添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线：13692101218  13751165337
Pdf资料  |  热门库存  |  IC详细资料  |  网站地图
IC供应 PDF资料 非IC供应
51电子网联系电话：13692101218
首页
供应信息
求购信息
非IC专区
技术资料
电子资讯
招聘中心
会展信息 51旺铺 会员中心
位置：首页 > IC型号导航 > 首字符K型号页 > 首字符K的型号第115页 > K9K2G08Q0M-PIB0
K9K2G08U0M-VCB0,VIB0,FCB0,FIB0
K9K2G08Q0M-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0
K9K2G08U0M-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0
K9K2G16Q0M-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0
K9K2G16U0M-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0
FL灰内存
文档标题
256M ×8位/ 128M ×16位
NAND闪存
修订历史
版本号
0.0
0.1
历史
1.初始发行
1.
IO
1.8V器件的L（ R / B ）改变。
-min 。价值： 7毫安-->3mA
-typ 。价值： 8毫安-->4mA
草案日期
九月19.2001
11月5日2001年
备注
ADVANCE
0.2
编号1.第五周期被改变
： 40H 44H -->
一月23.2002
0.3
1.添加WSOP封装尺寸。
五月。 29.2002
0.4
1.8V / 3.3V器件1.最大ICC值被改变。
- 最大。值ICC1 ， ICC2 ， ICC3 ： 20毫安--> 30毫安（ 3.3V器件）
- 最大。值ICC1 ， ICC2 ， ICC3 ： 15毫安--> 20毫安（ 1.8V器件）
九月12.2002
0.5
1.添加卢比VS TR ， TF &卢比VS ibusy图的1.8V器件（第35页）
2.添加了数据保护的Vcc guidence为1.8V器件 - 低于约
1.1V 。 （第36页）
十一月22.2002
0.6
0.7
最小。 VCC值1.8V器件被改变。
K9K2GXXQ0M ： Vcc的1.65V 1.95V --> 1.70V 1.95V
无铅封装添加。
K9K2G08U0M-FCB0,FIB0
K9K2G08Q0M-PCB0,PIB0
K9K2G08U0M-PCB0,PIB0
K9K2G16U0M-PCB0,PIB0
K9K2G16Q0M-PCB0,PIB0
勘误加入。 （头版） -K9K2GXXQ0M
TWC TWP亿千瓦时的tRC tREH的激进党TREA TCEA
规范
45 25 15 50 15 25 30
45
宽松的值80 60 20 60 80 60 60
75
1.后90H号第3字节ID读命令是别在乎。
t
90H ID读命令之后第五个字节ID将被删除。
1.增加了解决方案操作方法
三月6.2003
三月13.2003
0.8
三月17.2003
0.9
1.0
四月9， 2003
1月27日2004年
所附的数据表准备并批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留
右来改变规格。三星电子将评估和回复您的要求和有关设备的问题。如果您
有任何问题，请联系三星分公司附近的办公室。
1
K9K2G08U0M-VCB0,VIB0,FCB0,FIB0
K9K2G08Q0M-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0
K9K2G08U0M-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0
K9K2G16Q0M-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0
K9K2G16U0M-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0
FL灰内存
文档标题
256M ×8位/ 128M ×16位
NAND闪存
修订历史
版本号
1.1
1.2
历史
1.添加在WSOP1 PKG图突起/伯尔值。
1. PKG （ TSOP1 ， WSOP1 ）尺寸变化
草案日期
四月24， 2004
五月。 19. 2004年
备注
所附的数据表准备并批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留
右来改变规格。三星电子将评估和回复您的要求和有关设备的问题。如果您
有任何问题，请联系三星分公司附近的办公室。
2
K9K2G08U0M-VCB0,VIB0,FCB0,FIB0
K9K2G08Q0M-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0
