K6R3024V1D
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128Kx24位高速CMOS静态RAM （ 3.3V工作）
工作在商用和工业温度范围。
对于AT&T
CMOS SRAM
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历史
设计，在规格
引脚配置修改（第2页）
添加时序图页68 ）
修改的读周期时序（ 2 ）
1 ）版本的变化给M到D
2) C
in
从20到15 pF的
3 ） 300国际刑事法院170毫安为9ns产品
从270 150mA电流为10ns的产品
从240到130毫安为为12ns产品
4 ） ISB （ TTL）从120到40毫安的所有产品
（ CMOS）从30到15毫安的所有产品
5） -9零件号更改为-09为9ns产品
从6ns的变化写入参数（ TDW ）来为5ns -10
最终规范发布
数据稿
十二月05. 2000
三月07. 2001年
四月。 04.2001
六月。 23.2001
备注
内部设计
初步
初步
初步
修订版0.4
1.0版
10月31日2001年
12月19日2001年
初步
最终科幻
所附的数据表准备并批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留随时更改的权利
规格。三星电子将评估并在该设备的参数回复您的要求和问题。如果您有任何问题，
请联系三星分支机构靠近你的办公室，电话或联系总部。
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修订版1.0
2001年12月
K6R3024V1D
对于AT&T
CMOS SRAM
128K ×24位高速CMOS静态RAM （ 3.3V工作）
特点
快速存取时间9,10,12ns
功耗
待机（ TTL）的
： 40毫安（最大）
（ CMOS ） ： 15毫安（最大）
操作K6R3024V1D -09 ： 170毫安（最大）
K6R3024V1D - 10 ： 150毫安（最大）
K6R3024V1D - 12 ： 130毫安（最大）
单3.3V电源
TTL兼容的输入和输出
全静态工作
- 无时钟或刷新要求
三态输出
中心电源/接地引脚配置
119 （ 7x17 ）引脚球栅阵列封装（ 14mmx22mm ）
工作在商用和工业温度范围。
概述
该K6R3024V1D是3145728位高速静态随机
存取记忆体由24位组织为131,072字。该
K6R3024V1D使用24通用输入和输出线，并且具有
输出使能引脚，工作比地址的访问速度更快
时间读周期。该设备采用了三星“制造
s
先进的CMOS工艺制造，并设计用于高速电路
技术。它特别适于在高密度的使用
高速系统的应用程序。该K6R3024V1D是三
在一个多层层叠子兆位静态RAM构建
施特拉特使用三个3.3V ， 128K x 8静态RAM封装在一个
球栅阵列（ BGA ） 。
引脚功能
引脚名称
A
0
- A
16
WE
引脚功能
地址输入
写使能
芯片选择
OUTPUT ENABLE
数据输入/输出
Power(+3.3v)
地
无连接
功能框图
A0-16
CS1
CS2
CS3
WE
OE
17
128K ×8 128K ×8 128K ×8
SRAM
SRAM
SRAM
8
I / O
0-7
8
I / O
8-15
8
I / O
16-23
CS
1
， CS
2
,
CS
3
OE
I / O
0
- I / O
23
V
CC
V
ss
NC
订购信息
K6R3024V1D-HC09/HC10/HC12
K6R3024V1D-HI09/HI10/HI12
商业温度。
工业级温度范围。
销刀豆网络gurations
（ TOP VIEW ）
K6R3024V1D
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
T
U
NC
NC
I / O
I / O
I / O
I / O
I / O
I / O
V
CC
I / O
I / O
I / O
I / O
I / O
I / O
NC
NC
2
A
A
NC
V
CC
V
ss
V
CC
V
ss
V
CC
V
ss
V
CC
V
ss
V
CC
V
ss
V
CC
NC
A
A
3
A
A
CS
2
V
ss
V
CC
V
ss
V
CC
V
ss
V
CC
V
ss
V
CC
V
ss
V
CC
V
ss
NC
A
A
4
A
CS
1
NC
V
ss
V
ss
V
ss
V
ss
V
ss
V
ss
V
ss
V
ss
V
ss
V
ss
V
ss
NC
WE
OE
5
A
A
CS
3
V
ss
V
CC
V
ss
V
CC
V
ss
V
CC
V
ss
V
CC
V
ss
V
CC
V
ss
NC
A
A
6
A
A
NC
V
CC
V
ss
V
CC
V
ss
V
CC
V
ss
V
CC
V
ss
V
CC
V
ss
V
CC
NC
A
A
7
NC
NC
I / O
