K9F3208W0A - TCB0 ， K9F3208W0A ， TIB0
文档标题
4M ×8位NAND闪存
FL灰内存
修订历史
修订历史号
0.0
0.1
首次发行。
数据手册， 1999
1.增加了CE的数据加载和读期间不在乎模式
0.2
1.修订的实时绘制出算法（参见技术说明）
2.删除擦除挂起/恢复模式
1.更改设备名称
- KM29W32000AT -> K9F3208W0A ， TCB0
- KM29W32000AIT -> K9F3208W0A ， TIB0
1.变更无效块（ S）发货之前标记的方法
- 该无效块（多个）的信息被写入所述第一或所述第二页
无效块（ S）与00H数据
--- >The无效块（ S）状态由备用的第6个字节定义
区。三星可确保无论是第一或每第2页
无效块
非FFH
在517中的列地址的数据。
2.改变SE引脚说明
- SE建议耦接到GND或Vcc和不应该
读或编程过程中切换。
1.Powerup序列添加
：内部电路得到之前需要1μs的最小恢复时间
准备好所有的命令序列
~ 2.5V
草案日期
1998年4月10日
1999年4月10日
备注
ADVANCE
1999年7月23日
0.3
1999年9月15日
0.4
2000年7月17日
0.5
2001年7月23日
≈
~ 2.5V
V
CC
高
WP
WE
2.交流参数TCLR （ CLE到RE延迟，最小为50ns ）加入。
3. AC参数TAR1值：为150ns -->为20ns
4， ＃ 40管脚名称： NSE --> GND
注：欲了解更多详细的功能以及规格，包括常见问题解答，请参考三星的Flash网站。
http://www.intl.samsungsemi.com/Memory/Flash/datasheets.html 。
所附的说明书准备和批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留权利
改变规格。三星电子将评估和回复您的要求和有关设备的问题。如果你有
有任何疑问，请联系三星分支机构靠近你。
≈
1
≈
1
K9F3208W0A - TCB0 ， K9F3208W0A ， TIB0
4M ×8位NAND闪存
特点
电源电压： 2.7V 5.5V
组织
- 存储单元阵列： （ 400 + 128K ）位x 8位
- 数据寄存器
： （ 512 + 16 ）位x8bit
自动编程和擦除
- 页编程： （ 512 + 16 ）字节
- 块擦除： （ 8K + 256 ）字节
- 状态寄存器
528字节页读操作
- 随机存取
：为10μs （最大值）
- 串行页面访问：为50ns （最小值）
快速写周期时间
- 计划时间
：为250μs （典型值）。
- 块擦除时间： 2毫秒（典型值）。
命令/地址/数据多路复用I / O端口
硬件数据保护
- 编程/擦除锁定在电源转换
可靠的CMOS浮栅技术
- 耐力： 100万编程/擦除周期
- 数据保存： 10年
命令寄存器操作
44 （ 40 ） - 引脚TSOP II型（ 400mil / 0.8 mm间距）
- 正向类型
FL灰内存
概述
该K9F3208W0A是4M （ 4,194,304 ） x8bit NAND闪存存储器
储器与备用128K （ 131,072 ） x8bit 。它的NAND单元提供
为固态大容量存储器的最具成本效益的解决方案
市场。程序运行的程序在528字节页
典型为250μs和擦除操作可在典型进行
CAL 2MS一个8K字节的块。
在页面的数据可以在每字节50ns的周期时间被读出。
在I / O引脚作为地址和数据输入/输出端口
把以及命令的输入。片上写入控制器
所有的自动编程和擦除系统功能，包括
脉冲重复，在必要时，和内部验证和
裕数据。即使是写密集型系统可以
优点的K9F3208W0A扩展可靠性的
百万程序/提供ECC （错误擦除周期Cor-
rection代码）与实时映射出的算法。该
K9F3208W0A是对于大的非易失性stor-的最佳解决方案
作为固态存储时代的应用，例如，数字语音
记录器，数字照相机等便携式应用
