K9E2G08B0M
文档标题
256M x 8位NAND闪存
先进
FL灰内存
修订历史
修订历史号
0.0
0.1
草案日期
2004年11月8日
2004年11月22日
备注
先进
初步
首次发行。
的编程/擦除特性1.Note1添加
二，技术说明是改变
注：欲了解更多详细的功能以及规格，包括常见问题解答，请参考三星的Flash网站。
http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
所附的说明书准备和批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留权利
改变规格。三星电子将评估和回复您的要求和有关设备的问题。如果你有
有任何疑问，请联系三星分支机构靠近你。
1
K9E2G08B0M
先进
FL灰内存
256M x 8位NAND闪存
产品列表
产品型号
K9E2G08B0M-Y,P
K9E2G08B0M-V,F
VCC范围
2.5V ~ 2.9V
组织
X8
PKG型
TSOP1
WSOP1
特点
电源电压： 2.5V 2.9V
组织
- 存储单元阵列： （ 256M + 8,192K ）位× 8位
- 数据寄存器： （ 512 + 16 ）位× 8位
自动编程和擦除
- 页编程： （ 512 + 16 ）位× 8位
- 块擦除： （ 16K + 512 ）字节
页面读取操作
- 页面尺寸： （ 512 + 16 ）字节
- 随机存取
：为15μs （最大值）
- 串行页面访问：为50ns （最小值）
快速写周期时间
- 计划时间：为200μs （典型值）
- 块擦除时间： 2毫秒（典型值）。
命令/地址/数据多路复用I / O端口
硬件数据保护
- 编程/擦除锁定在电源转换
可靠的CMOS浮栅技术
- 耐力
： 100K编程/擦除周期
- 数据保存： 10年
命令寄存器操作
智能拷贝回
独特的ID为版权保护
包
- K9E2G08B0M - YCB0 / YIB0
48 - 引脚TSOP I（ 12 ×20 / 0.5 mm间距）
- K9E2G08B0M - VCB0 / VIB0
48 - 针WSOP I（ 12 ×17× 0.7毫米）
- K9E2G08B0M - PCB0 / PIB0
48 - 引脚TSOP I（ 12 ×20 / 0.5 mm间距） - 无铅封装
- K9E2G08B0M - FCB0 / FIB0
48 - 针WSOP I（ 12 ×17× 0.7毫米） - 无铅封装
一般DISCRIPTION
提供在256Mx8bits的K9E2G08B0M是2Gb的有备用64Mbit的能力。该器件采用2.7 Vcc的课程。它的NAND单元提供
最具成本效益的解决方案，为固态大容量存储市场。一个程序可以运行在典型的为200ps进行
的528字节和擦除操作可在一个16K字节块的典型2ms的执行。在页面的数据可以被读出，在
每字节50ns的周期时间。在I / O引脚作为地址和数据输入/输出以及命令输入的端口。片上
写控制自动完成所有的编程和擦除功能，包括脉冲重复，在必要时，和内部验证和马歇尔
gining数据。即使是写密集型系统可以采取K9E2G08B0M的扩展的100K计划的可靠性的优势/
通过提供ECC （纠错码）与实时映射出的算法擦除周期。
该K9E2G08B0M为大的非易失性存储应用的诸如固态存储文件和其他便携的最佳解决方案
应用程序需要非易失性。
2
K9E2G08B0M
引脚配置（ TSOP1 ）
K9E2G08B0M-YCB0,PCB0/YIB0,PIB0
N.C
N.C
N.C
N.C
N.C
N.C
R / B
RE
CE
N.C
N.C
VCC
VSS
N.C
N.C
CLE
ALE
WE
WP
N.C
N.C
N.C
N.C
N.C
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
N.C
N.C
N.C
N.C
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
N.C
N.C
N.C
VCC
VSS
N.C
N.C
N.C
I/O3
I/O2
I/O1
I/O0
N.C
N.C
N.C
N.C
先进
FL灰内存
包装尺寸
48 -PIN铅/铅免费塑料轻薄小本OUT直插式封装类型（I ）
