K6X0808C1D家庭
文档标题
32Kx8位低功耗CMOS静态RAM
CMOS SRAM
修订历史
版本号
0.0
1.0
历史
最初的草案
敲定
- 改变了我
CC
从10mA至5毫安
- 改变了我
CC1
从8毫安到7毫安
- 改变了我
CC2
从35mA至25毫安
- 改变了我
SB
从3毫安至0.4mA
- 改变了我
DR
对于K6X0808C1D -F 15μA至10μA
- 改变了我
DR
对于K6X0808C1D -Q 25μA至20μA
- 修正勘误表
数据稿
2002年10月9日
2003年12月16日
备注
初步
最终科幻
所附的说明书是由三星电子提供的。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留更改规格的权利和
产品。三星电子将回答您的问题。如果您有任何疑问，请联系三星分公司。
1
修订版1.0
2003年12月
K6X0808C1D家庭
32Kx8位低功耗全CMOS静态RAM
特点
工艺技术：全CMOS
组织： 32K ×8
电源电压： 4.5 5.5V
低数据保持电压： 2V （最小值）
三态输出与TTL兼容
封装类型： 28 - DIP- 600B ， 28 - SOP- 450 ，
28-TSOP1-0813.4F/R
CMOS SRAM
概述
该K6X0808C1D家庭是由三星公司制造
先进的CMOS工艺技术。家庭支持
verious的工作温度范围和具有各种封装
年龄类型的系统设计的用户灵活性。家庭
还支持低数据保持电压为电池后备
操作以低数据保持电流。
产品系列
功耗
产品系列工作温度范围的Vcc
速度
待机
(I
SB1
，最大值）
15A
4.5~5.5V
K6X0808C1D-Q
Automotive(-40~125°C)
55
1)
/70ns
25A
25mA
操作
(I
CC2,
MAX ）
PKG型
28 - DIP- 600B ， 28 - SOP- 450 ，
28-TSOP1-0813.4F/R
28 - SOP- 450 ， 28 TSOP1-0813.4F
K6X0808C1D-F
Industrial(-40~85°C)
1.参数与50pF的测试负载测试
引脚说明
OE
A11
A9
A8
A13
WE
VCC
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
功能框图
A10
CS
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
VSS
I/O3
I/O2
I/O1
A0
A1
A2
CLK GEN 。
预充电电路。
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O1
I/O2
I/O3
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
VCC
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CS
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
28-TSOP
类型1 - 前进
23
22
21
20
19
18
17
16
15
ROW
地址
ROW
SELECT
存储阵列
28-DIP
28-SOP
22
21
20
19
18
17
16
15
A3
A4
A5
A6
A7
A12
A14
VCC
WE
A13
A8
A9
A11
OE
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
15
16
17
18
19
20
28-TSOP
类型1 - 反向
21
22
23
24
25
26
27
28
A2
A1
A0
I/O1
I/O2
I/O3
VSS
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
I/O8
CS
A10
I / O
1
I / O
8
数据
CONT
I / O电路
列选择
数据
CONT
列地址
引脚名称
CS
OE
WE
A
0
~A
14
功能
片选输入
输出使能输入
写使能输入
地址输入
引脚名称
I / O
1
-I / O
8
VCC
VSS
NC
功能
CS
数据输入/输出
WE
动力
地
无连接
OE
控制
逻辑
三星电子有限公司
保留更改产品规格，恕不另行通知。
2
修订版1.0
2003年12月
K6X0808C1D家庭
产品列表
工业级温度范围。产品（ -40 85°C ）
部件名称
K6X0808C1D-DF55
K6X0808C1D-DF70
K6X0808C1D-GF55
K6X0808C1D-GF70
K6X0808C1D-TF55
K6X0808C1D-TF70
K6X0808C1D-RF55
K6X0808C1D-RF70
功能
28 - DIP ， 55ns ， LL压水堆
28 - DIP ，为70ns ， LL压水堆
28 - SOP ， 55ns ， LL压水堆
28 - SOP ，为70ns ， LL压水堆
28 - TSOP -F ， 55ns ， LL压水堆
28 - TSOP -F ，为70ns ， LL压水堆
28 - TSOP -R ， 55ns ， LL压水堆
28 - TSOP -R ，为70ns ， LL压水堆
CMOS SRAM
汽车温度。产品（ -40 125°C ）
部件名称
K6X0808C1D-GQ55
K6X0808C1D-GQ70
K6X0808C1D-TQ55
K6X0808C1D-TQ70
功能
28 - SOP ， 55ns ，L压水堆
