【K9W4G08U1MK9K2G08Q0MK9K2G08U0MK9W4G16U1MK9K2G16Q0M】,IC型号K9W4G16U1M,K9W4G16U1M PDF资料,K9W4G16U1M经销商,ic,电子元器件-51电子网

K9W4G08U1M

K9K2G08Q0M

K9K2G08U0M

K9W4G16U1M

K9K2G16Q0M

K9K2G16U0M

FL灰内存

文档标题

256M ×8位/ 128M x 16位NAND闪存

修订历史

版本号

0.0

0.1

历史

1.初始发行

1. I

1.8V装置（R / B）的改变。

-min 。价值： 7毫安-->3mA

-typ 。价值： 8毫安-->4mA

草案日期

八月30.2001

11月5日2001年

备注

ADVANCE

初步

0.2

编号1.第五周期被改变

： 40H 44H -->

1.添加WSOP封装尺寸。

1.添加两个K9K2GXXU0M - YCB0 / YIB0堆叠封装

K9W4GXXU1M - YCB0 / YIB0 1.最小有效块被改变。

- 分。 4016 --> 4036

在K9W4GXXU1M每个K9K2GXXX0M芯片具有最大30

1月23日2002年

初步

0.3

0.4

0.5

五月。 29. 2002年

8月13日2 002

8月22日2002年

初步

0.6

十一月07. 2002年

初步

无效块。

2. K9W4GXXU1M “ ID被改变

（前）

设备

K9W4G08U1M

K9W4G16U1M

（后）

设备

K9W4G08U1M

K9W4G16U1M

第二个周期第3周期

DAH

CAH

第四轮

15h

55h

第5次循环

44h

11月22日2002年

初步

第二个周期第3周期

大昌行

CCH

第四周期第5周

15h

55h

4Ch

0.7

1.添加卢比VS TR ， TF &卢比VS ibusy图的1.8V器件（第36页）

2.添加了数据保护的Vcc guidence为1.8V器件 - 低于约

1.1V 。（第37页）

1分钟。 VCC值1.8V器件被改变。

K9K2GXXQ0M ： Vcc的1.65V 1.95V --> 1.70V 1.95V

0.8

三月6， 2003

初步

所附的数据表准备并批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。， LTD 。保留

右来改变规格。三星电子将评估和回复您的要求和有关设备的问题。如果您

有任何问题，请联系三星分公司附近的办公室。

K9W4G08U1M

K9K2G08Q0M

K9K2G08U0M

K9W4G16U1M

K9K2G16Q0M

K9K2G16U0M

FL灰内存

文档标题

256M ×8位/ 128M ×16位

NAND闪存

修订历史

版本号

0.9

历史

无铅封装添加。

K9K2G08U0M-FCB0,FIB0

K9K2G08Q0M-PCB0,PIB0

K9K2G08U0M-PCB0,PIB0

K9K2G16U0M-PCB0,PIB0

K9K2G16Q0M-PCB0,PIB0

K9W4G08U1M-PCB0,PIB0,ECB0,EIB0

K9W4G16U1M-PCB0,PIB0,ECB0,EIB0

勘误加入。（头版） -K9K2GXXQ0M

TWC TWP亿千瓦时的tRC tREH的激进党TREA TCEA

规范

45 25 15 50 15 25 30

宽松的值80 60 20 80 20 60 60

1.后90H号第3字节ID读命令是别在乎。

90H ID读命令之后第五个字节ID将被删除。

新的封装尺寸增加。（ K9W4GXXU1M - KXB0 / EXB0 ）

K9W4GXXU1M - YCB0 / YIB0 1.最小有效块被改变。

- 分。 4036 --> 4016

2.注意添加。

（ VIL可以下冲至-0.4V和VIH可以过冲至VCC + 0.4V的

20 ns以下的持续时间。）

草案日期

三月13.2003

备注

初步

1.0

三月17.2003

初步

1.1

四月9， 2003

初步

1.2

1.3

四月15， 2003

四月18， 2003

初步

1.4

AC参数发生改变， K9K2GXXQ0M

TWC TWP亿千瓦时的tRC tREH的激进党TREA TCEA

