www.fairchildsemi.com
KA5H0380R/KA5M0380R/KA5L0380R
SPS
特点
精密固定工作频率（100 /67 / 50kHz的）
低启动电流（典型为100uA ）
逐个脉冲电流限制
过电流保护
过电压protecton （最小25V ）
内部热关断功能
欠压锁定
内部高压感FET
自动重启动模式
描述
在SPS系列产品是专为离线
SMPS以最少的外部元件。在SPS由
的高电压功率值SenseFET和电流模式PWM
IC 。包括PWM控制器具有集成的固定频
昆西振荡器，欠压锁定，前沿
消隐，优化的栅极导通/关断驱动，热
关断保护，过电压保护，温度
TURE补偿精密电流源loopcompen-
偿和故障保护电路。相比分立式
MOSFET和PWM控制器或RCC的解决方案，一个SPS可以
在降低总元件数量，缩小设计尺寸，重量和
同时提高效率，生产力和系统可靠性
的能力。它有一个基本平台非常适用于成本效益的
设计中的任一一个回扫转换器，或正向转换器。
TO-220F-4L
1. GND 2.排水3. V
CC
4. FB
内部框图
VCC
5V
VREF
UVLO
良好
逻辑
国内
BIAS
漏
SFET
OSC
9V
5微安
1毫安
_
2.5R
1R
+
_
热S / D
上电复位
+
L.E.B
S
Q
R
FB
RSens
S
R
Q
7.5V
GND
27V
+
_
修订版.5.0
2000仙童半导体国际
KA5H0380R/KA5M0380R/KA5L0380R
绝对最大额定值
特征
漏源极（ GND ）的电压
(1)
漏，栅极电压（R
GS
=1M)
门源（ GND ）电压
漏电流脉冲
(2)
单脉冲雪崩能量
(3)
雪崩电流
(4)
连续漏电流（T
C
=25°C)
连续漏电流（T
C
=100°C)
电源电压
模拟输入电压范围
总功耗
工作温度
储存温度
符号
VDSS
VDGR
VGS
IDM
EAS
IAS
ID
ID
VCC
VFB
PD （瓦H / S）
降额
TOPR
TSTG
价值
800
800
±30
12
95
10
3.0
2.1
30
0.3
到V
SD
35
0.28
25
+85
55
+150
单位
V
V
V
A
DC
mJ
A
A
DC
A
DC
V
V
W
W / ℃，
°C
°C
注意事项：
1， TJ = 25℃ 150℃
2.重复评价：脉冲宽度有限的最高结温
3. L = 51mH ，开始TJ = 25°C
4， L = 13μH ，开始TJ = 25°C
2
KA5H0380R/KA5M0380R/KA5L0380R
电气特性（ SFET部分）
（ TA = 25℃
除非另有规定编）
特征
漏源击穿电压
符号
BV
DSS
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=50A
V
DS
=最大，等级，
V
GS
=0V
V
DS
= 0.8Max 。 ，评级，
V
GS
= 0V ，T
C
=125°C
V
GS
= 10V ，我
D
=0.5A
V
DS
= 50V ，我
D
=0.5A
V
GS
=0V, V
DS
=25V,
f=1MHz
V
DD
=0.5BV
DSS
, I
D
=1.0A
（ MOSFET开关
时间的本质
独立
工作温度）
V
GS
= 10V ，我
D
=1.0A,
V
DS
=0.5BV
DSS
（ MOSFET
开关时间
基本上是独立的
工作温度）
分钟。
800
1.5
典型值。
4
2.5
779
75.6
24.9
40
95
150
60
7.2
12.1
马克斯。
250
1000
5
34
nC
nS
pF
单位
V
A
A
S
零栅极电压漏极电流
I
DSS
静态漏源导通电阻
（注）
正向跨导
（注）
输入电容
输出电容
反向传输电容
打开延迟时间
上升时间
关闭延迟时间
下降时间
总栅极电荷
（栅极 - 源+栅极 - 漏极）
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极（米勒）电荷
注意：
脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2 ％
1
S
= ---
-
R
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
3
