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SMD型
PNP硅晶体管自动对焦
KC807(BC807)
SOT-23
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
晶体管
单位:mm
+0.1
2.4
-0.1
特点
对于一般自动对焦的应用。
高集电极电流。
高电流增益。
低集电极 - 发射极饱和电压。
+0.1
1.3
-0.1
1
2
0.95
+0.1
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
0.55
0.4
3
+0.05
0.1
-0.01
+0.1
0.97
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流( DC )
功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
D
T
j
T
英镑
等级
-50
-45
-5
-800
310
150
-65到+150
单位
V
V
V
mA
mW
电气特性TA = 25
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益*
集电极饱和电压*
基极发射极电压
输出电容
跃迁频率
*脉冲: PW
350 ,占空比
2%
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CES
I
EBO
h
FE
I
C
= -300毫安,V
CE
= -1 V
V
CE ( SAT )
I
C
= -500毫安,我
B
= -50毫安
V
BE(上)
V
CE
=-1V,I
C
=300mA
C
ob
f
T
V
CB
=-10V,f=1MHz
I
C
= -10毫安,V
CE
= -5 V , F = 50 MHz的
100
60
-0.7
-1.2
12
V
V
pF
兆赫
I
C
= -10
Testconditons
A,V
BE
= 0
-50
-45
-5
-100
-100
100
630
典型值
最大
单位
V
V
V
nA
nA
I
C
= -10毫安,我
B
= 0
I
E
= -10
A,I
C
= 0
V
CB
= -25 V, V
BE
= 0
V
EB
= -4 V,I
C
= 0
I
C
= -100毫安,V
CE
= -1 V
记号
记号
的hFE
KC807-16
9FA
100
250
KC807-25
9FB
160
400
KC807-40
9FC
250
630
+0.1
0.38
-0.1
0-0.1
www.kexin.com.cn
1
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    KC807-25
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    -
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
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KC807-25
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