K4S51153PF - Y（ P ）F
8M X 16Bit的×4银行移动SDRAM的54FBGA
特点
VDD / VDDQ = 1.8V / 1.8V 。
LVCMOS与复用地址兼容。
四家银行的操作。
MRS循环地址重点项目。
- 。 CAS延迟（1,2 & 3）。
- 。突发长度（1， 2，4， 8 &全页）。
- 。突发类型（顺序&交错） 。
EMRS周期地址重点项目。
所有输入进行采样，该系统的正向边沿
时钟。
突发读取单个位的写操作。
特殊功能的支持。
- 。 PASR （部分阵列自刷新） 。
- 。内部TCSR （温度补偿自刷新）
- 。 DS （驱动力）
DQM用于屏蔽。
自动刷新。
64ms的刷新周期（ 8K循环） 。
商业操作温度（ -25 ° C 70 ° C） 。
2 / CS支持。
54Balls FBGA （ -YXXX -Pb ， -PXXX -Pb免费） 。
移动SDRAM
概述
该K4S51153PF是536870912位同步高速数据
率动态RAM组织为4× 8,388,608字×16位，
制造与三星的高性能CMOS技
术。同步设计允许与精确的周期控制
使用系统时钟和I / O的交易可能在每个
时钟周期。工作频率范围，可编程
脉冲串的长度和可编程延迟允许相同
装置可用于各种高带宽和高性有用
formance存储器系统的应用程序。
订购信息
产品型号
K4S51153PF-Y(P)F75
K4S51153PF-Y(P)F90
K4S51153PF-Y(P)F1L
最大频率。
133MHz(CL=3),83MHz(CL=2)
111MHz(CL=3),83MHz(CL=2)
111MHz(CL=3)
*1
,66MHz(CL=2)
LVCMOS
54 FBGA铅
（无铅）
接口
包
- F：低功耗，商用温度（ -25 ° C 70 ° C）
注意事项：
1.对于40MHz的频率， CL1可以得到支持。
2.三星没有设计或制造用于在设备或系统，该系统是根据情况使用在人的生命是可能处于危险中。
请在三星电子考虑产品所包含的任何具体使用时，接触到存储器的营销团队
目的，如医疗，航空航天，核能，军工，汽车或海底中继器的使用。
地址配置
组织
32M X16
银行
BA0,BA1
ROW
A0 - A12
列地址
A0 - A8
1
2004年9月
K4S51153PF - Y（ P ）F
绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于V电压
ss
在V电压
DD
供应相对于V
ss
储存温度
功耗
短路电流
符号
V
IN
, V
OUT
V
DD
, V
DDQ
T
英镑
P
D
I
OS
价值
-1.0 ~ 2.6
-1.0 ~ 2.6
-55 ~ +150
1.0
50
移动SDRAM
单位
V
V
°C
W
mA
注意事项：
如果绝对最大额定值超出可能会造成永久性损坏设备。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
暴露于超过推荐的电压较高的时间过长可能会影响器件的可靠性。
直流工作条件
推荐工作条件（电压参考V
SS
= 0V ，T
A
= -25 70 ℃，商业）
参数
电源电压
V
DDQ
输入逻辑高电压
输入逻辑低电压
输出逻辑高电平
输出逻辑低电压
输入漏电流
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
LI
1.7
0.8× V
DDQ
-0.3
V
DDQ
-0.2
-
-2
1.8
1.8
0
-
-
-
1.95
V
DDQ
+ 0.3
0.3
-
0.2
2
V
V
V
V
V
uA
1
2
I
OH
= -0.1mA
I
OL
= 0.1毫安
3
符号
V
DD
民
1.7
典型值
1.8
最大
1.95
单位
V
记
注意事项：
1. VIH （最大值） = 2.2V AC.The过冲电压的持续时间是
≤
3ns.
2. VIL （分钟） = -1.0V交流。下冲电压持续时间
≤
3ns.