前45 25 15 50 15 25 30

后

80 60 20 80 20 60 60

1.增加了解决方案操作方法

1.添加在WSOP1 PKG图突起/伯尔值。

1. PKG （ TSOP1 ， WSOP1 ）尺寸变化

8月5日2003

初步

1.5

1.6

1.7

1月27日2004年

四月24， 2004

五月。 19. 2004年

所附的数据表准备并批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。， LTD 。保留

右来改变规格。三星电子将评估和回复您的要求和有关设备的问题。如果您

有任何问题，请联系三星分公司附近的办公室。

K9W4G08U1M

K9K2G08Q0M

K9K2G08U0M

K9W4G16U1M

K9K2G16Q0M

K9K2G16U0M

FL灰内存

256M ×8位/ 128M x 16位NAND闪存

产品列表

产品型号

K9K2G08Q0M-Y,P

K9K2G16Q0M-Y,P

K9XXG08UXM-Y,P,K,E

K9XXG16UXM-Y,P,K,E

K9K2G08U0M-V,F

2.7 ~ 3.6V

VCC范围

1.7 ~ 1.95V

组织

X16

WSOP1

TSOP1

PKG型

特点

电源

-1.8V设备（ K9K2GXXQ0M ）： 1.7V 1.95V

-3.3V设备（ K9XXGXXUXM ）： 2.7 V 3.6 V

组织

- 存储单元阵列

-X8设备（ K9K2G08X0M ）：（ 256M + 8,192K ）位x 8位

-X16设备（ K9K2G16X0M ）：（ 128M + 4,096K ）位x 16位

- 数据寄存器

-X8装置（ K9K2G08X0M ）：（ 2K + 64 ）比特x8bit

-X16装置（ K9K2G16X0M ）：（ 1K + 32）比特x16bit

- 缓存注册

-X8装置（ K9K2G08X0M ）：（ 2K + 64 ）比特x8bit

-X16装置（ K9K2G16X0M ）：（ 1K + 32）比特x16bit

自动编程和擦除

- 页编程

-X8装置（ K9K2G08X0M ）：（ 2K + 64 ）字节

-X16设备（ K9K2G16X0M ）：（ 1K + 32 ）字

- 块擦除

-X8设备（ K9K2G08X0M ）：（ 128K + 4K ）字节

-X16设备（ K9K2G16X0M ）：（ 64K + 2K ）字

页面读取操作

- 页面大小

- X8设备（ K9K2G08X0M ）： 2K字节

- X16设备（ K9K2G16X0M ）： 1K字

- 随机读取：在25μs （最大值）

- 串行访问

1.8V器件（ K9K2GXXQ0M ）： 80ns的（最小）。

3.3V器件（ K9XXGXXUXM ）：为50ns （最小值）。

快速写周期时间

- 计划时间： 300μS （典型值）

- 块擦除时间： 2毫秒（典型值）。

命令/地址/数据多路复用I / O端口

硬件数据保护

- 编程/擦除锁定在电源转换

可靠的CMOS浮栅技术

- 耐力： 100K编程/擦除周期

- 数据保存： 10年

命令寄存器操作

缓存的程序运行高性能程序

上电自动读取操作

智能复制回操作

独特的ID为版权保护

包装：

- K9K2GXXX0M - YCB0 / YIB0

48 - 引脚TSOP I（ 12 ×20 / 0.5 mm间距）

- K9K2G08U0M - VCB0 / VIB0

48 - 针WSOP I（ 12X17X0.7mm ）

- K9K2GXXX0M - PCB0 / PIB0

48 - 引脚TSOP I（ 12 ×20 / 0.5 mm间距） - 无铅封装

- K9K2G08U0M - FCB0 / FIB0

48 - 针WSOP I（ 12X17X0.7mm ） - 无铅封装

* K9K2G08U0M - V，F （ WSOPI ）是相同的设备

K9K2G08U0M -Y ， P（ TSOP1 ）除了封装类型。

- K9W4GXXU1M - YCB0 ， PCB0 / YIB0 ， PIB0 ：两个K9K2G08U0M

堆叠。

48 - 引脚TSOP I（ 12 ×20 / 0.5 mm间距）

- K9W4GXXU1M - KCB0 ， ECB0 / KIB0 ， EIB0 ：两个K9K2G08U0M

堆叠。