28 - SOP ，为70ns ，L压水堆
28 - TSOP -F ， 55ns ，L压水堆
28 - TSOP -F ，为70ns ，L压水堆
功能说明
CS
H
L
L
L
OE
X
1)
H
L
X
1)
WE
X
1)
H
H
L
I / O
高-Z
高-Z
DOUT
DIN
模式
取消
输出禁用
读
写
动力
待机
活跃
活跃
活跃
1， X表示不关心（必须是在高温或低温状态）
绝对最大额定值
1)
项
任何引脚相对于VSS的电压
在VCC电源相对于Vss电压
功耗
储存温度
工作温度
符号
V
IN
,V
OUT
V
CC
P
D
T
英镑
T
A
评级
-0.5到V
CC+
0.5V （最大7.0V ）
-0.3 7.0
1.0
-65到150
-40到85
-40至125
单位
V
V
W
°C
°C
°C
备注
-
-
-
-
K6X0808C1D-F
K6X0808C1D-Q
1.强调大于下"Absolute最大Ratings"可能会对设备造成永久性损坏。功能操作应
仅限于推荐的操作条件。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
3
修订版1.0
2003年12月
K6X0808C1D家庭
建议的直流工作条件
1)
项
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
符号
VCC
VSS
V
IH
V
IL
民
4.5
0
2.2
-0.5
3)
典型值
5.0
0
-
-
CMOS SRAM
最大
5.5
0
Vcc+0.5
2)
0.8
单位
V
V
V
V
注意：
1.工业产品：T已
A
= -40 85 ℃，特别说明
汽车产品：T已
A
= -40 125 ℃，另外指定
2.过冲：如果脉冲width≤30ns的VCC + 3.0V 。
3.冲： -3.0V的情况下脉冲width≤30ns的。
4.过冲和下冲进行采样，而不是100 ％测试。
电容
1
)
（ F = 1MHz时， TA = 25°C ）
项
输入电容
输入/输出电容
1.电容进行采样，而不是100 ％测试
符号
C
IN
C
IO
测试条件
V
IN
=0V
V
IO
=0V
民
-
-
最大
8
10
单位
pF
pF
DC和工作特性
项
输入漏电流
输出漏电流
工作电源电流
平均工作电流
符号
I
LI
I
LO
I
CC
I
CC1
I
CC2
输出低电压
输出高电压
待机电流（ TTL ）
待机电流（ CMOS ）
V
OL
V
OH
I
SB
I
SB1
V
IN
= VSS到Vcc
CS = V
IH
或OE = V
IH
或WE = V
IL
, V
IO
=V
SS
到Vcc
I
IO
= 0毫安， CS = V
白细胞介素，
V
IN
=V
IH
或V
IL
读
周期时间= 1μs的时间， 100 ％的关税，我
IO
= 0毫安， CS≤0.2V ，
V
IN
≤0.2V
IN
-vcc
-0.2V
周期时间=最小， 100 ％的关税，我
IO
= 0毫安， CS = V
白细胞介素，
V
IN
=V
IH
或V
IL
I
OL
=2.1mA
I
OH
=-1.0mA
CS = V
IH
，其它输入= V
IH
或V
IL
CS≥Vcc - 0.2V ，其他输入= 0 Vcc的
K6X0808C1D-F
K6X0808C1D-Q
测试条件
民
-1
-1
-
-
-
-
2.4
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
1
1
5
7
25
0.4
-
0.4
15
25
单位
A
A
mA
mA
mA
V
V
mA
A
A
4
修订版1.0
2003年12月
K6X0808C1D家庭
交流工作条件
测试条件
（测试负载和测试输入/输出参考）
输入脉冲电平： 0.8 2.4V
输入上升和下降时间： 5ns的
输入和输出参考电压： 1.5V
输出负载（见右图） ：C
L
=100pF+1TTL
C
L
=50pF+1TTL
C
L
1)
CMOS SRAM
1.包括范围和夹具电容
AC特性
（ VCC = 4.5 5.5V ，商业产品：T已
A
= 0 70 ° C，工业产品：T已
A
= -40 85 ℃）下
速箱
参数表
符号
55
1)
ns
民
读周期时间
地址访问时间
芯片选择输出
输出使能到输出有效
读
芯片选择低阻抗输出
输出使能为低阻抗输出
芯片禁用到高阻输出
输出禁止到高阻输出
从地址变更输出保持
写周期时间
片选写的结束
地址建立时间
地址有效到写结束
写
把脉冲宽度
写恢复时间
写入输出高阻
数据写入时间重叠
从时间写数据保持
结束写入到输出低Z
1.参数与50pF的测试负载测试。
70ns
民
70
-
-
-
10
5
0
0
10
70
60
0
60
50
0
0
30
0
5
最大
-
70
70
35
-
-
30
30
-
-
-
-
-
-
-
25
-
-
-
单位
最大
-
55
55
25
-
-
20
20
-
-
-
-
-
-
-
20
-
-
-
t
RC
t
AA
t
CO
t
OE
t
LZ
t
OLZ
t
HZ
t
OHZ
t
OH
t
WC
t
CW
t
AS
t
AW
t
WP
t
WR
t
WHZ
t
DW
t
DH
t
OW
55
-
-
-
10
5
0
0
10
55
45
0
45
40
0
0
25
0
5
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
数据保持特性
项
VCC为数据保留
数据保持电流
数据保留的建立时间
恢复时间
符号
V
DR
I
DR
t
SDR
t
RDR