KA5H0380R/KA5M0380R/KA5L0380R
电气特性DSMC （ SFET部分） （续）
（ TA = 25 ° C除非另有说明）
特征
参考科
输出电压
(1)
温度稳定性
(1)(2)
振荡器部分
初始精度
初始精度
初始精度
频率随温度变化
(2)
PWM节
最大占空比
最大占空比
反馈部分
反馈源电流
关机延迟电流
I
FB
I
延迟
TA = 25℃ ， 0V<V
fb
<3V
TA = 25℃ ， 5V≤V
fb
≤V
SD
0.7
4
0.9
5
1.1
6
mA
A
D
最大
D
最大
KA5H0380R
KA5M0380R
KA5L0380R
62
72
67
77
72
82
%
%
F
OSC
F
OSC
F
OSC
KA5H0380R
KA5M0380R
KA5L0380R
25°C≤Ta≤+85°C
90
61
45
100
67
50
±5
110
73
55
±10
千赫
千赫
千赫
%
VREF
VREF / ΔT
Ta=25°C
25°C≤Ta≤+85°C
4.80
5.00
0.3
5.20
0.6
V
毫伏/°C的
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
过电流保护部分
过电流保护
UVLO节
启动阈值电压
最低工作电压
总待机电流节
启动电流
工作电源电流
（控制部分只）
关机节
关机反馈电压
热关断温（Tj ）
(1)
过电压保护
V
SD
T
SD
V
OVP
V
CC
>24V
V
fb
>6.5V
6.9
140
25
7.5
160
27
8.1
29
V
°C
V
I
ST
I
OPR
V
CC
=14V
V
CC
<28
0.1
7
0.17
12
mA
mA
V
第（H）的
V
第（L）的
打开后
8.4
14
9
15
9.6
16
V
V
I
L（ MAX）的
马克斯。电感电流
1.89
2.15
2.41
A
注意：
1.这些参数，虽然保证的，是不是100％在生产测试
2.这些参数，虽然保证，在EDS测试（水试验）过程
4
KA5H0380R/KA5M0380R/KA5L0380R
典型性能特性
10
1
V
GS
顶： 15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
下图： 4.5V
10
0
10
1
I
D
，漏电流[ A]
I
D
，漏电流[ A]
10
0
150
o
C
@
注意事项：
1. 300秒脉冲测试
2. T
C
= 25
o
C
10
-1
10
0
10
1
10
-1
2
25
o
C
-25
o
C
@Notes ：
1. V
DS
= 30 V
2. 300
s PulseTest
6
8
10
4
V
DS
，漏源电压[V]
V
GS
，栅源电压[V]
图1.输出特性
图2. Thansfer特点
8
7
Fig3 。导通电阻与漏电流
10
漏源导通电阻
6
5
4
3
2
1
0
Vgs=20V
I
DR
，反向漏电流[ A]
Vgs=10V
R
DS （ ON）
, [ ]
1
150
o
C
25
o
C
@Note ： TJ = 25 ℃
0
1
2
3
4
0.1
0.4
0.6
0.8
@Notes ：
1. V
GS
= 0V
2. 300
s脉冲测试
1.0
I
D
，漏电流
V
SD
，源极 - 漏极电压[ V]
图3.导通电阻与漏电流
图4.源极 - 漏极二极管正向电压
1000
900
800
700
C
国际空间站
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
=短路）
10
V
DS
=160V
V
GS
，栅源电压[V]
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
C
RSS
= C
gd
8
V
DS
=400V
V
DS
=640V
电容[ pF的]
600
500
400
300
200
100
0
10
0
C
国际空间站
6
4
C
OSS
C
RSS
10
1
2
@Note ：我
D
=3.0A
0
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
，漏源电压[V]
Q
G
，总栅极电荷[ NC ]
图5.电容与漏源电压
图6.栅极电荷与栅源电压
5
