K9K1208U0A - YCB0 ， K9K1208U0A ， YIB0
文档标题
64M ×8位NAND闪存
修订历史
版本号
0.0
FL灰内存
历史
1.初始发行
- 改变/ SE （ 6号针脚，备用区使能）引脚连接到NC （未连接） 。
因此， / SE引脚别
T-关心，无论外部逻辑输入电平是
内部固定为低。
草案日期
2000年12月6日
备注
初步
0.1
在回写程序1.更改平面地址
2000年12月28日
-
A14,
飞机地址的源和目标网页的地址，必须是
相同。 = >
A14和A25 ，
面源地址和目的，
页地址必须是相同的。
1.此外，说明我们在引脚功能说明
- 在我们必须保持高电平时输出被激活。
2001年1月17日
最终科幻
0.2
注：欲了解更多详细的功能以及规格，包括常见问题解答，请参考三星的Flash网站。
s
http://www.intl.samsungsemi.com/Memory/Flash/datasheets.html
所附的数据表准备并批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留
右来改变规格。三星电子将评估和回复您的要求和有关设备的问题。如果您
有任何问题，请联系三星分公司附近的办公室。
1
K9K1208U0A - YCB0 ， K9K1208U0A ， YIB0
FL灰内存
64M ×8位NAND闪存
特点
电源电压： 2.7V 3.6V
组织
- 存储单元阵列： （ 64M + 2,048K ）位x 8位
- 数据寄存器： （ 512 + 16 ）位x8bit
自动编程和擦除
- 页编程： （ 512 + 16 ）字节
- 块擦除： （ 16K + 512 ）字节
528字节页读操作
- 随机存取： 10μs的（最大）
- 串行页访问： 60ns的（最小）
快速写周期时间
- 计划时间：为200μs （典型值）
- 块擦除时间： 2毫秒（典型值）。
命令/地址/数据多路复用I / O端口
硬件数据保护
- 编程/擦除锁定在电源转换
可靠的CMOS浮栅技术
- 耐力： 100K编程/擦除周期
- 数据保存： 10年
命令寄存器操作
包装：
- K9K1208U0A - YCB0 / YIB0 ：
48 - 引脚TSOP I（ 12 ×20 / 0.5 mm间距）
概述
该K9K1208U0A是64M （ 67,108,864 ） x8bit NAND闪存
内存备用2,048K （ 2,097,152 ） x8bit 。它的NAND单元
提供了用于将固态的最具成本效益的解决方案
海量存储市场。程序运行程序528-
在典型的字节页为200ps和擦除操作可以per-
形成典型的是16K字节的块为2ms 。在页数据
可在每字节60ns的周期时间被读出。在I / O引脚发球
作为用于地址和数据输入/输出端口以及的COM
命令的输入。芯片上的写控制器自动完成所有亲
克和擦除功能，包括脉冲重复，在那里
要求和内部验证和数据的裕度。即使是
写密集型系统可以利用的
K9K1208U0A的扩展的100K计划的可靠性/擦除
周期提供ECC （纠错码）与实时
映射出的算法。该K9K1208U0A - YCB0 / YIB0是
对于大型非易失性存储等应用的最佳解决方案
固态存储文件和其它便携式应用要求还
荷兰国际集团的非挥发性。
引脚配置
引脚说明
N.C
N.C
N.C
N.C
N.C
N.C
R / B
RE
CE
N.C
N.C
VCC
VSS
N.C
N.C
CLE
ALE
WE
WP
N.C
N.C
N.C
N.C
N.C
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48引脚TSOP1
标准型
12毫米X 20毫米
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
N.C
N.C
N.C
N.C
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
N.C
N.C
N.C
VCC
VSS
N.C
N.C
N.C
I/O3
I/O2
I/O1
I/O0