3.任何输入0V
≤
VIN
≤
VDDQ 。
输入漏电流包括高阻输出漏所有双向缓冲器，三态输出。
4. Dout为禁用， 0V
≤
VOUT
≤
VDDQ 。
电容
(V
DD
= 2.5V,
针
时钟
RAS ， CAS，WE ， CKE
CS
DQM
地址
DQ
0
？ DQ
15
T
A
= 23 ° C，F = 1MHz时， V
REF
=0.9V
±
50毫伏）
符号
C
CLK
C
IN
C
IN
C
IN
C
添加
C
OUT
民
3.0
3.0
1.5
3.0
3.0
6.0
最大
6.0
6.0
3.0
6.0
6.0
10.0
单位
pF
pF
pF
pF
pF
pF
记
4
2004年9月
K4S51153PF - Y（ P ）F
DC特性
移动SDRAM
推荐工作条件（电压参考V
SS
= 0V ，T
A
= -25 70 ℃，商业）
VERSION
参数
符号
测试条件
-75
工作电流
（一银行活动）
预充电待机电流在
掉电模式
突发长度= 1
t
RC
≥
t
RC
（分钟）
I
O
= 0毫安
CKE
≤
V
IL
（最大值），叔
CC
= 10ns的
-90
-1L
单位
记
I
CC1
60
55
50
mA
1
I
CC2
P
0.6
mA
0.6
20
mA
2
10
mA
2
40
mA
I
CC2
PS CKE & CLK
≤
V
IL
（最大值），叔
CC
=
∞
I
CC2
N
CKE
≥
V
IH
（分钟） ， CS
≥
V
IH
（分钟） ，T
CC
= 10ns的
输入信号时为20ns一次改变
预充电待机电流
在非掉电模式
CKE
≥
V
IH
（分钟） ， CLK
≤
V
IL
（最大值），叔
CC
=
∞
I
CC2
NS
输入信号是稳定的
I
CC3
P
CKE
≤
V
IL
（最大值），叔
CC
= 10ns的
主动待机电流
在掉电模式
I
CC3
PS CKE & CLK
≤
V
IL
（最大值），叔
CC
=
∞
I
CC3
N
CKE
≥
V
IH
（分钟） ， CS
≥
V
IH
（分钟） ，T
CC
= 10ns的
输入信号时为20ns一次改变
CKE
≥
V
IH
（分钟） ， CLK
≤
V
IL
（最大值），叔
CC
=
∞
输入信号是稳定的
I
O
= 0毫安
第一阵
4Banks激活
t
CCD
= 2CLKs
t
ARFC
≥
t
ARFC
（分钟）
TCSR范围
主动待机电流
在非掉电模式
（一银行活动）
I
CC3
NS
10
mA
工作电流
（突发模式）
I
CC
4
95
80
80
mA
1
刷新当前
I
CC
5
95
最多40
400
320
280
95
95
最高70
900
600
500
mA
°C
自刷新电流
I
CC
6
CKE
≤
0.2V
全阵列
全阵列的1/2
全阵列的1/4
uA
注意事项：
1.测量与产出开放。
2.除非另有说明，输入摆幅IeveI是CMOS （ VIH / VIL = VDDQ / VSSQ ） 。
5
2004年9月
K4S51153PF - Y（ P ）F
8M X 16Bit的×4银行移动SDRAM的54FBGA
特点
VDD / VDDQ = 1.8V / 1.8V 。
LVCMOS与复用地址兼容。
四家银行的操作。
MRS循环地址重点项目。
- 。 CAS延迟（1,2 & 3）。
- 。突发长度（1， 2，4， 8 &全页）。
- 。突发类型（顺序&交错） 。
EMRS周期地址重点项目。
所有输入进行采样，该系统的正向边沿
时钟。
突发读取单个位的写操作。
特殊功能的支持。
- 。 PASR （部分阵列自刷新） 。
- 。内部TCSR （温度补偿自刷新）
- 。 DS （驱动力）
DQM用于屏蔽。
自动刷新。
64ms的刷新周期（ 8K循环） 。
商业操作温度（ -25 ° C 70 ° C） 。
2 / CS支持。
54Balls FBGA （ -YXXX -Pb ， -PXXX -Pb免费） 。
移动SDRAM
概述
该K4S51153PF是536870912位同步高速数据
率动态RAM组织为4× 8,388,608字×16位，
制造与三星的高性能CMOS技
术。同步设计允许与精确的周期控制
使用系统时钟和I / O的交易可能在每个
时钟周期。工作频率范围，可编程
脉冲串的长度和可编程延迟允许相同
装置可用于各种高带宽和高性有用
formance存储器系统的应用程序。
订购信息
产品型号
K4S51153PF-Y(P)F75
K4S51153PF-Y(P)F90
K4S51153PF-Y(P)F1L
最大频率。
133MHz(CL=3),83MHz(CL=2)
111MHz(CL=3),83MHz(CL=2)
111MHz(CL=3)
*1
,66MHz(CL=2)
LVCMOS
54 FBGA铅
（无铅）
接口
包
- F：低功耗，商用温度（ -25 ° C 70 ° C）
注意事项：
1.对于40MHz的频率， CL1可以得到支持。
2.三星没有设计或制造用于在设备或系统，该系统是根据情况使用在人的生命是可能处于危险中。
请在三星电子考虑产品所包含的任何具体使用时，接触到存储器的营销团队
目的，如医疗，航空航天，核能，军工，汽车或海底中继器的使用。
地址配置
组织
32M X16
银行
BA0,BA1
ROW
A0 - A12
列地址
A0 - A8
1
2004年9月
K4S51153PF - Y（ P ）F
绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于V电压
ss
在V电压
DD
供应相对于V
ss
储存温度
功耗
短路电流
符号
V
IN
, V
OUT
V
DD
, V
DDQ
T
英镑
P
D
I
OS
价值
-1.0 ~ 2.6
-1.0 ~ 2.6
-55 ~ +150
1.0
50
移动SDRAM
单位
V
V
°C
W
mA
注意事项：
如果绝对最大额定值超出可能会造成永久性损坏设备。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
暴露于超过推荐的电压较高的时间过长可能会影响器件的可靠性。
直流工作条件
推荐工作条件（电压参考V
SS
= 0V ，T
A
= -25 70 ℃，商业）
参数
电源电压
V
DDQ
输入逻辑高电压
输入逻辑低电压
输出逻辑高电平
输出逻辑低电压
输入漏电流
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
LI
1.7
0.8× V
DDQ
-0.3
V
DDQ
-0.2
-
-2
1.8
1.8
0
-
-
-
1.95
V
DDQ
+ 0.3
0.3
-
0.2
2
V
V
V
V
V
uA
1
2
I
OH
= -0.1mA
I
OL
= 0.1毫安
3
符号
V
DD
民
1.7
典型值
1.8
最大
1.95
单位
V
记
注意事项：
1. VIH （最大值） = 2.2V AC.The过冲电压的持续时间是
≤
3ns.
