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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符K型号页 > 首字符K的型号第209页 > K9F2G08Q0M
K9F2G08Q0M K9F2G16Q0M
K9F2G08U0M K9F2G16U0M
初步
FL灰内存
文档标题
256M ×8位/ 128M x 16位NAND闪存
修订历史
版本号
0.0
0.1
历史
1.初始发行
1.添加卢比VS TR ， TF &卢比VS Ibusy图的1.8V器件（第34页）
2.添加了数据保护的Vcc guidence为1.8V器件 - 低于约
1.1V 。 （第35页）
草案日期
九月19.2001
11月22日2002年
备注
ADVANCE
初步
0.2
最小。 VCC值1.8V器件被改变。
K9F2GXXQ0M ： Vcc的1.65V 1.95V --> 1.70V 1.95V
三月6.2003
初步
0.3
少的电流值发生变化。
前
K9F2GXXQ0M
典型值。
I
SB
2
I
LI
I
LO
后
K9F2GXXQ0M
典型值。
I
SB
2
I
LI
I
LO
10
-
-
马克斯。
50
±10
±10
20
-
-
马克斯。
100
±20
±20
四月2， 2003
单位：亿
K9F2GXXU0M
典型值。
20
-
-
马克斯。
100
±20
±20
初步
K9F2GXXU0M
典型值。
10
-
-
马克斯。
50
±10
±10
四月9， 2003
初步
0.4
1.后90H号第3字节ID读命令是别在乎。
t
90H ID读命令之后第五个字节ID将被删除。
2.注意添加。
（ VIL可以下冲至-0.4V和VIH可以过冲至VCC + 0.4V的
20 ns以下的持续时间。 ）
3.无铅封装添加。
K9F2G08Q0M-PCB0,PIB0
K9F2G08U0M-PCB0,PIB0
K9F2G16U0M-PCB0,PIB0
K9F2G16Q0M-PCB0,PIB0
所附的数据表准备并批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留
右来改变规格。三星电子将评估和回复您的要求和有关设备的问题。如果您
有任何问题，请联系三星分公司附近的办公室。
1
K9F2G08Q0M K9F2G16Q0M
K9F2G08U0M K9F2G16U0M
初步
FL灰内存
文档标题
256M ×8位/ 128M x 16位NAND闪存
修订历史
版本号
0.5
历史
1. AC参数K9F2G08U0M的值被改变。
项
t
WC
t
WP
t
WH
t
RC
t
RP
t
REH
t
REA
t
CEA
t
ADL
K9F2G08U0M
前
45
25
15
50
25
15
30
45
-
后
30
15
10
30
15
10
18
23
100
草案日期
四月22.2004
备注
初步
2.定义和设置的价值和保持时间都改变了。
项
t
CLS
t
CLH
t
CS
t
CH
t
ALS
t
ALH
t
DS
t
DH
K9F2G16U0M
K9F2GXXQ0M
25
10
35
10
25
10
20
10
K9F2G08U0M
10
5
15
5
10
5
10
5
3. tADL （地址为数据加载时间）被添加。
- tADL最小为100ns （第11页， 22 25 ）
-
tADL是从最后的地址周期的WE的上升沿的时间
第一循环的数据在程序运行在WE的上升沿。
4.增加解决方案的操作方法
0.6
1. PKG （ TSOP1 ， WSOP1 ）尺寸变化
五月。 19. 2004年
所附的数据表准备并批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留
右来改变规格。三星电子将评估和回复您的要求和有关设备的问题。如果您
有任何问题，请联系三星分公司附近的办公室。
2
K9F2G08Q0M K9F2G16Q0M
K9F2G08U0M K9F2G16U0M