N.C
N.C
N.C
N.C
引脚名称
I / O
0
- I / O
7
CLE
ALE
CE
RE
WE
WP
R / B
V
CC
V
SS
N.C
引脚功能
数据输入/输出
命令锁存使能
地址锁存使能
芯片使能
读使能
写使能
写保护
READY / BUSY输出
动力
地
无连接
记
：将所有V
CC
和V
SS
每个设备共用电源输出的引脚。
不要让V
CC
或V
SS
断开。
2
K9K1208U0A - YCB0 ， K9K1208U0A ， YIB0
图1.功能框图
V
CC
V
SS
A
9
- A
25
X -缓冲器
锁存器
&解码器
Y型缓冲器
锁存器
&解码器
FL灰内存
512M + 16M码
NAND闪存
ARRAY
A
0
- A
7
（ 512 + 16 ）字节x 131072
页寄存器& S / A
A
8
命令
命令
注册
Y型GATING
I / O缓冲器&锁存器
V
CC
V
SS
I/0 0
I/0 7
CE
RE
WE
控制逻辑
&高压
发电机
全球缓冲区
产量
司机
CLE ALE WP
图2.阵列组织
1块= 32页
= （ 16K + 512 ）字节
128K的页面
（ = 4096块）
上半场页寄存器
（ = 256字节）
下半场页寄存器
（ = 256字节）
第1页= 528字节
1块= 528字节× 32页
= （ 16K + 512 ）字节
1设备= 528Bytes X 32Pages X 4096块
= 528兆位
8位
16字节
512B字节
页寄存器
512字节
16字节
I / O 0 I / O 7
I / O 0
第一个周期
第二个周期
第三轮
第四轮
A
0
A
9
A
17
A
25
I / O 1
A
1
A
10
A
18
*L
I / O 2
A
2
A
11
A
19
*L
I / O 3
A
3
A
12
A
20
*L
I / O 4
A
4
A
13
A
21
*L
I / O 5
A
5
A
14
A
22
*L
I / O 6
A
6
A
15
A
23
*L
I / O 7
A
7
A
16
A
24
*L
列地址
行地址
（页面地址）
记
：列地址：启动注册的地址。
00H命令（读） ：定义寄存器上半年的起始地址。
01H命令（读） ：定义寄存器下半年的起始地址。
* A
8
由00H或01H命令设置为"Low"或"High" 。
* L必须设置为"Low" 。
3
K9K1208U0A - YCB0 ， K9K1208U0A ， YIB0
产品介绍
FL灰内存
该K9K1208U0A是由528列组织为131,072行（页）一个528Mbit （ 553648218位）内存。备件16同事
UMNS位于从列地址为512 527阿528字节的数据寄存器连接到存储器单元阵列收容
在页面读取和页编程操作的I / O缓冲区和内存之间的数据传输。所述存储器阵列是由
16个单元被串联连接以形成NAND结构。每16个单元的驻留在不同的页面。块组成的
由两个与非结构形成的32页，共16个单元的8448的NAND结构。阵列组织示于图2 。
程序和读操作都在一个页面基础上执行的，而擦除操作以块为基础执行。该MEM-
储器阵列由4096个独立可擦除16K字节的块。它表明，逐位擦除操作被禁止的
K9K1208U0A.
该K9K1208U0A已地址复用为8个I / O的。该方案极大地减少引脚数量，并允许系统
升级到未来的密度维持在主板设计的一致性。命令，地址和数据都是通过写入
I / O的通过将WE低，而CE为低。数据锁定在WE的上升沿。命令锁存使能（ CLE ）和地址
锁存使能（ ALE ）用于复分别命令和地址，通过I / O引脚。所有命令都需要一个总线周期
除了块擦除命令，它需要两个周期：一个周期用于擦除设置和另一个块擦除后，执行
地址加载。在64M字节的物理空间要求26的地址，因此需要四个周期的字节级寻址：同事
UMN地址，低行地址和高的行地址，按照该顺序。页面读取和页编程需要四个相同的地址
以下周期所需的指令输入。在块擦除操作中，但是，只有3行地址周期被使用。设备
操作都是通过写入特定的命令到命令寄存器选择。表1定义的特定命令
K9K1208U0A.