K9K2G08U0M-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0
K9K2G16Q0M-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0
K9K2G16U0M-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0
FL灰内存
256M ×8位/ 128M x 16位NAND闪存
产品列表
产品型号
K9K2G08Q0M-Y,P
K9K2G16Q0M-Y,P
K9K2G08U0M-Y,P
K9K2G16U0M-Y,P
K9K2G08U0M-V,F
2.7 ~ 3.6V
2.7 ~ 3.6V
VCC范围
1.70 ~ 1.95V
组织
X8
X16
X8
X16
X8
WSOP1
TSOP1
PKG型
特点
电源
-1.8V设备（ K9K2GXXQ0M ） ： 1.70V 1.95V
-3.3V设备（ K9K2GXXU0M ） ： 2.7 V 3.6 V
组织
- 存储单元阵列
-X8设备（ K9K2G08X0M ） ： （ 256M + 8,192K ）位x 8位
-X16设备（ K9K2G16X0M ） ： （ 128M + 4,096K ）位x 16位
- 数据寄存器
-X8装置（ K9K2G08X0M ）：（ 2K + 64 ）比特x8bit
-X16装置（ K9K2G16X0M ）：（ 1K + 32）比特x16bit
- 缓存注册
-X8装置（ K9K2G08X0M ）：（ 2K + 64 ）比特x8bit
-X16装置（ K9K2G16X0M ）：（ 1K + 32）比特x16bit
自动编程和擦除
- 页编程
-X8装置（ K9K2G08X0M ）：（ 2K + 64 ）字节
-X16设备（ K9K2G16X0M ） ： （ 1K + 32 ）字
- 块擦除
-X8设备（ K9K2G08X0M ） ： （ 128K + 4K ）字节
-X16设备（ K9K2G16X0M ） ： （ 64K + 2K ）字
页面读取操作
- 页面大小
- X8设备（ K9K2G08X0M ） ： 2K字节
- X16设备（ K9K2G16X0M ） ： 1K字
- 随机读取：在25μs （最大值）
- 串行访问：为50ns （最小值）
快速写周期时间
- 计划时间： 300μS （典型值）
- 块擦除时间： 2毫秒（典型值）。
命令/地址/数据多路复用I / O端口
硬件数据保护
- 编程/擦除锁定在电源转换
可靠的CMOS浮栅技术
- 耐力： 100K编程/擦除周期
- 数据保存： 10年
命令寄存器操作
缓存的程序运行高性能程序
上电自动读取操作
智能复制回操作
独特的ID为版权保护
包装：
- K9K2GXXX0M - YCB0 / YIB0
48 - 引脚TSOP I（ 12 ×20 / 0.5 mm间距）
- K9K2G08U0M - VCB0 / VIB0
48 - 针WSOP I（ 12X17X0.7mm ）
- K9K2GXXX0M - PCB0 / PIB0
48 - 引脚TSOP I（ 12 ×20 / 0.5 mm间距） - 无铅封装
- K9K2G08U0M - FCB0 / FIB0
48 - 针WSOP I（ 12X17X0.7mm ） - 无铅封装
* K9K2G08U0M - V，F （ WSOPI ）是相同的设备
K9K2G08U0M -Y ， P（ TSOP1 ）除了封装类型。
概述
提供在256Mx8bit或128Mx16bit ，该K9K2GXXX0M是2G位有备用64M比特容量。它的NAND单元提供了最具成本
有效的解决方案为固态大容量存储市场。一个程序可以运行在典型的300μS在2112-进行
字节（X8设备）或1056字（ X16设备）页和擦除操作可在典型2ms的一个128K字节（X8设备）上执行
或64K字（ X16器件）模块。在数据页的数据可在每字节50ns的周期时间被读出。在I / O引脚作为端口
地址和数据输入/输出以及命令输入。芯片上的写控制器自动完成所有的编程和擦除功能
包括脉冲重复，在必要时，和内部验证和数据的裕度。即使是写密集型系统可以
通过提供ECC （纠错码）与优势K9K2GXXX0M的扩展的100K计划的可靠性/擦除周期
实时映射出的算法。该K9K2GXXX0M为大的非易失性存储应用的诸如固体的最佳解决方案
状态文件存储等要求非挥发性便携式应用。
3
K9K2G08U0M-VCB0,VIB0,FCB0,FIB0
K9K2G08Q0M-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0
K9K2G08U0M-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0
K9K2G16Q0M-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0
K9K2G16U0M-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0
FL灰内存
