【K9F6408U0B - TCB0 ， K9F6408U0B ， TIB0文档标题8M ×8位NAN】,IC型号K9F6408U0B-TCB0,K9F6408U0B-TCB0 PDF资料,K9F6408U0B-TCB0经销商,ic,电子元器件-51电子网

K9F6408U0B - TCB0 ， K9F6408U0B ， TIB0

文档标题

8M ×8位NAND闪存

FL灰内存

修订历史

修订历史号

0.0

首次发行。

1.更改耐力：百万-> 100K编程/擦除周期

草案日期

2000年7月17日

备注

初步

0.1

1.不要更改“护理模式在地址周期

二〇〇〇年十一月二十日

- * X可以是"High"或"Low" = > * L必须设置为"Low"

2.解释如何指针操作的工作细节。

3.更名为GND输入（引脚＃ 6 ）代的SE （引脚＃ 6 ）

- 该SE的输入控制所述备用区的访问。当SE是高的，

备用区不进行读取或编程访问。 SE是REC

ommended要被连接到GND或Vcc和不应该进行切换

在读取或编程。

= >连接该输入引脚连接到GND或设置为静态低状态，除非

连续读取模式不包括备用区使用。

4.更新tRST时间计时操作

- 如果复位指令（ FFH ）写在就绪状态下，器件进入

繁忙的最大5us的。

1.Powerup序列添加

：内部电路得到之前需要1μs的最小恢复时间

准备好所有的命令序列

~ 2.5V

0.2

7月25日。 2001年

≈

~ 2.5V

高

2.交流参数TCLR （ CLE到RE延迟，最小为50ns ）加入。

3. AC参数TAR1值： 100ns的-->为20ns

注：欲了解更多详细的功能以及规格，包括常见问题解答，请参考三星的Flash网站。

http://www.intl.samsungsemi.com/Memory/Flash/datasheets.html

所附的说明书准备和批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。， LTD 。保留随时更改的权利

规格。三星电子将评估和回复您的要求和有关设备的问题。如果您有任何疑问，请联系

三星分支机构靠近你。

≈

K9F6408U0B - TCB0 ， K9F6408U0B ， TIB0

8M ×8位NAND闪存

特点

电源电压： 2.7V 3.6V

组织

- 存储单元阵列：（ 8M + 256K ）位x 8位

- 数据寄存器：（ 512 + 16 ）位x8bit

自动编程和擦除

- 页编程：（ 512 + 16 ）字节

- 块擦除：（ 8K + 256 ）字节

528字节页读操作

- 随机存取： 10μs的（最大）

- 串行页面访问：为50ns （最小值）

快速写周期时间

- 计划时间：为200μs （典型值）

- 块擦除时间： 2毫秒（典型值）。

命令/地址/数据多路复用I / O端口

硬件数据保护

- 编程/擦除锁定在电源转换

可靠的CMOS浮栅技术

- 耐力： 100K编程/擦除周期

- 数据保存： 10年

命令寄存器操作

44 （ 40 ） - 引脚TSOP II型（ 400mil / 0.8 mm间距）

FL灰内存

概述

该K9F6408U0B是8M （ 8388608 ） x8bit NAND闪存存储器

储器与备用256K （ 262,144 ） x8bit 。它的NAND单元提供

为固态大容量存储最具成本效益的解决方案

市场。程序运行的程序在528字节页

典型为200ps和擦除操作可在典型进行

CAL 2MS一个8K字节的块。在页面的数据可以被读出

在每字节50ns的周期时间。在I / O引脚作为端口

地址和数据输入/输出以及命令输入。该

片上写控制器自动完成所有的编程和擦除功能

系统蒸发散包括脉冲重复，在需要时，以及内部

验证和数据的裕度。即使是写密集型系

电信设备制造商可以利用K9F6408U0B的扩展可靠的

100K的编程/擦除周期，提供ECC （错误的能力

纠错码）与实时映射出的算法。这些

算法已经在许多大容量存储已实施

应用程序，也备用16字节的页的总和

与其他512个字节可以由系统级的ECC被利用。

该K9F6408U0B是大的非易失性的最佳解决方案

存储应用，如固态文件存储，数字

录音笔，数码相机等便携式应用

系统蒸发散需要非易失性。

引脚配置

引脚说明

CLE

ALE

N.C

I/O0

I/O1

I/O2

I/O3

R / B

GND

N.C

引脚名称

I / O0 - I / O7

CLE

ALE

GND

R / B

N.C

引脚功能

数据输入/输出

命令锁存使能

地址锁存使能

芯片使能

读使能

写使能

写保护

GND输入启用备用区

READY / BUSY输出

动力

地

无连接

N.C

I/O7

I/O6

I/O5

I/O4

44 （40）， TSOP （II）的

标准型

记

：将所有V

和V

每个器件的引脚供电电源输出。

不要让V

或V

断开。

K9F6408U0B - TCB0 ， K9F6408U0B ， TIB0

图1.功能框图

- A

X -缓冲器

锁存器

&解码器

Y型缓冲器

锁存器

&解码器

Y型GATING

FL灰内存

下半场页面注册& S / A

64M + 2M位

NAND闪存

ARRAY