48 - 引脚TSOP I（ 12 ×17 / 0.5 mm间距）

概述

提供在256Mx8bit或128Mx16bit ，该K9K2GXXX0M是2G位有备用64M比特容量。它的NAND单元提供了最具成本

有效的解决方案为固态大容量存储市场。一个程序可以运行在典型的300μS在2112-进行

字节（X8设备）或1056字（ X16设备）页和擦除操作可在典型2ms的一个128K字节（X8设备）上执行

或64K字（ X16器件）模块。在数据页的数据可以被读出，在80ns的（1.8V器件）或为50ns （3.3V设备）每循环时间

字节（X8设备）或字（ X16的设备）。在I / O引脚作为地址和数据输入/输出以及命令输入的端口。

芯片上的写控制器自动完成所有的编程和擦除功能，包括脉冲重复，在必要时，和内部可核查

阳离子和数据的裕度。即使是写密集型系统可以采取K9K2GXXX0M的扩展可靠性的优势

100K计划/提供ECC （纠错码）与实时映射出的算法擦除周期。该K9K2GXXX0M是

对于大的非易失性存储应用的诸如固态存储文件和其他要求的便携式应用的最佳解决方案

非易失性。叠有两条2GB的超高密度解决方案有两个芯片选择也是标准TSOPI封装提供

年龄。

K9W4G08U1M

K9K2G08Q0M

K9K2G08U0M

K9W4G16U1M

K9K2G16Q0M

K9K2G16U0M

FL灰内存

引脚配置（ TSOP1 ）

K9K2GXXX0M-YCB0,PCB0/YIB0,PIB0

X16

N.C

R / B

N.C

VCC

VSS

N.C

CLE

ALE

N.C

R / B

N.C

VCC

VSS

N.C

CLE

ALE

N.C

I/O7

I/O6

I/O5

I/O4

N.C

PRE

VCC

VSS

N.C

I/O3

I/O2

I/O1

I/O0

N.C

X16

VSS

I/O15

I/O7

I/O14

I/O6

I/O13

I/O5

I/O12

I/O4

N.C

PRE

VCC

N.C

I/O11

I/O3

I/O10

I/O2

I/O9

I/O1

I/O8

I/O0

VSS

48引脚TSOP1

标准型

12毫米X 20毫米

包装尺寸

48 -PIN铅/铅免费塑料轻薄小本OUT直插式封装类型（I ）

48 - TSOP1 - 1220AF

单位：毫米/英寸

0.10

最大

0.004

#48

( 0.25 )

0.010

12.40

0.488 MAX

#24

#25

1.00

±0.05

0.039

±0.002

0.25

0.010 TYP

18.40

±0.10

0.724

±0.004

+0.075

20.00

±0.20

0.787

±0.008

0.20

-0.03

+0.07

0.008

-0.001

0.16

-0.03

+0.07

+0.003

0.50

0.0197

12.00

0.472

0.05

0.002 MIN

0.125

0.035

0~8°

0.45~0.75

0.018~0.030

( 0.50 )

0.020

0.005

-0.001

+0.003

1.20

0.047MAX

K9W4G08U1M

K9K2G08Q0M

K9K2G08U0M

K9W4G16U1M

K9K2G16Q0M

K9K2G16U0M

FL灰内存

引脚配置（ WSOP1 ）

K9K2G08U0M-VCB0,FCB0/VIB0,FIB0

N.C

DNU

N.C

R / B

DNU

N.C

VCC

VSS

N.C

DNU

CLE

ALE

N.C

DNU

N.C

DNU

N.C

I/O7

I/O6

I/O5

I/O4

N.C

DNU

N.C

VCC

VSS

N.C

DNU

N.C

I/O3

I/O2

I/O1

I/O0

N.C

DNU

N.C

包装尺寸

48 -PIN引脚塑料非常非常的轻薄小本OUT直插式封装类型（I ）

48 - WSOP1 - 1217F

单位：mm

0.70 MAX

15.40

±0.10

0.58

±0.04

+0.07

-0.03

#48

+0.07

-0.03

0.16

12.40MAX

12.00

±0.10

0.50TYP

(0.50

0.06)