引脚配置（ TSOP1 ）
K9K2GXXX0M-YCB0,PCB0/YIB0,PIB0
X16
N.C
N.C
N.C
N.C
N.C
N.C
R / B
RE
CE
N.C
N.C
VCC
VSS
N.C
N.C
CLE
ALE
WE
WP
N.C
N.C
N.C
N.C
N.C
X8
N.C
N.C
N.C
N.C
N.C
N.C
R / B
RE
CE
N.C
N.C
VCC
VSS
N.C
N.C
CLE
ALE
WE
WP
N.C
N.C
N.C
N.C
N.C
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
X8
N.C
N.C
N.C
N.C
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
N.C
N.C
PRE
VCC
VSS
N.C
N.C
N.C
I/O3
I/O2
I/O1
I/O0
N.C
N.C
N.C
N.C
X16
VSS
I/O15
I/O7
I/O14
I/O6
I/O13
I/O5
I/O12
I/O4
N.C
PRE
VCC
N.C
N.C
N.C
I/O11
I/O3
I/O10
I/O2
I/O9
I/O1
I/O8
I/O0
VSS
48引脚TSOP1
标准型
12毫米X 20毫米
包装尺寸
48 -PIN铅/铅免费塑料轻薄小本OUT直插式封装类型（I ）
48 - TSOP1 - 1220AF
单位：毫米/英寸
0.10
最大
0.004
#48
( 0.25 )
0.010
12.40
0.488 MAX
#24
#25
1.00
±0.05
0.039
±0.002
0.25
0.010 TYP
18.40
±0.10
0.724
±0.004
+0.075
20.00
±0.20
0.787
±0.008
0.20
-0.03
+0.07
#1
0.008
-0.001
0.16
-0.03
+0.07
+0.003
0.50
0.0197
12.00
0.472
0.05
0.002 MIN
0.125
0.035
0~8°
0.45~0.75
0.018~0.030
( 0.50 )
0.020
4
0.005
-0.001
+0.003
1.20
0.047MAX
K9K2G08U0M-VCB0,VIB0,FCB0,FIB0
K9K2G08Q0M-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0
K9K2G08U0M-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0
K9K2G16Q0M-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0
K9K2G16U0M-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0
FL灰内存
引脚配置（ WSOP1 ）
K9K2G08U0M-VCB0,FCB0/VIB0,FIB0
N.C
N.C
DNU
N.C
N.C
N.C
R / B
RE
CE
DNU
N.C
VCC
VSS
N.C
DNU
CLE
ALE
WE
WP
N.C
N.C
DNU
N.C
N.C
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
N.C
N.C
DNU
N.C
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
N.C
DNU
N.C
VCC
VSS
N.C
DNU
N.C
I/O3
I/O2
I/O1
I/O0
N.C
DNU
N.C
N.C
包装尺寸
48 -PIN引脚塑料非常非常的轻薄小本OUT直插式封装类型（I ）
48 - WSOP1 - 1217F
单位：mm
0.70 MAX
15.40
±0.10
0.58
±0.04
#1
+0.07
-0.03
#48
+0.07
-0.03
0.16
12.40MAX
12.00
±0.10
0.50TYP
(0.50
±
0.06)
0.20
#24
#25
(0.01Min)
0.10
+0.075
-0.035
8
°
0
°
~
0.45~0.75
17.00
±0.20
5
K9K2G08U0M-VCB0,VIB0,FCB0,FIB0
K9K2G08Q0M-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0
K9K2G08U0M-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0
K9K2G16Q0M-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0
K9K2G16U0M-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0
FL灰内存
文档标题
256M ×8位/ 128M ×16位
NAND闪存
修订历史
版本号
0.0
0.1
历史
1.初始发行
1.