表1.命令集
功能
阅读1
阅读2
读取ID
RESET
页编程
块擦除
阅读状态
1日。周期
00h/01h
(1)
50h
90h
FFH
80h
60h
70h
第2位。周期
-
-
-
-
10h
D0h
-
O
O
在繁忙接受命令
记
1. 00H命令定义启动寄存器上半年的地址。
该01H命令定义启动寄存器下半年的地址。
之后，由01H命令对寄存器的下半年数据存取，状态指针自动移动到上半场
寄存器（ 00h）时的下一个周期。
4
K9K1208U0A - YCB0 ， K9K1208U0A ， YIB0
引脚说明
命令锁存使能（ CLE ）
FL灰内存
在CLE输入控制用于发送到命令寄存器的命令的路径激活。当高电平有效，命令锁存
入命令寄存器通过上WE信号的上升沿，在I / O端口。
地址锁存使能（ ALE ）
在ALE的输入控制的激活路径为地址为内部地址寄存器。地址被锁存的上升沿
我们与ALE高。
芯片使能（ CE ）
行政长官输入设备选择控制。当CE变高的读出操作期间，设备将返回到待机模式。
然而，当设备处于忙状态期间的编程或擦除，CE高将被忽略，并且所述设备没有返回到
待机模式。
写使能（ WE）
在WE输入控制写入到I / O端口。命令，地址和数据被锁存，在WE脉冲的上升沿。
在我们必须保持高电平时输出被激活。
读使能（ RE ）
对RE输入是串行数据输出控制，并且当有源驱动器中的数据到I / O总线。数据是有效的吨
REA
下降沿之后
RE的这也加一内部列地址计数器。
I / O端口： I / O 0 I / O 7
在I / O引脚在读操作期间用于输入命令，地址和数据，并输出数据。在I / O引脚浮到高阻
当芯片被释放或当输出被禁止。
写保护（ WP ）
WP引脚提供了在电源转换无意的写/擦除保护。内置高压发生器复位时，
WP引脚为低电平有效。
就绪/忙（ R / B）
中的R / B输出指示设备操作的状态。当低，则表明一编程，擦除或随机读操作是
在过程中和完成后返回高电平状态。这是一个开漏输出，不浮到高阻状态时，芯片
被取消或输出被禁止。
5
K9K1208U0A - YCB0 ， K9K1208U0A ， YIB0
文档标题
64M ×8位NAND闪存
修订历史
版本号
0.0
FL灰内存
历史
1.初始发行
- 改变/ SE （ 6号针脚，备用区使能）引脚连接到NC （未连接） 。
因此， / SE引脚别
T-关心，无论外部逻辑输入电平是
内部固定为低。
草案日期
2000年12月6日
备注
初步
0.1
在回写程序1.更改平面地址
2000年12月28日
-
A14,
飞机地址的源和目标网页的地址，必须是
相同。 = >
A14和A25 ，
面源地址和目的，
页地址必须是相同的。
1.此外，说明我们在引脚功能说明
- 在我们必须保持高电平时输出被激活。
2001年1月17日
最终科幻
0.2
注：欲了解更多详细的功能以及规格，包括常见问题解答，请参考三星的Flash网站。
s
http://www.intl.samsungsemi.com/Memory/Flash/datasheets.html
所附的数据表准备并批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留
右来改变规格。三星电子将评估和回复您的要求和有关设备的问题。如果您
有任何问题，请联系三星分公司附近的办公室。
1
K9K1208U0A - YCB0 ， K9K1208U0A ， YIB0
FL灰内存
64M ×8位NAND闪存
特点
电源电压： 2.7V 3.6V
组织
- 存储单元阵列： （ 64M + 2,048K ）位x 8位
- 数据寄存器： （ 512 + 16 ）位x8bit
自动编程和擦除
- 页编程： （ 512 + 16 ）字节
- 块擦除： （ 16K + 512 ）字节
528字节页读操作
- 随机存取： 10μs的（最大）
- 串行页访问： 60ns的（最小）
快速写周期时间
- 计划时间：为200μs （典型值）
- 块擦除时间： 2毫秒（典型值）。
命令/地址/数据多路复用I / O端口
硬件数据保护
- 编程/擦除锁定在电源转换
可靠的CMOS浮栅技术
- 耐力： 100K编程/擦除周期
- 数据保存： 10年
命令寄存器操作
包装：
- K9K1208U0A - YCB0 / YIB0 ：
48 - 引脚TSOP I（ 12 ×20 / 0.5 mm间距）
概述
该K9K1208U0A是64M （ 67,108,864 ） x8bit NAND闪存
内存备用2,048K （ 2,097,152 ） x8bit 。它的NAND单元
提供了用于将固态的最具成本效益的解决方案
海量存储市场。程序运行程序528-
在典型的字节页为200ps和擦除操作可以per-
形成典型的是16K字节的块为2ms 。在页数据