www.fairchildsemi.com
KA5H0380R/KA5M0380R/KA5L0380R
SPS
特点
精密固定工作频率（100 /67 / 50kHz的）
低启动电流（典型为100uA ）
逐个脉冲电流限制
过电流保护
过电压protecton （最小25V ）
内部热关断功能
欠压锁定
内部高压感FET
自动重启动模式
描述
在SPS系列产品是专为离线
SMPS以最少的外部元件。在SPS由
的高电压功率值SenseFET和电流模式PWM
IC 。包括PWM控制器具有集成的固定频
昆西振荡器，欠压锁定，前沿
消隐，优化的栅极导通/关断驱动，热
关断保护，过电压保护，温度
TURE补偿精密电流源loopcompen-
偿和故障保护电路。相比分立式
MOSFET和PWM控制器或RCC的解决方案，一个SPS可以
在降低总元件数量，缩小设计尺寸，重量和
同时提高效率，生产力和系统可靠性
的能力。它有一个基本平台非常适用于成本效益的
设计中的任一一个回扫转换器，或正向转换器。
TO-220F-4L
1. GND 2.排水3. V
CC
4. FB
内部框图
VCC
5V
VREF
UVLO
良好
逻辑
国内
BIAS
漏
SFET
OSC
9V
5微安
1毫安
_
2.5R
1R
+
_
热S / D
上电复位
+
L.E.B
S
Q
R
FB
RSens
S
R
Q
7.5V
GND
27V
+
_
修订版.5.0
2000仙童半导体国际
KA5H0380R/KA5M0380R/KA5L0380R
绝对最大额定值
特征
漏源极（ GND ）的电压
(1)
漏，栅极电压（R
GS
=1M)
门源（ GND ）电压
漏电流脉冲
(2)
单脉冲雪崩能量
(3)
雪崩电流
(4)
连续漏电流（T
C
=25°C)
连续漏电流（T
C
=100°C)
电源电压
模拟输入电压范围
总功耗
工作温度
储存温度
符号
VDSS
VDGR
VGS
IDM
EAS
IAS
ID
ID
VCC
VFB
PD （瓦H / S）
降额
TOPR
TSTG
价值
800
800
±30
12
95
10
3.0
2.1
30
0.3
到V
SD
35
0.28
25
+85
55
+150
单位
V
V
V
A
DC
mJ
A
A
DC
A
DC
V
V
W
W / ℃，
°C
°C
注意事项：
1， TJ = 25℃ 150℃
2.重复评价：脉冲宽度有限的最高结温
3. L = 51mH ，开始TJ = 25°C
4， L = 13μH ，开始TJ = 25°C
2
KA5H0380R/KA5M0380R/KA5L0380R
电气特性（ SFET部分）
（ TA = 25℃
除非另有规定编）
特征
漏源击穿电压
符号
BV
DSS
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=50A
V
DS
=最大，等级，
V
GS
=0V
V
DS
= 0.8Max 。 ，评级，
V
GS
= 0V ，T
C
=125°C
V
GS
= 10V ，我
D
=0.5A
V
DS
= 50V ，我
D
=0.5A
V
GS
=0V, V
DS
=25V,
f=1MHz
V
DD
=0.5BV
DSS
, I
D
=1.0A
（ MOSFET开关
时间的本质
独立
工作温度）
V
GS
= 10V ，我
D
=1.0A,
V
DS
=0.5BV
DSS
（ MOSFET
开关时间
基本上是独立的
工作温度）
分钟。
800
1.5
典型值。
4
2.5
779
75.6
24.9
40
95
150
60
7.2
12.1
马克斯。
250
1000
5
34
nC
nS
pF
单位
V
A
A
S
零栅极电压漏极电流
I
DSS
静态漏源导通电阻
（注）
正向跨导
（注）
输入电容
输出电容
反向传输电容
打开延迟时间
上升时间
关闭延迟时间
下降时间
总栅极电荷
（栅极 - 源+栅极 - 漏极）
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极（米勒）电荷
注意：
脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2 ％
1
S
= ---
-
R
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
3