IO
1.8V器件的L（ R / B ）改变。
-min 。价值： 7毫安-->3mA
-typ 。价值： 8毫安-->4mA
草案日期
九月19.2001
11月5日2001年
备注
ADVANCE
0.2
编号1.第五周期被改变
： 40H 44H -->
一月23.2002
0.3
1.添加WSOP封装尺寸。
五月。 29.2002
0.4
1.8V / 3.3V器件1.最大ICC值被改变。
- 最大。值ICC1 ， ICC2 ， ICC3 ： 20毫安--> 30毫安（ 3.3V器件）
- 最大。值ICC1 ， ICC2 ， ICC3 ： 15毫安--> 20毫安（ 1.8V器件）
九月12.2002
0.5
1.添加卢比VS TR ， TF &卢比VS ibusy图的1.8V器件（第35页）
2.添加了数据保护的Vcc guidence为1.8V器件 - 低于约
1.1V 。 （第36页）
十一月22.2002
0.6
0.7
最小。 VCC值1.8V器件被改变。
K9K2GXXQ0M ： Vcc的1.65V 1.95V --> 1.70V 1.95V
无铅封装添加。
K9K2G08U0M-FCB0,FIB0
K9K2G08Q0M-PCB0,PIB0
K9K2G08U0M-PCB0,PIB0
K9K2G16U0M-PCB0,PIB0
K9K2G16Q0M-PCB0,PIB0
勘误加入。 （头版） -K9K2GXXQ0M
TWC TWP亿千瓦时的tRC tREH的激进党TREA TCEA
规范
45 25 15 50 15 25 30
45
宽松的值80 60 20 60 80 60 60
75
1.后90H号第3字节ID读命令是别在乎。
t
90H ID读命令之后第五个字节ID将被删除。
1.增加了解决方案操作方法
三月6.2003
三月13.2003
0.8
三月17.2003
0.9
1.0
四月9， 2003
1月27日2004年
所附的数据表准备并批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留
右来改变规格。三星电子将评估和回复您的要求和有关设备的问题。如果您
有任何问题，请联系三星分公司附近的办公室。
1
K9K2G08U0M-VCB0,VIB0,FCB0,FIB0
K9K2G08Q0M-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0
K9K2G08U0M-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0
K9K2G16Q0M-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0
K9K2G16U0M-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0
FL灰内存
文档标题
256M ×8位/ 128M ×16位
NAND闪存
修订历史
版本号
1.1
1.2
历史
1.添加在WSOP1 PKG图突起/伯尔值。
1. PKG （ TSOP1 ， WSOP1 ）尺寸变化
草案日期
四月24， 2004
五月。 19. 2004年
备注
所附的数据表准备并批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留
右来改变规格。三星电子将评估和回复您的要求和有关设备的问题。如果您
有任何问题，请联系三星分公司附近的办公室。
2
K9K2G08U0M-VCB0,VIB0,FCB0,FIB0
K9K2G08Q0M-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0
K9K2G08U0M-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0
K9K2G16Q0M-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0
K9K2G16U0M-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0
FL灰内存
256M ×8位/ 128M x 16位NAND闪存
产品列表
产品型号
K9K2G08Q0M-Y,P
K9K2G16Q0M-Y,P
K9K2G08U0M-Y,P
K9K2G16U0M-Y,P
K9K2G08U0M-V,F
2.7 ~ 3.6V
2.7 ~ 3.6V
VCC范围
1.70 ~ 1.95V
组织
X8
X16
X8
X16
X8
WSOP1
TSOP1
PKG型
特点
电源
-1.8V设备（ K9K2GXXQ0M ） ： 1.70V 1.95V
-3.3V设备（ K9K2GXXU0M ） ： 2.7 V 3.6 V
组织
- 存储单元阵列
-X8设备（ K9K2G08X0M ） ： （ 256M + 8,192K ）位x 8位