可在每字节60ns的周期时间被读出。在I / O引脚发球
作为用于地址和数据输入/输出端口以及的COM
命令的输入。芯片上的写控制器自动完成所有亲
克和擦除功能，包括脉冲重复，在那里
要求和内部验证和数据的裕度。即使是
写密集型系统可以利用的
K9K1208U0A的扩展的100K计划的可靠性/擦除
周期提供ECC （纠错码）与实时
映射出的算法。该K9K1208U0A - YCB0 / YIB0是
对于大型非易失性存储等应用的最佳解决方案
固态存储文件和其它便携式应用要求还
荷兰国际集团的非挥发性。
引脚配置
引脚说明
N.C
N.C
N.C
N.C
N.C
N.C
R / B
RE
CE
N.C
N.C
VCC
VSS
N.C
N.C
CLE
ALE
WE
WP
N.C
N.C
N.C
N.C
N.C
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48引脚TSOP1
标准型
12毫米X 20毫米
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
N.C
N.C
N.C
N.C
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
N.C
N.C
N.C
VCC
VSS
N.C
N.C
N.C
I/O3
I/O2
I/O1
I/O0
N.C
N.C
N.C
N.C
引脚名称
I / O
0
- I / O
7
CLE
ALE
CE
RE
WE
WP
R / B
V
CC
V
SS
N.C
引脚功能
数据输入/输出
命令锁存使能
地址锁存使能
芯片使能
读使能
写使能
写保护
READY / BUSY输出
动力
地
无连接
记
：将所有V
CC
和V
SS
每个设备共用电源输出的引脚。
不要让V
CC
或V
SS
断开。
2
K9K1208U0A - YCB0 ， K9K1208U0A ， YIB0
图1.功能框图
V
CC
V
SS
A
9
- A
25
X -缓冲器
锁存器
&解码器
Y型缓冲器
锁存器
&解码器
FL灰内存
512M + 16M码
NAND闪存
ARRAY
A
0
- A
7
（ 512 + 16 ）字节x 131072
页寄存器& S / A
A
8
命令
命令
注册
Y型GATING
I / O缓冲器&锁存器
V
CC
V
SS
I/0 0
I/0 7
CE
RE
WE
控制逻辑
&高压
发电机
全球缓冲区
产量
司机
CLE ALE WP
图2.阵列组织
1块= 32页
= （ 16K + 512 ）字节
128K的页面
（ = 4096块）
上半场页寄存器
（ = 256字节）
下半场页寄存器
（ = 256字节）
第1页= 528字节
1块= 528字节× 32页
= （ 16K + 512 ）字节
1设备= 528Bytes X 32Pages X 4096块
= 528兆位
8位
16字节
512B字节
页寄存器
512字节
16字节
I / O 0 I / O 7
I / O 0
第一个周期
第二个周期
第三轮
第四轮
A
0
A
9
A
17
A
25
I / O 1
A
1
A
10
A
18
*L
I / O 2
A
2
A
11
A
19
*L
I / O 3
A
3
A
12
A
20
*L
I / O 4
A
4
A
13
A
21
*L
I / O 5
A
5
A
14
A
22
*L
I / O 6
A
6
A
15
A
23
*L
I / O 7
A
7
A
16
A
24
*L
列地址
行地址
（页面地址）
记
：列地址：启动注册的地址。
00H命令（读） ：定义寄存器上半年的起始地址。
01H命令（读） ：定义寄存器下半年的起始地址。
* A
8
由00H或01H命令设置为"Low"或"High" 。
* L必须设置为"Low" 。
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K9K1208U0A - YCB0 ， K9K1208U0A ， YIB0
产品介绍
FL灰内存
该K9K1208U0A是由528列组织为131,072行（页）一个528Mbit （ 553648218位）内存。备件16同事
UMNS位于从列地址为512 527阿528字节的数据寄存器连接到存储器单元阵列收容
在页面读取和页编程操作的I / O缓冲区和内存之间的数据传输。所述存储器阵列是由
16个单元被串联连接以形成NAND结构。每16个单元的驻留在不同的页面。块组成的
由两个与非结构形成的32页，共16个单元的8448的NAND结构。阵列组织示于图2 。
程序和读操作都在一个页面基础上执行的，而擦除操作以块为基础执行。该MEM-
储器阵列由4096个独立可擦除16K字节的块。它表明，逐位擦除操作被禁止的
K9K1208U0A.