48 - TSOP1 - 1220AF
单位：毫米/英寸
0.10
最大
0.004
#48
( 0.25 )
0.010
12.40
0.488 MAX
#24
#25
1.00
±0.05
0.039
±0.002
0.25
0.010 TYP
+0.075
20.00
±0.20
0.787
±0.008
0.20
-0.03
+0.07
#1
0.008
-0.001
0.16
-0.03
+0.07
+0.003
0.50
0.0197
12.00
0.472
0.05
0.002 MIN
0.125
0.035
0~8°
0.45~0.75
0.018~0.030
( 0.50 )
0.020
3
0.005
-0.001
+0.003
18.40
±0.10
0.724
±0.004
1.20
0.047MAX
K9E2G08B0M
引脚配置（ WSOP1 ）
K9E2G08B0M-VCB0,FCB0/VIB0,FIB0
N.C
N.C
DNU
N.C
N.C
N.C
R / B
RE
CE
DNU
N.C
VCC
VSS
N.C
DNU
CLE
ALE
WE
WP
N.C
N.C
DNU
N.C
N.C
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
N.C
N.C
DNU
N.C
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
N.C
DNU
N.C
VCC
VSS
N.C
DNU
N.C
I/O3
I/O2
I/O1
I/O0
N.C
DNU
N.C
N.C
先进
FL灰内存
包装尺寸
48 -PIN引脚塑料非常非常的轻薄小本OUT直插式封装类型（I ）
48 - WSOP1 - 1217F
单位：mm
0.70 MAX
15.40
±0.10
0.58
±0.04
#1
+0.07
-0.03
#48
+0.07
-0.03
0.16
12.40MAX
12.00
±0.10
0.50TYP
(0.50
±
0.06)
0.20
#24
#25
(0.01Min)
0.10
+0.075
-0.035
0
°
~
8
°
0.45~0.75
17.00
±0.20
4
K9E2G08B0M
引脚说明
引脚名称
I / O
0
- I / O
7
引脚功能
先进
FL灰内存
数据输入/输出
在I / O引脚在读操作期间用于输入命令，地址和数据，并输出数据。在I /
O管脚浮到高阻当芯片被取消或当输出被禁止。
命令锁存使能
在CLE输入控制用于发送到命令寄存器的命令的激活路径。当高电平有效，
命令被锁存到通过上WE信号的上升沿，在I / O端口的命令寄存器。
地址锁存使能
在ALE的输入控制的激活路径为地址为内部地址寄存器。地址是
锁存WE与ALE高的上升沿。
芯片使能
行政长官输入设备选择控制。当设备处于忙状态时， CE的高被忽略，并且
该设备不返回到待机模式中编程或擦除opertion 。对于在读CE控制
操作时，指的是设备操作“页面阅读”部分。
读使能
对RE输入是串行数据输出控制，并且当有源驱动器中的数据到I / O总线。数据是有效的
RE的下降沿也加一内部列地址计数器后TREA 。
写使能
在WE输入控制写入到I / O端口。命令，地址和数据被锁存的上升沿
在WE脉冲。
写保护
WP引脚提供了在电源转换无意的写/擦除保护。内部高压
发生器复位时， WP引脚为低电平有效。
READY / BUSY输出
中的R / B输出指示设备操作的状态。当低，则表明一编程，擦除或
随机读取操作过程中和完成后返回高电平状态。这是一个漏极开路输出，
不浮到高阻状态时，芯片是取消或输出被禁止。
输出缓冲器电源
V
CC
Q是输出缓冲器的电源。
VCCQ在内部连接到Vcc ，从而应被偏置到Vcc 。
动力
V
CC
是用于设备的电源。
地
无连接
铅是没有内部连接。
不要使用
给它断开。
CLE
ALE
CE
RE
WE
WP
R / B
VCCQ
VCC
VSS
N.C
DNU
记
：将所有V
CC
和V
SS
每个设备共用电源输出的引脚。
不要让V
CC
或V
SS
断开。
5
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