I / O
I / O
I / O
I / O
I / O
V
CC
I / O
I / O
I / O
I / O
I / O
I / O
NC
NC
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修订版1.0
2001年12月
K6R3024V1D
绝对最大额定值*
参数
任何引脚相对于V电压
SS
在V电压
CC
供应相对于V
SS
功耗
储存温度
工作温度
广告
产业
符号
V
IN
, V
OUT
V
CC
P
d
T
英镑
T
A
T
A
等级
-0.5到4.6
-0.5到4.6
2
-65到150
0到70
-40到85
对于AT&T
CMOS SRAM
单位
V
V
W
°C
°C
°C
*
应力大于下"Absolute最大Ratings"可能会对设备造成永久性损坏。这是一个值仅为
该设备在这些或以上的本规范的经营部门所标明的任何其他条件的功能操作，是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
真值表
CS
1
H
X
X
L
L
L
CS
2
CS
3
X
X
H
L
L
L
OE
X
X
X
L
X
H
WE
X
X
X
H
L
H
模式
待机
待机
待机
读
写
输出禁用
I / O
高-Z
高-Z
高-Z
数据
OUT
数据
IN
高-Z
动力
待机
待机
待机
活跃
活跃
活跃
X
L
X
H
H
H
建议的直流工作条件
*(T
A
= 0 70℃ ）
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
V
CC
V
IH
V
IL
民
3.0
2.0
-0.3**
典型值
3.3
-
-
最大
3.6
V
CC
+0.3***
0.8
单位
V
V
V
*
以上参数也保证在工业级温度范围。
** V
IL
（最小值） = -2.0V交流转换器（脉冲宽度
≤
为8ns ），因为我
≤
20mA.
*** V
IH
（MAX） = V
CC
+ 2.0V交流转换器（脉冲宽度
≤
为8ns ），因为我
≤
20mA.
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修订版1.0
2001年12月
K6R3024V1D
参数
输入漏电流
输出漏电流
工作电流
符号
I
LI
I
LO
I
CC
V
IN
=V
ss
到V
CC
CS = V
IH
或OE = V
IH
或WE = V
IL
V
OUT
=V
SS
到V
CC
分钟。周期， 100 ％占空比
CS = V
白细胞介素，
V
IN
=V
IH
或V
白细胞介素，
I
OUT
=0mA
分钟。周期， CS = V
IH
-09
-10
-12
待机电流
I
SB
-09
-10
-12
I
SB1
F = 0MHz处， CS
≥V
CC
-0.2V,
V
IN
≥V
CC
-0.2V或V
IN
≤0.2V
-09
-10
-12
输出低电压电平
输出高电压电平
V
OL
V
OH
I
OL
=8mA
I
OH
=-4mA
测试条件
对于AT&T
CMOS SRAM
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
2.4
最大
6
2
170
150
130
40
40
40
15
15
15
0.4
-
单位
A
A
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
V
V
DC及经营特色*
(T
A
= 0至70℃ ， VCC = 3.3 ±0.3V ，除非另有规定）
*以上参数也保证在工业级温度范围。
* CS代表CS
1
， CS
2
和CS
3
本数据表中。 CS
2
为相反极性的CS
1
和CS
3.
电容*
(T
A
= 25 ° C，F = 1.0MHz的）
项
输入/输出电容
输入电容
*电容进行采样，而不是100 ％测试
符号
C
I / O
C
IN
测试条件
V
I / O
=0V
V
IN
=0V
民
-
-
最大
8
15
单位
pF
pF
AC测试条件*
(T
A
= 0至70℃ ， VCC = 3.3 ±0.3V ，除非另有规定）
参数
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序参考电平
输出负载
*以上参数也保证在工业级温度范围。
价值
0V至3.0V
3ns
1.5V
见下文
输出负载（ A）
输出负载（ B）
对于T
HZ
, t
LZ
, t
WHZ
, t
OW
, t
OLZ
＆放大器;牛逼
OHZ
R
L
= 50
V
L
= 1.5V
D
OUT
216
5pF*
+3.3V
319
D
OUT
Z
O
= 50
30pF*
*容性负载包含的所有组件
测试环境。
*包括范围和夹具电容
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修订版1.0
2001年12月
QQ：2880707522 复制