初步
FL灰内存
256M ×8位/ 128M x 16位NAND闪存
产品列表
产品型号
K9F2G08Q0M-Y,P
K9F2G16Q0M-Y,P
K9F2G08U0M-Y,P
K9F2G16U0M-Y,P
2.7 ~ 3.6V
VCC范围
1.70 ~ 1.95V
组织
X8
X16
X8
X16
TSOP1
PKG型
特点
电源
-1.8V设备（ K9F2GXXQ0M ） ： 1.70V 1.95V
-3.3V设备（ K9F2GXXU0M ） ： 2.7 V 3.6 V
组织
- 存储单元阵列
-X8设备（ K9F2G08X0M ） ： （ 256M + 8,192K ）位x 8位
-X16设备（ K9F2G16X0M ） ： （ 128M + 4,096K ）位x 16位
- 数据寄存器
-X8装置（ K9F2G08X0M ）：（ 2K + 64 ）比特x8bit
-X16装置（ K9F2G16X0M ）：（ 1K + 32）比特x16bit
- 缓存注册
-X8装置（ K9F2G08X0M ）：（ 2K + 64 ）比特x8bit
-X16装置（ K9F2G16X0M ）：（ 1K + 32）比特x16bit
自动编程和擦除
- 页编程
-X8装置（ K9F2G08X0M ）：（ 2K + 64 ）字节
-X16设备（ K9F2G16X0M ） ： （ 1K + 32 ）字
- 块擦除
-X8设备（ K9F2G08X0M ） ： （ 128K + 4K ）字节
-X16设备（ K9F2G16X0M ） ： （ 64K + 2K ）字
页面读取操作
- 页面大小
- X8设备（ K9F2G08X0M ） ： 2K字节
- X16设备（ K9F2G16X0M ） ： 1K字
- 随机读取：在25μs （最大值）
- 串行访问：为50ns （最小值）
30ns的（最小， K9F2G08U0M只）
快速写周期时间
- 页编程时间： 300μS （典型值）
- 块擦除时间： 2毫秒（典型值）。
命令/地址/数据多路复用I / O端口
硬件数据保护
- 编程/擦除锁定在电源转换
可靠的CMOS浮栅技术
- 耐力： 100K编程/擦除周期
- 数据保存： 10年
命令寄存器操作
缓存的程序运行高性能程序
上电自动读取操作
智能复制回操作
独特的ID为版权保护
包装：
- K9F2GXXX0M - YCB0 / YIB0
48 - 引脚TSOP I（ 12 ×20 / 0.5 mm间距）
- K9F2GXXX0M - PCB0 / PIB0 ：无铅封装
48 - 引脚TSOP I（ 12 ×20 / 0.5 mm间距）
概述
提供在256Mx8bit或128Mx16bit ，该K9F2GXXX0M是2G位有备用64M比特容量。它的NAND单元提供了最具成本
有效的解决方案为固态大容量存储市场。一个程序可以运行在典型的300μS在2112-进行
字节（X8设备）或1056字（ X16设备）页和擦除操作可在典型2ms的一个128K字节（X8设备）上执行
或64K字（ X16器件）模块。在数据页的数据可以读出在50ns （ 30ns的，只有X8装置）周期时间每字节或字（ X16
装置） 。该I / O引脚作为地址和数据输入/输出以及命令输入的端口。片上写入控制器
所有的自动编程和擦除功能，包括脉冲重复，在必要时，和内部验证和数据的裕度。
即使是写密集型系统可以采取K9F2GXXX0M的扩展的100K计划的可靠性优势/擦除周期
提供ECC （纠错码）与实时映射出的算法。该K9F2GXXX0M是对于大的最佳解决方案
非易失性存储器的应用，如固态的文件存储和其他需要的非挥发性的便携式应用。
3
K9F2G08Q0M K9F2G16Q0M
K9F2G08U0M K9F2G16U0M
引脚配置（ TSOP1 ）
K9F2GXXX0M-YCB0,PCB0/YIB0,PIB0
X16
N.C
N.C
N.C
N.C
N.C
N.C
R / B
RE
CE
N.C
N.C
VCC
VSS
N.C
N.C
CLE
ALE
WE
WP
N.C
N.C
N.C
N.C
N.C
初步
FL灰内存
X8
N.C