-X16设备（ K9K2G16X0M ） ： （ 128M + 4,096K ）位x 16位
- 数据寄存器
-X8装置（ K9K2G08X0M ）：（ 2K + 64 ）比特x8bit
-X16装置（ K9K2G16X0M ）：（ 1K + 32）比特x16bit
- 缓存注册
-X8装置（ K9K2G08X0M ）：（ 2K + 64 ）比特x8bit
-X16装置（ K9K2G16X0M ）：（ 1K + 32）比特x16bit
自动编程和擦除
- 页编程
-X8装置（ K9K2G08X0M ）：（ 2K + 64 ）字节
-X16设备（ K9K2G16X0M ） ： （ 1K + 32 ）字
- 块擦除
-X8设备（ K9K2G08X0M ） ： （ 128K + 4K ）字节
-X16设备（ K9K2G16X0M ） ： （ 64K + 2K ）字
页面读取操作
- 页面大小
- X8设备（ K9K2G08X0M ） ： 2K字节
- X16设备（ K9K2G16X0M ） ： 1K字
- 随机读取：在25μs （最大值）
- 串行访问：为50ns （最小值）
快速写周期时间
- 计划时间： 300μS （典型值）
- 块擦除时间： 2毫秒（典型值）。
命令/地址/数据多路复用I / O端口
硬件数据保护
- 编程/擦除锁定在电源转换
可靠的CMOS浮栅技术
- 耐力： 100K编程/擦除周期
- 数据保存： 10年
命令寄存器操作
缓存的程序运行高性能程序
上电自动读取操作
智能复制回操作
独特的ID为版权保护
包装：
- K9K2GXXX0M - YCB0 / YIB0
48 - 引脚TSOP I（ 12 ×20 / 0.5 mm间距）
- K9K2G08U0M - VCB0 / VIB0
48 - 针WSOP I（ 12X17X0.7mm ）
- K9K2GXXX0M - PCB0 / PIB0
48 - 引脚TSOP I（ 12 ×20 / 0.5 mm间距） - 无铅封装
- K9K2G08U0M - FCB0 / FIB0
48 - 针WSOP I（ 12X17X0.7mm ） - 无铅封装
* K9K2G08U0M - V，F （ WSOPI ）是相同的设备
K9K2G08U0M -Y ， P（ TSOP1 ）除了封装类型。
概述
提供在256Mx8bit或128Mx16bit ，该K9K2GXXX0M是2G位有备用64M比特容量。它的NAND单元提供了最具成本
有效的解决方案为固态大容量存储市场。一个程序可以运行在典型的300μS在2112-进行
字节（X8设备）或1056字（ X16设备）页和擦除操作可在典型2ms的一个128K字节（X8设备）上执行
或64K字（ X16器件）模块。在数据页的数据可在每字节50ns的周期时间被读出。在I / O引脚作为端口
地址和数据输入/输出以及命令输入。芯片上的写控制器自动完成所有的编程和擦除功能
包括脉冲重复，在必要时，和内部验证和数据的裕度。即使是写密集型系统可以
通过提供ECC （纠错码）与优势K9K2GXXX0M的扩展的100K计划的可靠性/擦除周期
实时映射出的算法。该K9K2GXXX0M为大的非易失性存储应用的诸如固体的最佳解决方案
状态文件存储等要求非挥发性便携式应用。
3
K9K2G08U0M-VCB0,VIB0,FCB0,FIB0
K9K2G08Q0M-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0
K9K2G08U0M-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0
K9K2G16Q0M-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0
K9K2G16U0M-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0
FL灰内存
引脚配置（ TSOP1 ）
K9K2GXXX0M-YCB0,PCB0/YIB0,PIB0
X16
N.C
N.C
N.C
N.C
N.C
N.C
R / B
RE
CE
N.C
N.C
VCC
VSS
N.C
N.C
CLE
ALE
WE
WP
N.C
N.C
N.C
N.C
N.C
X8
N.C
N.C
N.C
N.C
N.C
N.C
R / B
RE
CE
N.C
N.C
VCC
VSS
N.C
N.C
CLE
ALE
WE
WP
N.C
N.C
N.C
N.C
N.C
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
X8
N.C
N.C
N.C
N.C
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
N.C
N.C
PRE
VCC
VSS
N.C
N.C
N.C
I/O3
I/O2
I/O1
I/O0
N.C
N.C
N.C
N.C
X16
VSS