（ 512 + 16 ）字节x 16384

上半场页面注册& S / A

- A

命令

Y型GATING

I / O缓冲器&锁存器

控制逻辑

&高压

发电机

全球缓冲区

产量

司机

I/0 0

I/0 7

CLE ALE WP

图2.阵列组织

1块= 16页

= （ 8K + 256 ）字节

16K网页

（ = 1024块）

上半场页寄存器

（ = 256字节）

下半场页寄存器

（ = 256字节）

第1页= 528字节

1块= 528字节×16页

= （ 8K + 256 ）字节

1设备= 528字节x 16Pages ×1024块

= 66兆位

8位

16字节

512Byte

页寄存器

512字节

I / O 0 I / O 7

16字节

I / O 0

第一个周期

第二个周期

第三轮

I / O 1

I / O 2

I / O 3

I / O 4

I / O 5

I / O 6

I / O 7

列地址

行地址

（页面地址）

记

：列地址：启动注册的地址。

00H命令（读）：定义寄存器上半年的起始地址。

01H命令（读）：定义寄存器下半年的起始地址。

* A

由00H或01H命令设置为"Low"或"High" 。

* L必须设置为"Low" 。

*该设备将忽略地址周期比reguired任何额外的投入。

K9F6408U0B - TCB0 ， K9F6408U0B ， TIB0

产品介绍

FL灰内存

该K9F6408U0B是由528列组织为16,384行（页）一个66Mbit （ 69206016位）内存。备件16列

位于从列地址为512 527阿528字节的数据寄存器连接到存储器单元阵列容纳数据传输

之间在页面读取和页编程操作的I / O缓冲区和内存。存储器阵列由16个单元的那

串联连接以形成NAND结构。每16个单元的驻留在不同的页面。块包含16页，

一个NAND结构，共16个单元的4224 NAND结构的形成。阵列组织示于图2中。亲

克和读操作都在一个页面基础上执行的，而擦除操作以块为基础执行。在存储器阵列

由1024分别可擦除8K字节的块。它表示的点点滴滴擦除操作被禁止在K9F6408U0B 。

该K9F6408U0B具有复用为8个I / O的地址。该方案极大地减少引脚数量，并允许系统

升级到未来的密度维持在主板设计的一致性。命令，地址和数据都是通过写入

I / O的通过将WE低，而CE为低。数据锁定在WE的上升沿。命令锁存使能（ CLE ）和地址

锁存使能（ ALE ）用于复分别命令和地址，通过I / O引脚。所有命令都需要一个总线周期

除了块擦除命令，它需要两个周期：一个周期用于擦除设置和另一个块擦除后，执行

地址加载。在8M字节的物理空间要求23的地址，因此需要三个周期的字节级寻址：列

地址，低行地址和高的行地址，按照该顺序。页面读取和页编程所需要的相同的三个地址周期

以下所需的指令输入。在块擦除操作中，但是，仅在两个行地址周期被使用。

设备操作都通过写入特定的命令到命令寄存器选择。表1定义的特定命令

该K9F6408U0B 。

表1.命令集

功能

阅读1

阅读2

读取ID

RESET

页编程

块擦除

阅读状态

1日。周期

00h/01h

(1)

50h

(2)

90h

FFH

80h

60h

70h

第2位。周期

10h

D0h

在繁忙接受命令

记

1. 00H命令定义启动寄存器上半年的地址。

该01H命令定义启动寄存器下半年的地址。

之后，由01H命令对寄存器的下半年数据存取，状态指针

自动移动到下一个周期的前半寄存器（ 00H ）。

2. 50H命令只在GND输入（引脚＃ 40 ）为低电平。

小心

：任何未定义的命令输入被禁止的，除了表1中的上述命令集。

K9F6408U0B - TCB0 ， K9F6408U0B ， TIB0

引脚说明

命令锁存使能（ CLE ）

FL灰内存

在CLE输入控制用于发送到命令寄存器的命令的路径激活。当高电平有效，命令锁存

入命令寄存器通过上WE信号的上升沿，在I / O端口。

地址锁存使能（ ALE ）

在ALE的输入控制的激活路径为地址为内部地址寄存器。地址被锁存的上升沿

我们与ALE高。

芯片使能（ CE ）

行政长官输入设备选择控制。当CE变高的读出操作期间，设备将返回到待机模式。

然而，当设备处于忙状态期间的编程或擦除，CE高将被忽略，并且不返回该设备到待机

模式。

写使能（ WE）

在WE输入控制写入到I / O端口。命令，地址和数据被锁存，在WE脉冲的上升沿。

读使能（ RE ）

对RE输入是串行数据输出控制，并且当有源驱动器中的数据到I / O总线。数据是下降沿后有效TREA

RE的这也加一内部列地址计数器。

GND （引脚＃ 40 ）

连接该输入引脚连接到GND或设置为静态低状态，除非连续读取模式不包括备用区使用。

I / O端口： I / O 0 I / O 7

在I / O引脚在读操作期间用于输入命令，地址和数据，并输出数据。在I / O引脚浮到高阻

当芯片被释放或当输出被禁止。

写保护（ WP ）

WP引脚提供了在电源转换无意的写/擦除保护。内置高压发生器复位时，

WP引脚为低电平有效。

就绪/忙（ R / B）

中的R / B输出指示设备操作的状态。当低，则表明一编程，擦除或随机读操作是

在过程中和完成后返回高电平状态。这是一个开漏输出，不浮到高阻状态时，芯片

被取消或输出被禁止。