需要非易失性。
引脚配置
引脚说明
V
SS
CLE
ALE
WE
WP
N.C
N.C
N.C
N.C
N.C
N.C
N.C
N.C
N.C
N.C
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
V
CC
CE
RE
R / B
GND
N.C
N.C
N.C
N.C
N.C
N.C
N.C
N.C
N.C
N.C
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
V
CC
Q
引脚名称
I / O0 - I / O7
CLE
ALE
CE
RE
WE
WP
SE
R / B
GND
V
CC
V
CC
Q
V
SS
N.C
引脚功能
数据输入/输出
命令锁存使能
地址锁存使能
芯片使能
读使能
写使能
写保护
备用区启用
READY / BUSY输出
输入地
电源（ 2.7V 5.5V ）
输出黄油功率（ 2.7V 5.5V ）
地
无连接
44 （40）， TSOP （II）的
标准型
记
：将所有V
CC,
V
CC
Q和V
SS
每个器件的引脚供电电源输出。
不要让V
CC
或V
SS
断开。
2
K9F3208W0A - TCB0 ， K9F3208W0A ， TIB0
图1.功能框图
V
CC
V
SS
A
9
- A
21
X -缓冲器
锁存器
&解码器
Y型缓冲器
锁存器
&解码器
Y型GATING
FL灰内存
下半场页面注册& S / A
32M + 1M位
NAND闪存
ARRAY
（ 512 + 16 ）字节x 8192
上半场页面注册& S / A
A
0
- A
7
A
8
命令
命令
注册
Y型GATING
I / O缓冲器&锁存器
V
CC
Q
V
SS
I/0 0
I/0 7
CE
RE
WE
控制逻辑
&高压
发电机
全球缓冲区
产量
司机
CLE ALE WP
图2.阵列组织
1块= 16页
= （ 8K + 256 ）字节
32M ： 8K页面
（ = 512块）
上半场页寄存器
（ = 256字节）
下半场页寄存器
（ = 256字节）
第1页= 528字节
1块= 528 B ×16页
= （ 8K + 256 ）字节
1设备= 528Bytes X 16Pages ×512块
= 33兆位
8位
16Bytes
512Bytes
页寄存器
512Bytes
I / O 0 I / O 7
16Bytes
I / O 0
第一个周期
第二个周期
第三轮
A
0
A
9
A
17
I / O 1
A
1
A
10
A
18
I / O 2
A
2
A
11
A
19
I / O 3
A
3
A
12
A
20
I / O 4
A
4
A
13
A
21
I / O 5
A
5
A
14
*X
I / O 6
A
6
A
15
*X
I / O 7
A
7
A
16
*X
列地址
行地址
（页面地址）
记
：列地址：启动注册的地址。
00H命令（读） ：定义寄存器上半年的起始地址。
01H命令（读） ：定义了寄存器的下半年的sarting地址。
* A
8
由00H或01H命令设置为"Low"或"High" 。
* X可以是高还是低。
*该设备将忽略地址周期比reguired任何额外的投入。
3
K9F3208W0A - TCB0 ， K9F3208W0A ， TIB0
产品介绍
FL灰内存
该K9F3208W0A是由528列组织为8192行（页）一个33Mbit （ 34603008位）内存。备件16列
位于从列地址为512 527阿528字节的数据寄存器连接到存储器单元阵列容纳数据传输
在页面读取和页编程操作的I / O缓冲区和内存之间的FER 。存储器阵列由16个单元的
被串联连接以形成NAND结构。每16个单元的驻留在不同的页面。一个块由16
一个NAND结构形成页，共16个单元的4224 NAND结构。阵列组织示于图2中。
程序和读操作都在一个页面基础上执行的，而擦除操作以块为基础执行。在存储器阵列
由512个单独或分组擦除8K字节的块。它表明，逐位擦除操作被禁止的
K9F3208W0A.