N.C
N.C
N.C
N.C
N.C
R / B
RE
CE
N.C
N.C
VCC
VSS
N.C
N.C
CLE
ALE
WE
WP
N.C
N.C
N.C
N.C
N.C
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
X8
N.C
N.C
N.C
N.C
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
N.C
N.C
PRE
VCC
VSS
N.C
N.C
N.C
I/O3
I/O2
I/O1
I/O0
N.C
N.C
N.C
N.C
X16
VSS
I/O15
I/O7
I/O14
I/O6
I/O13
I/O5
I/O12
I/O4
N.C
PRE
VCC
N.C
N.C
N.C
I/O11
I/O3
I/O10
I/O2
I/O9
I/O1
I/O8
I/O0
VSS
48引脚TSOP1
标准型
12毫米X 20毫米
包装尺寸
48 -PIN铅/铅免费塑料轻薄小本OUT直插式封装类型（I ）
48 - TSOP1 - 1220AF
单位：毫米/英寸
0.10
最大
0.004
#48
( 0.25 )
0.010
12.40
0.488 MAX
#24
#25
1.00
±0.05
0.039
±0.002
0.25
0.010 TYP
18.40
±0.10
0.724
±0.004
+0.075
20.00
±0.20
0.787
±0.008
0.20
-0.03
+0.07
#1
0.008
-0.001
0.16
-0.03
+0.07
+0.003
0.50
0.0197
12.00
0.472
0.05
0.002 MIN
0.125
0.035
0~8°
0.45~0.75
0.018~0.030
( 0.50 )
0.020
4
0.005
-0.001
+0.003
1.20
0.047MAX
K9F2G08Q0M K9F2G16Q0M
K9F2G08U0M K9F2G16U0M
引脚说明
引脚名称
I / O
0
- I / O
7
(K9F2G08X0M)
I / O
0
- I / O
15
(K9F2G16X0M)
引脚功能
初步
FL灰内存
数据输入/输出
在I / O引脚在读操作期间用于输入命令，地址和数据，并输出数据。在I /
O管脚浮到高阻当芯片被取消或当输出被禁止。
的I / O8 I / O15仅用于X16结构的设备。由于命令输入和地址输入均为x8能操作
ATION ，I / O8 I / O15不被用来输入命令&地址。 I / O8 I / O15仅用于数据输入和使用
输出。
命令锁存使能
在CLE输入控制用于发送到命令寄存器的命令的激活路径。当高电平有效，
命令被锁存到通过上WE信号的上升沿，在I / O端口的命令寄存器。
地址锁存使能
在ALE的输入控制的激活路径为地址为内部地址寄存器。地址是
锁存WE与ALE高的上升沿。
芯片使能
行政长官输入设备选择控制。当设备处于忙状态时， CE的高被忽略，并且
该设备不返回到待机模式在编程或擦除操作。就在CE控制
读操作，请参阅“
对设备的操作页面read'section 。
读使能
对RE输入是串行数据输出控制，并且当有源驱动器中的数据到I / O总线。数据是有效的
RE的下降沿也加一内部列地址计数器后TREA 。
写使能
在WE输入控制写入到I / O端口。命令，地址和数据被锁存的上升沿
在WE脉冲。
写保护
WP引脚提供了在电源转换无意的写/擦除保护。内部高压
发生器复位时， WP引脚为低电平有效。
READY / BUSY输出
中的R / B输出指示设备操作的状态。当低，则表明一编程，擦除或
随机读取操作过程中和完成后返回高电平状态。这是一个漏极开路输出，
不浮到高阻状态时，芯片是取消或输出被禁止。
上电读使能
预控制开机时自动执行读操作。上电自动读取时启用
PRE引脚连接到VCC。
动力
V
CC
是用于设备的电源。
地
无连接
铅是没有内部连接。
CLE
ALE
CE
RE
WE
WP
R / B
PRE
VCC
VSS
N.C
记
：将所有V
