100
10
1
Ta=150℃
齐纳电流: IZ (MA )
10
Ta=75℃
Ta=25℃
1000
0.1
0.1
0.01
0.001
0.0001
Ta=-25℃
0.01
0.001
0
1
2
3
4
5
齐纳电压: VZ( V)
VZ- IZ特性
6
100
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
反向电压VR ( V)
VR -IR特性
0
0.2
0.4
0.6
0.8
反向电压VR ( V)
VR -CT特征
1
5.2
5.1
5
4.9
4.8
4.7
Ta=25℃
IZ=5mA
n=30pcs
1
0.9
反向电流: IR ( NA)
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
VZ色散图
IR色散图
AVE : 0.119nA
Ta=25℃
VR=1.0V
n=30pcs
1100
1090
之间的电容
端子的CT (PF )
1080
1070
1060
1050
1040
1030
1020
1010
1000
CT色散图
AVE : 1070.0pF
Ta=25℃
f=1MHz
VR=0V
n=10pcs
齐纳电压: VZ( V)
AVE : 4.680V
10000
动态阻抗: ZZ ( Ω )
静电
放电测试ESD ( KV )
30
没有休息,在30kV的
25
20
15
10
5
0
C=200pF
R=0Ω
C=100pF
R=1.5k
1000
100
10
C=150pF
R=330Ω
1
0.1
1
齐纳电流: IZ (MA )
ZZ- IZ特性
10
ESD色散图
Rev.A的
4/4
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 , LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改,恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中,因此,请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时,请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据,包括但不限于:应用电路图信息,在此描述
仅作为这样的装置的示意图,而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保,任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利,并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权,或产生的事件的性质,或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备,比使用此类设备本身的买受人的权利等,转售或
以其他方式处置的同时,任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
(如视听设备,办公自动化设备,通信设备,电气
电器及电子玩具) 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用,将直接危及人的生命发生故障(如医疗器械,
交通运输设备,航空器械,核反应控制器,燃料控制器等
安全设备) ,请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
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订单在日本。
在从日本出口,请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" (由通产省第)
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
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    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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