该K9K1208U0A已地址复用为8个I / O的。该方案极大地减少引脚数量，并允许系统
升级到未来的密度维持在主板设计的一致性。命令，地址和数据都是通过写入
I / O的通过将WE低，而CE为低。数据锁定在WE的上升沿。命令锁存使能（ CLE ）和地址
锁存使能（ ALE ）用于复分别命令和地址，通过I / O引脚。所有命令都需要一个总线周期
除了块擦除命令，它需要两个周期：一个周期用于擦除设置和另一个块擦除后，执行
地址加载。在64M字节的物理空间要求26的地址，因此需要四个周期的字节级寻址：同事
UMN地址，低行地址和高的行地址，按照该顺序。页面读取和页编程需要四个相同的地址
以下周期所需的指令输入。在块擦除操作中，但是，只有3行地址周期被使用。设备
操作都是通过写入特定的命令到命令寄存器选择。表1定义的特定命令
K9K1208U0A.
表1.命令集
功能
阅读1
阅读2
读取ID
RESET
页编程
块擦除
阅读状态
1日。周期
00h/01h
(1)
50h
90h
FFH
80h
60h
70h
第2位。周期
-
-
-
-
10h
D0h
-
O
O
在繁忙接受命令
记
1. 00H命令定义启动寄存器上半年的地址。
该01H命令定义启动寄存器下半年的地址。
之后，由01H命令对寄存器的下半年数据存取，状态指针自动移动到上半场
寄存器（ 00h）时的下一个周期。
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K9K1208U0A - YCB0 ， K9K1208U0A ， YIB0
引脚说明
命令锁存使能（ CLE ）
FL灰内存
在CLE输入控制用于发送到命令寄存器的命令的路径激活。当高电平有效，命令锁存
入命令寄存器通过上WE信号的上升沿，在I / O端口。
地址锁存使能（ ALE ）
在ALE的输入控制的激活路径为地址为内部地址寄存器。地址被锁存的上升沿
我们与ALE高。
芯片使能（ CE ）
行政长官输入设备选择控制。当CE变高的读出操作期间，设备将返回到待机模式。
然而，当设备处于忙状态期间的编程或擦除，CE高将被忽略，并且所述设备没有返回到
待机模式。
写使能（ WE）
在WE输入控制写入到I / O端口。命令，地址和数据被锁存，在WE脉冲的上升沿。
在我们必须保持高电平时输出被激活。
读使能（ RE ）
对RE输入是串行数据输出控制，并且当有源驱动器中的数据到I / O总线。数据是有效的吨
REA
下降沿之后
RE的这也加一内部列地址计数器。
I / O端口： I / O 0 I / O 7
在I / O引脚在读操作期间用于输入命令，地址和数据，并输出数据。在I / O引脚浮到高阻
当芯片被释放或当输出被禁止。
写保护（ WP ）
WP引脚提供了在电源转换无意的写/擦除保护。内置高压发生器复位时，
WP引脚为低电平有效。
就绪/忙（ R / B）
中的R / B输出指示设备操作的状态。当低，则表明一编程，擦除或随机读操作是
在过程中和完成后返回高电平状态。这是一个开漏输出，不浮到高阻状态时，芯片
被取消或输出被禁止。
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K9K1208U0A - YCB0 ， K9K1208U0A ， YIB0
文档标题
64M ×8位NAND闪存
修订历史
版本号
0.0
FL灰内存
历史
1.初始发行
- 改变/ SE （ 6号针脚，备用区使能）引脚连接到NC （未连接） 。
因此， / SE引脚别
T-关心，无论外部逻辑输入电平是
内部固定为低。
草案日期
2000年12月6日
备注
初步
0.1
在回写程序1.更改平面地址
2000年12月28日
-
A14,
飞机地址的源和目标网页的地址，必须是
相同。 = >
A14和A25 ，
面源地址和目的，
页地址必须是相同的。
1.此外，说明我们在引脚功能说明
- 在我们必须保持高电平时输出被激活。
2001年1月17日
最终科幻
0.2
注：欲了解更多详细的功能以及规格，包括常见问题解答，请参考三星的Flash网站。
s
http://www.intl.samsungsemi.com/Memory/Flash/datasheets.html
所附的数据表准备并批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留
右来改变规格。三星电子将评估和回复您的要求和有关设备的问题。如果您
有任何问题，请联系三星分公司附近的办公室。
1
K9K1208U0A - YCB0 ， K9K1208U0A ， YIB0
FL灰内存
64M ×8位NAND闪存
特点
电源电压： 2.7V 3.6V
组织
- 存储单元阵列： （ 64M + 2,048K ）位x 8位
- 数据寄存器： （ 512 + 16 ）位x8bit
自动编程和擦除
- 页编程： （ 512 + 16 ）字节
- 块擦除： （ 16K + 512 ）字节
528字节页读操作
- 随机存取： 10μs的（最大）
- 串行页访问： 60ns的（最小）
快速写周期时间
- 计划时间：为200μs （典型值）
- 块擦除时间： 2毫秒（典型值）。
命令/地址/数据多路复用I / O端口
硬件数据保护
- 编程/擦除锁定在电源转换
可靠的CMOS浮栅技术
- 耐力： 100K编程/擦除周期