I/O15
I/O7
I/O14
I/O6
I/O13
I/O5
I/O12
I/O4
N.C
PRE
VCC
N.C
N.C
N.C
I/O11
I/O3
I/O10
I/O2
I/O9
I/O1
I/O8
I/O0
VSS
48引脚TSOP1
标准型
12毫米X 20毫米
包装尺寸
48 -PIN铅/铅免费塑料轻薄小本OUT直插式封装类型（I ）
48 - TSOP1 - 1220AF
单位：毫米/英寸
0.10
最大
0.004
#48
( 0.25 )
0.010
12.40
0.488 MAX
#24
#25
1.00
±0.05
0.039
±0.002
0.25
0.010 TYP
18.40
±0.10
0.724
±0.004
+0.075
20.00
±0.20
0.787
±0.008
0.20
-0.03
+0.07
#1
0.008
-0.001
0.16
-0.03
+0.07
+0.003
0.50
0.0197
12.00
0.472
0.05
0.002 MIN
0.125
0.035
0~8°
0.45~0.75
0.018~0.030
( 0.50 )
0.020
4
0.005
-0.001
+0.003
1.20
0.047MAX
K9K2G08U0M-VCB0,VIB0,FCB0,FIB0
K9K2G08Q0M-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0
K9K2G08U0M-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0
K9K2G16Q0M-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0
K9K2G16U0M-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0
FL灰内存
引脚配置（ WSOP1 ）
K9K2G08U0M-VCB0,FCB0/VIB0,FIB0
N.C
N.C
DNU
N.C
N.C
N.C
R / B
RE
CE
DNU
N.C
VCC
VSS
N.C
DNU
CLE
ALE
WE
WP
N.C
N.C
DNU
N.C
N.C
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
N.C
N.C
DNU
N.C
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
N.C
DNU
N.C
VCC
VSS
N.C
DNU
N.C
I/O3
I/O2
I/O1
I/O0
N.C
DNU
N.C
N.C
包装尺寸
48 -PIN引脚塑料非常非常的轻薄小本OUT直插式封装类型（I ）
48 - WSOP1 - 1217F
单位：mm
0.70 MAX
15.40
±0.10
0.58
±0.04
#1
+0.07
-0.03
#48
+0.07
-0.03
0.16
12.40MAX
12.00
±0.10
0.50TYP
(0.50
±
0.06)
0.20
#24
#25
(0.01Min)
0.10
+0.075
-0.035
8
°
0
°
~
0.45~0.75
17.00
±0.20
5
查看更多K9K2G08Q0M-PIB0PDF信息
推荐型号
K6X1008C2D-GB70
KDZ100VW
KFW2G16D2M-DEB6
KF510BS
KBPC2514FW
KT872T51
KBP01M
KHC500E334M31N0T00
KV1870STL
KTA1021
KT8554B
KYP70
KW40-48S15
K24C080-RIRG-A
KIA7736S
KMB-001LEVALZ
KLNS500A1/4
KD14.4101.151
KM4132G271BTQR-10
K4H641638D-TCA0
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    K9K2G08Q0M-PIB0
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
北京人上科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：5645336 复制
电话：13910052844（微信同步）
联系人：刘先生
地址：海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
K9K2G08Q0M-PIB0
√ 欧美㊣品
▲10/11+
9555
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
查询更多K9K2G08Q0M-PIB0供应信息
深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功！