CC
和V
SS
每个设备共用电源输出的引脚。
不要让V
CC
或V
SS
断开。
5
K9F2G08Q0M K9F2G16Q0M
K9F2G08U0M K9F2G16U0M
初步
FL灰内存
文档标题
256M ×8位/ 128M x 16位NAND闪存
修订历史
版本号
0.0
0.1
历史
1.初始发行
1.添加卢比VS TR ， TF &卢比VS Ibusy图的1.8V器件（第34页）
2.添加了数据保护的Vcc guidence为1.8V器件 - 低于约
1.1V 。 （第35页）
草案日期
九月19.2001
11月22日2002年
备注
ADVANCE
初步
0.2
最小。 VCC值1.8V器件被改变。
K9F2GXXQ0M ： Vcc的1.65V 1.95V --> 1.70V 1.95V
三月6.2003
初步
0.3
少的电流值发生变化。
前
K9F2GXXQ0M
典型值。
I
SB
2
I
LI
I
LO
后
K9F2GXXQ0M
典型值。
I
SB
2
I
LI
I
LO
10
-
-
马克斯。
50
±10
±10
20
-
-
马克斯。
100
±20
±20
四月2， 2003
单位：亿
K9F2GXXU0M
典型值。
20
-
-
马克斯。
100
±20
±20
初步
K9F2GXXU0M
典型值。
10
-
-
马克斯。
50
±10
±10
四月9， 2003
初步
0.4
1.后90H号第3字节ID读命令是别在乎。
t
90H ID读命令之后第五个字节ID将被删除。
2.注意添加。
（ VIL可以下冲至-0.4V和VIH可以过冲至VCC + 0.4V的
20 ns以下的持续时间。 ）
3.无铅封装添加。
K9F2G08Q0M-PCB0,PIB0
K9F2G08U0M-PCB0,PIB0
K9F2G16U0M-PCB0,PIB0
K9F2G16Q0M-PCB0,PIB0
所附的数据表准备并批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留
右来改变规格。三星电子将评估和回复您的要求和有关设备的问题。如果您
有任何问题，请联系三星分公司附近的办公室。
1
K9F2G08Q0M K9F2G16Q0M
K9F2G08U0M K9F2G16U0M
初步
FL灰内存
文档标题
256M ×8位/ 128M x 16位NAND闪存
修订历史
版本号
0.5
历史
1. AC参数K9F2G08U0M的值被改变。
项
t
WC
t
WP
t
WH
t
RC
t
RP
t
REH
t
REA
t
CEA
t
ADL
K9F2G08U0M
前
45
25
15
50
25
15
30
45
-
后
30
15
10
30
15
10
18
23
100
草案日期
四月22.2004
备注
初步
2.定义和设置的价值和保持时间都改变了。
项
t
CLS
t
CLH
t
CS
t
CH
t
ALS
t
ALH
t
DS
t
DH
K9F2G16U0M
K9F2GXXQ0M
25
10
35
10
25
10
20
10
K9F2G08U0M
10
5
15
5
10
5
10
5
3. tADL （地址为数据加载时间）被添加。
- tADL最小为100ns （第11页， 22 25 ）
-
tADL是从最后的地址周期的WE的上升沿的时间
第一循环的数据在程序运行在WE的上升沿。
4.增加解决方案的操作方法
0.6
1. PKG （ TSOP1 ， WSOP1 ）尺寸变化
五月。 19. 2004年
所附的数据表准备并批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留
右来改变规格。三星电子将评估和回复您的要求和有关设备的问题。如果您
有任何问题，请联系三星分公司附近的办公室。
2
K9F2G08Q0M K9F2G16Q0M
K9F2G08U0M K9F2G16U0M
初步
FL灰内存
256M ×8位/ 128M x 16位NAND闪存
产品列表
产品型号
K9F2G08Q0M-Y,P
K9F2G16Q0M-Y,P
K9F2G08U0M-Y,P