2. VIL （分钟） = -1.0V交流。下冲电压持续时间
≤
3ns.
3.任何输入0V
≤
VIN
≤
VDDQ 。
输入漏电流包括高阻输出漏所有双向缓冲器，三态输出。
4. Dout为禁用， 0V
≤
VOUT
≤
VDDQ 。
电容
(V
DD
= 2.5V,
针
时钟
RAS ， CAS，WE ， CKE
CS
DQM
地址
DQ
0
？ DQ
15
T
A
= 23 ° C，F = 1MHz时， V
REF
=0.9V
±
50毫伏）
符号
C
CLK
C
IN
C
IN
C
IN
C
添加
C
OUT
民
3.0
3.0
1.5
3.0
3.0
6.0
最大
6.0
6.0
3.0
6.0
6.0
10.0
单位
pF
pF
pF
pF
pF
pF
记
4
2004年9月
K4S51153PF - Y（ P ）F
DC特性
移动SDRAM
推荐工作条件（电压参考V
SS
= 0V ，T
A
= -25 70 ℃，商业）
VERSION
参数
符号
测试条件
-75
工作电流
（一银行活动）
预充电待机电流在
掉电模式
突发长度= 1
t
RC
≥
t
RC
（分钟）
I
O
= 0毫安
CKE
≤
V
IL
（最大值），叔
CC
= 10ns的
-90
-1L
单位
记
I
CC1
60
55
50
mA
1
I
CC2
P
0.6
mA
0.6
20
mA
2
10
mA
2
40
mA
I
CC2
PS CKE & CLK
≤
V
IL
（最大值），叔
CC
=
∞
I
CC2
N
CKE
≥
V
IH
（分钟） ， CS
≥
V
IH
（分钟） ，T
CC
= 10ns的
输入信号时为20ns一次改变
预充电待机电流
在非掉电模式
CKE
≥
V
IH
（分钟） ， CLK
≤
V
IL
（最大值），叔
CC
=
∞
I
CC2
NS
输入信号是稳定的
I
CC3
P
CKE
≤
V
IL
（最大值），叔
CC
= 10ns的
主动待机电流
在掉电模式
I
CC3
PS CKE & CLK
≤
V
IL
（最大值），叔
CC
=
∞
I
CC3
N
CKE
≥
V
IH
（分钟） ， CS
≥
V
IH
（分钟） ，T
CC
= 10ns的
输入信号时为20ns一次改变
CKE
≥
V
IH
（分钟） ， CLK
≤
V
IL
（最大值），叔
CC
=
∞
输入信号是稳定的
I
O
= 0毫安
第一阵
4Banks激活
t
CCD
= 2CLKs
t
ARFC
≥
t
ARFC
（分钟）
TCSR范围
主动待机电流
在非掉电模式
（一银行活动）
I
CC3
NS
10
mA
工作电流
（突发模式）
I
CC
4
95
80
80
mA
1
刷新当前
I
CC
5
95
最多40
400
320
280
95
95
最高70
900
600
500
mA
°C
自刷新电流
I
CC
6
CKE
≤
0.2V
全阵列
全阵列的1/2
全阵列的1/4
uA
注意事项：
1.测量与产出开放。
2.除非另有说明，输入摆幅IeveI是CMOS （ VIH / VIL = VDDQ / VSSQ ） 。
5
2004年9月
QQ：2880707522 复制