- 数据保存： 10年
命令寄存器操作
包装：
- K9K1208U0A - YCB0 / YIB0 ：
48 - 引脚TSOP I（ 12 ×20 / 0.5 mm间距）
概述
该K9K1208U0A是64M （ 67,108,864 ） x8bit NAND闪存
内存备用2,048K （ 2,097,152 ） x8bit 。它的NAND单元
提供了用于将固态的最具成本效益的解决方案
海量存储市场。程序运行程序528-
在典型的字节页为200ps和擦除操作可以per-
形成典型的是16K字节的块为2ms 。在页数据
可在每字节60ns的周期时间被读出。在I / O引脚发球
作为用于地址和数据输入/输出端口以及的COM
命令的输入。芯片上的写控制器自动完成所有亲
克和擦除功能，包括脉冲重复，在那里
要求和内部验证和数据的裕度。即使是
写密集型系统可以利用的
K9K1208U0A的扩展的100K计划的可靠性/擦除
周期提供ECC （纠错码）与实时
映射出的算法。该K9K1208U0A - YCB0 / YIB0是
对于大型非易失性存储等应用的最佳解决方案
固态存储文件和其它便携式应用要求还
荷兰国际集团的非挥发性。
引脚配置
引脚说明
N.C
N.C
N.C
N.C
N.C
N.C
R / B
RE
CE
N.C
N.C
VCC
VSS
N.C
N.C
CLE
ALE
WE
WP
N.C
N.C
N.C
N.C
N.C
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48引脚TSOP1
标准型
12毫米X 20毫米
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
N.C
N.C
N.C
N.C
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
N.C
N.C
N.C
VCC
VSS
N.C
N.C
N.C
I/O3
I/O2
I/O1
I/O0
N.C
N.C
N.C
N.C
引脚名称
I / O
0
- I / O
7
CLE
ALE
CE
RE
WE
WP
R / B
V
CC
V
SS
N.C
引脚功能
数据输入/输出
命令锁存使能
地址锁存使能
芯片使能
读使能
写使能
写保护
READY / BUSY输出
动力
地
无连接
记
：将所有V
CC
和V
SS
每个设备共用电源输出的引脚。
不要让V
CC
或V
SS
断开。
2
K9K1208U0A - YCB0 ， K9K1208U0A ， YIB0
图1.功能框图
V
CC
V
SS
A
9
- A
25
X -缓冲器
锁存器
&解码器
Y型缓冲器
锁存器
&解码器
FL灰内存
512M + 16M码
NAND闪存
ARRAY
A
0
- A
7
（ 512 + 16 ）字节x 131072
页寄存器& S / A
A
8
命令
命令
注册
Y型GATING
I / O缓冲器&锁存器
V
CC
V
SS
I/0 0
I/0 7
CE
RE
WE
控制逻辑
&高压
发电机
全球缓冲区
产量
司机
CLE ALE WP
图2.阵列组织
1块= 32页
= （ 16K + 512 ）字节
128K的页面
（ = 4096块）
上半场页寄存器
（ = 256字节）
下半场页寄存器
（ = 256字节）
第1页= 528字节
1块= 528字节× 32页
= （ 16K + 512 ）字节
1设备= 528Bytes X 32Pages X 4096块
= 528兆位
8位
16字节
512B字节
页寄存器
512字节
16字节
I / O 0 I / O 7
I / O 0
第一个周期
第二个周期
第三轮
第四轮
A
0
A
9
A
17
A
25
I / O 1
A
1
A
10
A
18
*L
I / O 2
A
2
A
11
A
19
*L
I / O 3
A
3
A
12
A
20
*L
I / O 4
A
4
A
13
A
21
*L
I / O 5
A
5
A
14
A
22
*L
I / O 6
A
6
A
15
A
23
*L
I / O 7
A
7
A
16
A
24
*L
列地址
行地址
（页面地址）
记
：列地址：启动注册的地址。
00H命令（读） ：定义寄存器上半年的起始地址。
01H命令（读） ：定义寄存器下半年的起始地址。
* A
8
由00H或01H命令设置为"Low"或"High" 。
* L必须设置为"Low" 。
3
K9K1208U0A - YCB0 ， K9K1208U0A ， YIB0
产品介绍
FL灰内存
该K9K1208U0A是由528列组织为131,072行（页）一个528Mbit （ 553648218位）内存。备件16同事
UMNS位于从列地址为512 527阿528字节的数据寄存器连接到存储器单元阵列收容
在页面读取和页编程操作的I / O缓冲区和内存之间的数据传输。所述存储器阵列是由
16个单元被串联连接以形成NAND结构。每16个单元的驻留在不同的页面。块组成的
由两个与非结构形成的32页，共16个单元的8448的NAND结构。阵列组织示于图2 。
程序和读操作都在一个页面基础上执行的，而擦除操作以块为基础执行。该MEM-
储器阵列由4096个独立可擦除16K字节的块。它表明，逐位擦除操作被禁止的
K9K1208U0A.