该K9F3208W0A已地址复用为8个I / O的。该方案极大地减少引脚数量，并允许系统
升级到未来的密度维持在主板设计的一致性。命令，地址和数据都是通过写入
I / O的通过将WE低，而CE为低。数据锁定在WE的上升沿。命令锁存使能（ CLE ）和地址
锁存使能（ ALE ）用于复分别命令和地址，通过I / O引脚。所有命令都需要一个总线周期
除了块擦除命令，它需要两个周期：一个周期擦除设置和另一个块擦除后，执行
地址加载。在4M字节的物理空间要求22的地址，因此需要三个周期的字节级寻址：同事
UMN地址，低行地址和高的行地址，按照该顺序。页面读取和页编程需要同样的三个地址
以下周期所需的指令输入。在块擦除操作中，但是，仅在两个行地址周期被使用。
设备操作都通过写入特定的命令到命令寄存器选择。表1定义的特定命令
该K9F3208W0A 。
表1.命令集
功能
阅读1
阅读2
读取ID
RESET
页编程
块擦除
阅读状态
1日。周期
00h/01h
(1)
50h
(2)
90h
FFH
80h
60h
70h
第2位。周期
-
-
-
-
10h
D0h
-
O
O
在繁忙接受命令
记
1. 00H命令定义启动寄存器上半年的地址。
该01H命令定义启动寄存器下半年的地址。
经过对寄存器的01H命令下半年的数据访问，状态指针自动移动
以在下一个周期的第一半寄存器（ 00h）时。
2. 50H命令只当SE （引脚40 ）为低电平。
小心
：任何未定义的命令输入被禁止的，除了表1中的上述命令集。
4
K9F3208W0A - TCB0 ， K9F3208W0A ， TIB0
引脚说明
命令锁存使能（ CLE ）
FL灰内存
在CLE输入控制用于发送到命令寄存器的命令的路径激活。当高电平有效，命令锁存
入命令寄存器通过上WE信号的上升沿，在I / O端口。
地址锁存使能（ ALE ）
在ALE的输入控制的激活路径为地址为内部地址寄存器。地址被锁存的上升沿
我们与ALE高。
芯片使能（ CE ）
行政长官输入设备选择控制。当CE变高的读出操作期间，设备将返回到待机模式。
然而，当设备处于忙状态期间的编程或擦除，CE高将被忽略，并且不返回该设备到待机
模式。
写使能（ WE）
在WE输入控制写入到I / O端口。命令，地址和数据被锁存，在WE脉冲的上升沿。
读使能（ RE ）
对RE输入是串行数据输出控制，并且当有源驱动器中的数据到I / O总线。数据是下降沿后有效TREA
RE的这也加一内部列地址计数器。
备用区启用（ SE ）
在SE输入控制所述备用区的访问。当SE是高的，在备用区是未用于读取或编程访问。
SE的建议被连接到GND或Vcc和读或编程期间不应该进行切换。
I / O端口： I / O 0 I / O 7
在I / O引脚在读操作期间用于输入命令，地址和数据，并输出数据。在I / O引脚浮到高阻
当芯片被释放或当输出被禁止。
写保护（ WP ）
WP引脚提供了在电源转换无意的写/擦除保护。内置高压发生器复位时，
WP引脚为低电平有效。
就绪/忙（ R / B）
中的R / B输出指示设备操作的状态。当低，则表明一编程，擦除或随机读操作是
在过程中和完成后返回高电平状态。这是一个开漏输出，不浮到高阻状态时，芯片
被取消或输出被禁止。
电源线（V
CC
＆放大器; V
CCQ
)
在V
CCQ
为I / O接口逻辑电源。它是由电主电源线隔离（V
CC
= 2.7 5.5V ），支持5V
宽容的I / O与在V + 5V电源
CCQ
.
5
QQ：2881677436 复制