0.20

#24

#25

(0.01Min)

0.10

+0.075

-0.035

0.45~0.75

17.00

±0.20

K9W4G08U1M

K9K2G08Q0M

K9K2G08U0M

K9W4G16U1M

K9K2G16Q0M

K9K2G16U0M

FL灰内存

文档标题

256M ×8位/ 128M x 16位NAND闪存

修订历史

版本号

0.0

0.1

历史

1.初始发行

1. I

1.8V装置（R / B）的改变。

-min 。价值： 7毫安-->3mA

-typ 。价值： 8毫安-->4mA

草案日期

八月30.2001

11月5日2001年

备注

ADVANCE

初步

0.2

编号1.第五周期被改变

： 40H 44H -->

1.添加WSOP封装尺寸。

1.添加两个K9K2GXXU0M - YCB0 / YIB0堆叠封装

K9W4GXXU1M - YCB0 / YIB0 1.最小有效块被改变。

- 分。 4016 --> 4036

在K9W4GXXU1M每个K9K2GXXX0M芯片具有最大30

1月23日2002年

初步

0.3

0.4

0.5

五月。 29. 2002年

8月13日2 002

8月22日2002年

初步

0.6

十一月07. 2002年

初步

无效块。

2. K9W4GXXU1M “ ID被改变

（前）

设备

K9W4G08U1M

K9W4G16U1M

（后）

设备

K9W4G08U1M

K9W4G16U1M

第二个周期第3周期

DAH

CAH

第四轮

15h

55h

第5次循环

44h

11月22日2002年

初步

第二个周期第3周期

大昌行

CCH

第四周期第5周

15h

55h

4Ch

0.7

1.添加卢比VS TR ， TF &卢比VS ibusy图的1.8V器件（第36页）

2.添加了数据保护的Vcc guidence为1.8V器件 - 低于约

1.1V 。（第37页）

1分钟。 VCC值1.8V器件被改变。

K9K2GXXQ0M ： Vcc的1.65V 1.95V --> 1.70V 1.95V

0.8

三月6， 2003

初步

所附的数据表准备并批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。， LTD 。保留

右来改变规格。三星电子将评估和回复您的要求和有关设备的问题。如果您

有任何问题，请联系三星分公司附近的办公室。

K9W4G08U1M

K9K2G08Q0M

K9K2G08U0M

K9W4G16U1M

K9K2G16Q0M

K9K2G16U0M

FL灰内存

文档标题

256M ×8位/ 128M ×16位

NAND闪存

修订历史

版本号

0.9

历史

无铅封装添加。

K9K2G08U0M-FCB0,FIB0

K9K2G08Q0M-PCB0,PIB0

K9K2G08U0M-PCB0,PIB0

K9K2G16U0M-PCB0,PIB0

K9K2G16Q0M-PCB0,PIB0

K9W4G08U1M-PCB0,PIB0,ECB0,EIB0

K9W4G16U1M-PCB0,PIB0,ECB0,EIB0

勘误加入。（头版） -K9K2GXXQ0M

TWC TWP亿千瓦时的tRC tREH的激进党TREA TCEA

规范

45 25 15 50 15 25 30

宽松的值80 60 20 80 20 60 60

1.后90H号第3字节ID读命令是别在乎。

90H ID读命令之后第五个字节ID将被删除。

新的封装尺寸增加。（ K9W4GXXU1M - KXB0 / EXB0 ）

K9W4GXXU1M - YCB0 / YIB0 1.最小有效块被改变。

- 分。 4036 --> 4016

2.注意添加。

（ VIL可以下冲至-0.4V和VIH可以过冲至VCC + 0.4V的

20 ns以下的持续时间。）

草案日期

三月13.2003

备注

初步

1.0

三月17.2003

初步

1.1

四月9， 2003

初步

1.2

1.3

四月15， 2003

四月18， 2003

初步

1.4

AC参数发生改变， K9K2GXXQ0M

TWC TWP亿千瓦时的tRC tREH的激进党TREA TCEA

前45 25 15 50 15 25 30

后

80 60 20 80 20 60 60