该K9K1208U0A已地址复用为8个I / O的。该方案极大地减少引脚数量，并允许系统
升级到未来的密度维持在主板设计的一致性。命令，地址和数据都是通过写入
I / O的通过将WE低，而CE为低。数据锁定在WE的上升沿。命令锁存使能（ CLE ）和地址
锁存使能（ ALE ）用于复分别命令和地址，通过I / O引脚。所有命令都需要一个总线周期
除了块擦除命令，它需要两个周期：一个周期用于擦除设置和另一个块擦除后，执行
地址加载。在64M字节的物理空间要求26的地址，因此需要四个周期的字节级寻址：同事
UMN地址，低行地址和高的行地址，按照该顺序。页面读取和页编程需要四个相同的地址
以下周期所需的指令输入。在块擦除操作中，但是，只有3行地址周期被使用。设备
操作都是通过写入特定的命令到命令寄存器选择。表1定义的特定命令
K9K1208U0A.
表1.命令集
功能
阅读1
阅读2
读取ID
RESET
页编程
块擦除
阅读状态
1日。周期
00h/01h
(1)
50h
90h
FFH
80h
60h
70h
第2位。周期
-
-
-
-
10h
D0h
-
O
O
在繁忙接受命令
记
1. 00H命令定义启动寄存器上半年的地址。
该01H命令定义启动寄存器下半年的地址。
之后，由01H命令对寄存器的下半年数据存取，状态指针自动移动到上半场
寄存器（ 00h）时的下一个周期。
4
K9K1208U0A - YCB0 ， K9K1208U0A ， YIB0
引脚说明
命令锁存使能（ CLE ）
FL灰内存
在CLE输入控制用于发送到命令寄存器的命令的路径激活。当高电平有效，命令锁存
入命令寄存器通过上WE信号的上升沿，在I / O端口。
地址锁存使能（ ALE ）
在ALE的输入控制的激活路径为地址为内部地址寄存器。地址被锁存的上升沿
我们与ALE高。
芯片使能（ CE ）
行政长官输入设备选择控制。当CE变高的读出操作期间，设备将返回到待机模式。
然而，当设备处于忙状态期间的编程或擦除，CE高将被忽略，并且所述设备没有返回到
待机模式。
写使能（ WE）
在WE输入控制写入到I / O端口。命令，地址和数据被锁存，在WE脉冲的上升沿。
在我们必须保持高电平时输出被激活。
读使能（ RE ）
对RE输入是串行数据输出控制，并且当有源驱动器中的数据到I / O总线。数据是有效的吨
REA
下降沿之后
RE的这也加一内部列地址计数器。
I / O端口： I / O 0 I / O 7
在I / O引脚在读操作期间用于输入命令，地址和数据，并输出数据。在I / O引脚浮到高阻
当芯片被释放或当输出被禁止。
写保护（ WP ）
WP引脚提供了在电源转换无意的写/擦除保护。内置高压发生器复位时，
WP引脚为低电平有效。
就绪/忙（ R / B）
中的R / B输出指示设备操作的状态。当低，则表明一编程，擦除或随机读操作是
在过程中和完成后返回高电平状态。这是一个开漏输出，不浮到高阻状态时，芯片
被取消或输出被禁止。
5
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