KA5H0380R/KA5M0380R/KA5L0380R
电气特性DSMC （ SFET部分） （续）
（ TA = 25 ° C除非另有说明）
特征
参考科
输出电压
(1)
温度稳定性
(1)(2)
振荡器部分
初始精度
初始精度
初始精度
频率随温度变化
(2)
PWM节
最大占空比
最大占空比
反馈部分
反馈源电流
关机延迟电流
I
FB
I
延迟
TA = 25℃ ， 0V<V
fb
<3V
TA = 25℃ ， 5V≤V
fb
≤V
SD
0.7
4
0.9
5
1.1
6
mA
A
D
最大
D
最大
KA5H0380R
KA5M0380R
KA5L0380R
62
72
67
77
72
82
%
%
F
OSC
F
OSC
F
OSC
KA5H0380R
KA5M0380R
KA5L0380R
25°C≤Ta≤+85°C
90
61
45
100
67
50
±5
110
73
55
±10
千赫
千赫
千赫
%
VREF
VREF / ΔT
Ta=25°C
25°C≤Ta≤+85°C
4.80
5.00
0.3
5.20
0.6
V
毫伏/°C的
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
过电流保护部分
过电流保护
UVLO节
启动阈值电压
最低工作电压
总待机电流节
启动电流
工作电源电流
（控制部分只）
关机节
关机反馈电压
热关断温（Tj ）
(1)
过电压保护
V
SD
T
SD
V
OVP
V
CC
>24V
V
fb
>6.5V
6.9
140
25
7.5
160
27
8.1
29
V
°C
V
I
ST
I
OPR
V
CC
=14V
V
CC
<28
0.1
7
0.17
12
mA
mA
V
第（H）的
V
第（L）的
打开后
8.4
14
9
15
9.6
16
V
V
I
L（ MAX）的
马克斯。电感电流
1.89
2.15
2.41
A
注意：
1.这些参数，虽然保证的，是不是100％在生产测试
2.这些参数，虽然保证，在EDS测试（水试验）过程
4
KA5H0380R/KA5M0380R/KA5L0380R
典型性能特性
10
1
V
GS
顶： 15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
下图： 4.5V
10
0
10
1
I
D
，漏电流[ A]
I
D
，漏电流[ A]
10
0
150
o
C
@
注意事项：
1. 300秒脉冲测试
2. T
C
= 25
o
C
10
-1
10
0
10
1
10
-1
2
25
o
C
-25
o
C
@Notes ：
1. V
DS
= 30 V
2. 300
s PulseTest
6
8
10
4
V
DS
，漏源电压[V]
V
GS
，栅源电压[V]
图1.输出特性
图2. Thansfer特点
8
7
Fig3 。导通电阻与漏电流
10
漏源导通电阻
6
5
4
3
2
1
0
Vgs=20V
I
DR
，反向漏电流[ A]
Vgs=10V
R
DS （ ON）
, [ ]
1
150
o
C
25
o
C
@Note ： TJ = 25 ℃
0
1
2
3
4
0.1
0.4
0.6
0.8
@Notes ：
1. V
GS
= 0V
2. 300
s脉冲测试
1.0
I
D
，漏电流
V
SD
，源极 - 漏极电压[ V]
图3.导通电阻与漏电流
图4.源极 - 漏极二极管正向电压
1000
900
800
700
C
国际空间站
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
=短路）
10
V
DS
=160V
V
GS
，栅源电压[V]
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
C
RSS
= C
gd
8
V
DS
=400V
V
DS
=640V
电容[ pF的]
600
500
400
300
200
100
0
10
0
C
国际空间站
6
4
C
OSS
C
RSS
10
1
2
@Note ：我
D
=3.0A
0
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
，漏源电压[V]
Q
G
，总栅极电荷[ NC ]
图5.电容与漏源电压
图6.栅极电荷与栅源电压
5
QQ：2881677436 复制