K9F2G16U0M-Y,P
2.7 ~ 3.6V
VCC范围
1.70 ~ 1.95V
组织
X8
X16
X8
X16
TSOP1
PKG型
特点
电源
-1.8V设备（ K9F2GXXQ0M ） ： 1.70V 1.95V
-3.3V设备（ K9F2GXXU0M ） ： 2.7 V 3.6 V
组织
- 存储单元阵列
-X8设备（ K9F2G08X0M ） ： （ 256M + 8,192K ）位x 8位
-X16设备（ K9F2G16X0M ） ： （ 128M + 4,096K ）位x 16位
- 数据寄存器
-X8装置（ K9F2G08X0M ）：（ 2K + 64 ）比特x8bit
-X16装置（ K9F2G16X0M ）：（ 1K + 32）比特x16bit
- 缓存注册
-X8装置（ K9F2G08X0M ）：（ 2K + 64 ）比特x8bit
-X16装置（ K9F2G16X0M ）：（ 1K + 32）比特x16bit
自动编程和擦除
- 页编程
-X8装置（ K9F2G08X0M ）：（ 2K + 64 ）字节
-X16设备（ K9F2G16X0M ） ： （ 1K + 32 ）字
- 块擦除
-X8设备（ K9F2G08X0M ） ： （ 128K + 4K ）字节
-X16设备（ K9F2G16X0M ） ： （ 64K + 2K ）字
页面读取操作
- 页面大小
- X8设备（ K9F2G08X0M ） ： 2K字节
- X16设备（ K9F2G16X0M ） ： 1K字
- 随机读取：在25μs （最大值）
- 串行访问：为50ns （最小值）
30ns的（最小， K9F2G08U0M只）
快速写周期时间
- 页编程时间： 300μS （典型值）
- 块擦除时间： 2毫秒（典型值）。
命令/地址/数据多路复用I / O端口
硬件数据保护
- 编程/擦除锁定在电源转换
可靠的CMOS浮栅技术
- 耐力： 100K编程/擦除周期
- 数据保存： 10年
命令寄存器操作
缓存的程序运行高性能程序
上电自动读取操作
智能复制回操作
独特的ID为版权保护
包装：
- K9F2GXXX0M - YCB0 / YIB0
48 - 引脚TSOP I（ 12 ×20 / 0.5 mm间距）
- K9F2GXXX0M - PCB0 / PIB0 ：无铅封装
48 - 引脚TSOP I（ 12 ×20 / 0.5 mm间距）
概述
提供在256Mx8bit或128Mx16bit ，该K9F2GXXX0M是2G位有备用64M比特容量。它的NAND单元提供了最具成本
有效的解决方案为固态大容量存储市场。一个程序可以运行在典型的300μS在2112-进行
字节（X8设备）或1056字（ X16设备）页和擦除操作可在典型2ms的一个128K字节（X8设备）上执行
或64K字（ X16器件）模块。在数据页的数据可以读出在50ns （ 30ns的，只有X8装置）周期时间每字节或字（ X16
装置） 。该I / O引脚作为地址和数据输入/输出以及命令输入的端口。片上写入控制器
所有的自动编程和擦除功能，包括脉冲重复，在必要时，和内部验证和数据的裕度。
即使是写密集型系统可以采取K9F2GXXX0M的扩展的100K计划的可靠性优势/擦除周期
提供ECC （纠错码）与实时映射出的算法。该K9F2GXXX0M是对于大的最佳解决方案
非易失性存储器的应用，如固态的文件存储和其他需要的非挥发性的便携式应用。
3
K9F2G08Q0M K9F2G16Q0M
K9F2G08U0M K9F2G16U0M
引脚配置（ TSOP1 ）
K9F2GXXX0M-YCB0,PCB0/YIB0,PIB0
X16
N.C
N.C
N.C
N.C
N.C
N.C
R / B
RE
CE
N.C
N.C
VCC
VSS
N.C
N.C
CLE
ALE
WE
WP
N.C
N.C
N.C
N.C
N.C
初步
FL灰内存
X8
N.C
N.C
N.C
N.C
N.C
N.C
R / B
RE
CE
N.C
N.C
VCC
VSS
N.C
N.C
CLE
ALE
WE
WP
N.C
N.C
N.C
N.C
N.C