1.增加了解决方案操作方法

1.添加在WSOP1 PKG图突起/伯尔值。

1. PKG （ TSOP1 ， WSOP1 ）尺寸变化

8月5日2003

初步

1.5

1.6

1.7

1月27日2004年

四月24， 2004

五月。 19. 2004年

所附的数据表准备并批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。， LTD 。保留

右来改变规格。三星电子将评估和回复您的要求和有关设备的问题。如果您

有任何问题，请联系三星分公司附近的办公室。

K9W4G08U1M

K9K2G08Q0M

K9K2G08U0M

K9W4G16U1M

K9K2G16Q0M

K9K2G16U0M

FL灰内存

256M ×8位/ 128M x 16位NAND闪存

产品列表

产品型号

K9K2G08Q0M-Y,P

K9K2G16Q0M-Y,P

K9XXG08UXM-Y,P,K,E

K9XXG16UXM-Y,P,K,E

K9K2G08U0M-V,F

2.7 ~ 3.6V

VCC范围

1.7 ~ 1.95V

组织

X16

WSOP1

TSOP1

PKG型

特点

电源

-1.8V设备（ K9K2GXXQ0M ）： 1.7V 1.95V

-3.3V设备（ K9XXGXXUXM ）： 2.7 V 3.6 V

组织

- 存储单元阵列

-X8设备（ K9K2G08X0M ）：（ 256M + 8,192K ）位x 8位

-X16设备（ K9K2G16X0M ）：（ 128M + 4,096K ）位x 16位

- 数据寄存器

-X8装置（ K9K2G08X0M ）：（ 2K + 64 ）比特x8bit

-X16装置（ K9K2G16X0M ）：（ 1K + 32）比特x16bit

- 缓存注册

-X8装置（ K9K2G08X0M ）：（ 2K + 64 ）比特x8bit

-X16装置（ K9K2G16X0M ）：（ 1K + 32）比特x16bit

自动编程和擦除

- 页编程

-X8装置（ K9K2G08X0M ）：（ 2K + 64 ）字节

-X16设备（ K9K2G16X0M ）：（ 1K + 32 ）字

- 块擦除

-X8设备（ K9K2G08X0M ）：（ 128K + 4K ）字节

-X16设备（ K9K2G16X0M ）：（ 64K + 2K ）字

页面读取操作

- 页面大小

- X8设备（ K9K2G08X0M ）： 2K字节

- X16设备（ K9K2G16X0M ）： 1K字

- 随机读取：在25μs （最大值）

- 串行访问

1.8V器件（ K9K2GXXQ0M ）： 80ns的（最小）。

3.3V器件（ K9XXGXXUXM ）：为50ns （最小值）。

快速写周期时间

- 计划时间： 300μS （典型值）

- 块擦除时间： 2毫秒（典型值）。

命令/地址/数据多路复用I / O端口

硬件数据保护

- 编程/擦除锁定在电源转换

可靠的CMOS浮栅技术

- 耐力： 100K编程/擦除周期

- 数据保存： 10年

命令寄存器操作

缓存的程序运行高性能程序

上电自动读取操作

智能复制回操作

独特的ID为版权保护

包装：

- K9K2GXXX0M - YCB0 / YIB0

48 - 引脚TSOP I（ 12 ×20 / 0.5 mm间距）

- K9K2G08U0M - VCB0 / VIB0

48 - 针WSOP I（ 12X17X0.7mm ）

- K9K2GXXX0M - PCB0 / PIB0

48 - 引脚TSOP I（ 12 ×20 / 0.5 mm间距） - 无铅封装

- K9K2G08U0M - FCB0 / FIB0

48 - 针WSOP I（ 12X17X0.7mm ） - 无铅封装

* K9K2G08U0M - V，F （ WSOPI ）是相同的设备

K9K2G08U0M -Y ， P（ TSOP1 ）除了封装类型。

- K9W4GXXU1M - YCB0 ， PCB0 / YIB0 ， PIB0 ：两个K9K2G08U0M

堆叠。

48 - 引脚TSOP I（ 12 ×20 / 0.5 mm间距）

- K9W4GXXU1M - KCB0 ， ECB0 / KIB0 ， EIB0 ：两个K9K2G08U0M

堆叠。

48 - 引脚TSOP I（ 12 ×17 / 0.5 mm间距）

概述

