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KA5M0965Q
飞兆功率开关（ FPS ）
特点
精密固定工作频率（ 70kHz的）
低启动电流（典型为100uA ）
逐个脉冲电流限制
过载保护
过电流保护
过电压保护（最小25V ）
内部热关断功能
欠压锁定
内部高压感FET
锁存模式
描述
飞兆半导体的功率开关（FPS ）产品系列是专
专为离线SMPS具有最少的外部
组件。飞兆半导体的功率开关（FPS ）组成
高电压功率值SenseFET和电流模式的PWM集成电路。
包括PWM控制器具有集成的固定
频率振荡器，欠压锁定，前沿
消隐，优化的栅极导通/关断驱动，热
关断保护，过电压保护，
温度补偿精密电流源
回路补偿和故障保护电路。相比
分立式MOSFET和PWM控制器或R
CC
溶液，一
飞兆功率开关（ FPS ），可降低总元件
算，设计尺寸，重量和同时增加
效率，生产率和系统的可靠性。它有一个基本的
平台非常适用于成本效益的设计中任一
反激式转换器或转发器。
TO-3P-5L
1
1.漏2. GND 3. 4. VCC FB 5的S / S
内部框图
VCC
3
+
27V
漏
1
UVLO
国内
BIAS
GOOD LOGIC
CLK
OVP
OVP出
V
CC
V
REF
5uA
15V/9V
1mA
-
VREF
电压
SENSE
极限
电路
FET
OSC
4反馈
软启动5
+
7.5V
5V
LP
14V
2.5R
S
-
+
LEB
R
Q
R
-
TSD
(T
J
=150
℃
)
OVP出
(V
CC
=27V)
OCL
(V
S
=1.4V)
V
华氏度F小号（E T）
V
S
RSENSE
Q
※
LEB ：前沿消隐
※
OCL ：过流限制
S
上电复位
/自动重启动
R
2 GND
关闭
LATCH
Rev.1.0.3
2003仙童半导体公司
KA5M0965Q
绝对最大额定值
特征
漏，栅极电压（R
GS
=1M)
门源（ GND ）电压
漏电流脉冲
(2)
单脉冲雪崩能量
(3)
连续漏电流（T
C
=25°C)
连续漏电流（T
C
=100°C)
最大电源电压
输入电压范围
总功耗
工作环境温度
储存温度
符号
V
DGR
V
GS
I
DM
E
AS
I
D
I
D
V
CC ，最大
V
FB
P
D
（瓦特H / S）
疾飞
T
A
T
英镑
价值
650
±30
36.0
950
9.0
5.8
30
-0.3到V
SD
170
1.33
-25至+85
-55到+150
单位
V
V
A
DC
mJ
A
DC
A
DC
V
V
W
W / ℃，
°C
°C
注意：
1. T
j
= 25 ℃至150 ℃的
2.重复评价：脉冲宽度有限的最高结温
3. L = 20mH ，V
DD
= 50V ，R
G
= 27Ω ，起始物为
j
= 25°C
2
KA5M0965Q
电气特性（ SFET部分）
（ TA = 25 ° C除非另有说明）
特征
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
静态漏源导通电阻
（注）
正向跨导
（注）
输入电容
输出电容
反向传输电容
打开延迟时间
上升时间
关闭延迟时间
下降时间
总栅极电荷
（栅极 - 源+栅极 - 漏极）
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极（米勒）电荷
注意：
1.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2%
2.