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
X8
N.C
N.C
N.C
N.C
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
N.C
N.C
PRE
VCC
VSS
N.C
N.C
N.C
I/O3
I/O2
I/O1
I/O0
N.C
N.C
N.C
N.C
X16
VSS
I/O15
I/O7
I/O14
I/O6
I/O13
I/O5
I/O12
I/O4
N.C
PRE
VCC
N.C
N.C
N.C
I/O11
I/O3
I/O10
I/O2
I/O9
I/O1
I/O8
I/O0
VSS
48引脚TSOP1
标准型
12毫米X 20毫米
包装尺寸
48 -PIN铅/铅免费塑料轻薄小本OUT直插式封装类型（I ）
48 - TSOP1 - 1220AF
单位：毫米/英寸
0.10
最大
0.004
#48
( 0.25 )
0.010
12.40
0.488 MAX
#24
#25
1.00
±0.05
0.039
±0.002
0.25
0.010 TYP
18.40
±0.10
0.724
±0.004
+0.075
20.00
±0.20
0.787
±0.008
0.20
-0.03
+0.07
#1
0.008
-0.001
0.16
-0.03
+0.07
+0.003
0.50
0.0197
12.00
0.472
0.05
0.002 MIN
0.125
0.035
0~8°
0.45~0.75
0.018~0.030
( 0.50 )
0.020
4
0.005
-0.001
+0.003
1.20
0.047MAX
K9F2G08Q0M K9F2G16Q0M
K9F2G08U0M K9F2G16U0M
引脚说明
引脚名称
I / O
0
- I / O
7
(K9F2G08X0M)
I / O
0
- I / O
15
(K9F2G16X0M)
引脚功能
初步
FL灰内存
数据输入/输出
在I / O引脚在读操作期间用于输入命令，地址和数据，并输出数据。在I /
O管脚浮到高阻当芯片被取消或当输出被禁止。
的I / O8 I / O15仅用于X16结构的设备。由于命令输入和地址输入均为x8能操作
ATION ，I / O8 I / O15不被用来输入命令&地址。 I / O8 I / O15仅用于数据输入和使用
输出。
命令锁存使能
在CLE输入控制用于发送到命令寄存器的命令的激活路径。当高电平有效，
命令被锁存到通过上WE信号的上升沿，在I / O端口的命令寄存器。
地址锁存使能
在ALE的输入控制的激活路径为地址为内部地址寄存器。地址是
锁存WE与ALE高的上升沿。
芯片使能
行政长官输入设备选择控制。当设备处于忙状态时， CE的高被忽略，并且
该设备不返回到待机模式在编程或擦除操作。就在CE控制
读操作，请参阅“
对设备的操作页面read'section 。
读使能
对RE输入是串行数据输出控制，并且当有源驱动器中的数据到I / O总线。数据是有效的
RE的下降沿也加一内部列地址计数器后TREA 。
写使能
在WE输入控制写入到I / O端口。命令，地址和数据被锁存的上升沿
在WE脉冲。
写保护
WP引脚提供了在电源转换无意的写/擦除保护。内部高压
发生器复位时， WP引脚为低电平有效。
READY / BUSY输出
中的R / B输出指示设备操作的状态。当低，则表明一编程，擦除或
随机读取操作过程中和完成后返回高电平状态。这是一个漏极开路输出，
不浮到高阻状态时，芯片是取消或输出被禁止。
上电读使能
预控制开机时自动执行读操作。上电自动读取时启用
PRE引脚连接到VCC。
动力
V
CC
是用于设备的电源。
地
无连接
铅是没有内部连接。
CLE
ALE
CE
RE
WE
WP
R / B
PRE
VCC
VSS
N.C
记
：将所有V
CC
和V
SS
每个设备共用电源输出的引脚。
不要让V
CC
或V
SS
断开。
5
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