提供在256Mx8bit或128Mx16bit ，该K9K2GXXX0M是2G位有备用64M比特容量。它的NAND单元提供了最具成本

有效的解决方案为固态大容量存储市场。一个程序可以运行在典型的300μS在2112-进行

字节（X8设备）或1056字（ X16设备）页和擦除操作可在典型2ms的一个128K字节（X8设备）上执行

或64K字（ X16器件）模块。在数据页的数据可以被读出，在80ns的（1.8V器件）或为50ns （3.3V设备）每循环时间

字节（X8设备）或字（ X16的设备）。在I / O引脚作为地址和数据输入/输出以及命令输入的端口。

芯片上的写控制器自动完成所有的编程和擦除功能，包括脉冲重复，在必要时，和内部可核查

阳离子和数据的裕度。即使是写密集型系统可以采取K9K2GXXX0M的扩展可靠性的优势

100K计划/提供ECC （纠错码）与实时映射出的算法擦除周期。该K9K2GXXX0M是

对于大的非易失性存储应用的诸如固态存储文件和其他要求的便携式应用的最佳解决方案

非易失性。叠有两条2GB的超高密度解决方案有两个芯片选择也是标准TSOPI封装提供

年龄。

K9W4G08U1M

K9K2G08Q0M

K9K2G08U0M

K9W4G16U1M

K9K2G16Q0M

K9K2G16U0M

FL灰内存

引脚配置（ TSOP1 ）

K9K2GXXX0M-YCB0,PCB0/YIB0,PIB0

X16

N.C

R / B

N.C

VCC

VSS

N.C

CLE

ALE

N.C

R / B

N.C

VCC

VSS

N.C

CLE

ALE

N.C

I/O7

I/O6

I/O5

I/O4

N.C

PRE

VCC

VSS

N.C

I/O3

I/O2

I/O1

I/O0

N.C

X16

VSS

I/O15

I/O7

I/O14

I/O6

I/O13

I/O5

I/O12

I/O4

N.C

PRE

VCC

N.C

I/O11

I/O3

I/O10

I/O2

I/O9

I/O1

I/O8

I/O0

VSS

48引脚TSOP1

标准型

12毫米X 20毫米

包装尺寸

48 -PIN铅/铅免费塑料轻薄小本OUT直插式封装类型（I ）

48 - TSOP1 - 1220AF

单位：毫米/英寸

0.10

最大

0.004

#48

( 0.25 )

0.010

12.40

0.488 MAX

#24

#25

1.00

±0.05

0.039

±0.002

0.25

0.010 TYP

18.40

±0.10

0.724

±0.004

+0.075

20.00

±0.20

0.787

±0.008

0.20

-0.03

+0.07

0.008

-0.001

0.16

-0.03

+0.07

+0.003

0.50

0.0197

12.00

0.472

0.05

0.002 MIN

0.125

0.035

0~8°

0.45~0.75

0.018~0.030

( 0.50 )

0.020

0.005

-0.001

+0.003

1.20

0.047MAX

K9W4G08U1M

K9K2G08Q0M

K9K2G08U0M

K9W4G16U1M

K9K2G16Q0M

K9K2G16U0M

FL灰内存

引脚配置（ WSOP1 ）

K9K2G08U0M-VCB0,FCB0/VIB0,FIB0

N.C

DNU

N.C

R / B

DNU

N.C

VCC

VSS

N.C

DNU

CLE

ALE

N.C

DNU

N.C

DNU

N.C

I/O7

I/O6

I/O5

I/O4

N.C

DNU

N.C

VCC

VSS

N.C

DNU

N.C

I/O3

I/O2

I/O1

I/O0

N.C

DNU

N.C

包装尺寸

48 -PIN引脚塑料非常非常的轻薄小本OUT直插式封装类型（I ）

48 - WSOP1 - 1217F

单位：mm

0.70 MAX

15.40

±0.10

0.58

±0.04

+0.07

-0.03

#48

+0.07

-0.03

0.16

12.40MAX

12.00

±0.10

0.50TYP

(0.50

0.06)

0.20

#24

#25

(0.01Min)

0.10

+0.075

-0.035

0.45~0.75

17.00

±0.20