1
-
S
= ---
R
符号
BV
DSS
I
DSS
R
DS （ ON）
政府飞行服务队
西塞
科斯
CRSS
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
Qg
QGS
QGD
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=50A
V
DS
=最大，等级，
V
GS
=0V
V
DS
= 0.8Max 。 ，评级，
V
GS
= 0V ，T
C
=125°C
V
GS
= 10V ，我
D
=4.5A
V
DS
= 50V ，我
D
=4.5A
V
GS
=0V, V
DS
=25V,
f=1MHz
V
DD
=0.5BV
DSS
, I
D
=9.0A
（ MOSFET开关
时间的本质
独立
工作温度）
V
GS
= 10V ，我
D
=9.0A,
V
DS
=0.8BV
DSS
分钟。
650
-
-
-
5.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
0.96
-
1200
135
25
25
75
130
70
45
8
22
马克斯。
-
50
200
1.2
-
-
-
-
60
160
270
150
60
-
-
单位
V
A
mA
W
S
pF
nS
nC
3
KA5M0965Q
电气特性（控制部分）
（续）
（ TA = 25 ° C除非另有说明）
特征
符号
UVLO节
启动阈值电压
V
开始
停止阈值电压
V
停止
振荡器部分
初始精度
F
OSC
(2)
-
频率随温度变化
最大占空比
DMAX
反馈部分
反馈源电流
I
FB
关机反馈电压
V
SD
关机延迟电流
IDELAY
软启动第
软启动电压
V
SS
软启动电流
I
SS
电流限制（自我保护）第
峰值电流限制
I
过度
保护科
T
SD
热关断温（Tj ）
(1)
过电压保护电压
V
OVP
设备总段
启动电流
I
开始
工作电源电流（仅控制部分）
I
OP
测试条件
-
打开后
Ta=25°C
-25°C
≤
Ta
≤
+85°C
-
TA = 25° C， 0V
≤
VFB
≤
3V
VFB
≥
6.5V
TA = 25℃ ， 5V
≤
VFB
≤
V
SD
V
FB
= 2V
同步& S / S = GND
马克斯。电感电流
-
V
CC
≥
24V
V
CC
=14V
V
CC
≤
28
分钟。典型值。马克斯。
14
8.4
61
-
74
0.7
6.9
4
4.7
0.8
15
9
67
±5
77
0.9
7.5
5
5.0
1.0
16
9.6
73
±10
80
1.1
8.1
6
5.3
1.2
单位
V
V
千赫
%
%
mA
V
A
V
mA
A
°C
V
mA
mA
5.28 6.00 6.72
140
25
-
-
160
27
0.1
7
-
29
0.17
12
注意：
1.这些参数，虽然保证的，是不是100％在生产测试
2.这些参数，虽然保证，在EDS测试（水试验）过程
3.这些参数表示的电感电流。
4
KA5M0965Q
典型性能特性
上图：
1
I
D
，漏电流[ A]
I
D
，漏电流[ A]
10
下图：
V
GS
15 V
10 V
8.0 V
7.5 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
5.5 V
5.0 V
10
1
150
℃
25
℃
10
0
10
0
-55
℃
10
-1
※
注意：
1. 250μ s脉冲测试
2. T
C
= 25
℃
-1
※
记
1. V
DS
= 50V
2. 250μ s脉冲测试
10
10
0
10
1
10
-1
2
4
6
8
10
V
DS
，漏源电压[V]
V
GS
，栅源电压[V]
图1.输出特性
1.3
图2. Thansfer特点
I
DR
，反向漏电流[ A]
R
DS （ ON）
, [
]
漏源导通电阻
1.2
V
GS
= 10V
1.1
V
GS
= 20V
1.0
10
1
10
0
0.9
150
℃
25
℃
※
注意：
1. V
GS
= 0V
2. 250μ s脉冲测试
0.8
0
2
4
6
8
10
12
14
16
10
-1
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
I
D
，漏电流[ A]
V
SD
，源极 - 漏极电压[ V]
图3.导通电阻与漏电流
图4.源极 - 漏极二极管正向电压
3000
2500
C
国际空间站
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
=短路）
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
C
RSS
= C
gd
12
V
GS
，栅源电压[V]
10
V
DS
= 120V
V
DS
= 300V
V
DS
= 480V
电容[ pF的]
2000
C
国际空间站
8
1500
C
OSS
6
1000
C
RSS
※
注意;
1. V
GS
= 0 V
2. F = 1 MHz的
4
500
2
※
注：我
D
= 8.5 A
0
-1
10
10
0
10
1
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
V
DS
，漏源电压[V]
Q
G
，总栅极电荷[ NC ]
图5.电容与漏源电压
图6.栅极电荷与栅源电压
5
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