CS≥Vcc-0.2V
VCC = 3.0V ， CS≥Vcc - 0.2V
K6X0808C1D-F
K6X0808C1D-Q
看到数据保存波形
测试条件
民
2.0
-
-
0
5
典型值
-
-
-
-
-
最大
5.5
10
20
-
-
ms
单位
V
A
5
修订版1.0
2003年12月
K6X0808C1D家庭
文档标题
32Kx8位低功耗CMOS静态RAM
CMOS SRAM
修订历史
版本号
0.0
1.0
历史
最初的草案
敲定
- 改变了我
CC
从10mA至5毫安
- 改变了我
CC1
从8毫安到7毫安
- 改变了我
CC2
从35mA至25毫安
- 改变了我
SB
从3毫安至0.4mA
- 改变了我
DR
对于K6X0808C1D -F 15μA至10μA
- 改变了我
DR
对于K6X0808C1D -Q 25μA至20μA
- 修正勘误表
数据稿
2002年10月9日
2003年12月16日
备注
初步
最终科幻
所附的说明书是由三星电子提供的。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留更改规格的权利和
产品。三星电子将回答您的问题。如果您有任何疑问，请联系三星分公司。
1
修订版1.0
2003年12月
K6X0808C1D家庭
32Kx8位低功耗全CMOS静态RAM
特点
工艺技术：全CMOS
组织： 32K ×8
电源电压： 4.5 5.5V
低数据保持电压： 2V （最小值）
三态输出与TTL兼容
封装类型： 28 - DIP- 600B ， 28 - SOP- 450 ，
28-TSOP1-0813.4F/R
CMOS SRAM
概述
该K6X0808C1D家庭是由三星公司制造
先进的CMOS工艺技术。家庭支持
verious的工作温度范围和具有各种封装
年龄类型的系统设计的用户灵活性。家庭
还支持低数据保持电压为电池后备
操作以低数据保持电流。
产品系列
功耗
产品系列工作温度范围的Vcc
速度
待机
(I
SB1
，最大值）
15A
4.5~5.5V
K6X0808C1D-Q
Automotive(-40~125°C)
55
1)
/70ns
25A
25mA
操作
(I
CC2,
MAX ）
PKG型
28 - DIP- 600B ， 28 - SOP- 450 ，
28-TSOP1-0813.4F/R
28 - SOP- 450 ， 28 TSOP1-0813.4F
K6X0808C1D-F
Industrial(-40~85°C)
1.参数与50pF的测试负载测试
引脚说明
OE
A11
A9
A8
A13
WE
VCC
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
功能框图
A10
CS
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
VSS
I/O3
I/O2
I/O1
A0
A1
A2
CLK GEN 。
预充电电路。
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O1
I/O2
I/O3
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
VCC
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CS
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
28-TSOP
类型1 - 前进
23
22
21
20
19
18
17
16
15
ROW
地址
ROW
SELECT
存储阵列
28-DIP
28-SOP
22
21
20
19
18
17
16
15
A3
A4
A5
A6
A7
A12
A14
VCC
WE
A13
A8
A9
A11
OE
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
15
16
17
18
19
20
28-TSOP
类型1 - 反向
21
22
23
24
25
26
27
28
A2
A1
A0
I/O1
I/O2
I/O3
VSS
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
I/O8
CS
A10
I / O
1
I / O
8
数据
CONT
I / O电路
列选择
数据
CONT
列地址
引脚名称
CS
OE
WE
A
0
~A
14
功能
片选输入
输出使能输入
写使能输入
地址输入
引脚名称
I / O
1
-I / O
8
VCC
VSS
NC
功能
CS
数据输入/输出
WE
动力
地
无连接
OE
控制
逻辑
三星电子有限公司
保留更改产品规格，恕不另行通知。
2
修订版1.0
2003年12月
K6X0808C1D家庭
产品列表
工业级温度范围。产品（ -40 85°C ）
部件名称
K6X0808C1D-DF55
K6X0808C1D-DF70
K6X0808C1D-GF55
K6X0808C1D-GF70
K6X0808C1D-TF55
K6X0808C1D-TF70
K6X0808C1D-RF55
K6X0808C1D-RF70
功能
28 - DIP ， 55ns ， LL压水堆
28 - DIP ，为70ns ， LL压水堆
28 - SOP ， 55ns ， LL压水堆
28 - SOP ，为70ns ， LL压水堆
28 - TSOP -F ， 55ns ， LL压水堆
28 - TSOP -F ，为70ns ， LL压水堆
28 - TSOP -R ， 55ns ， LL压水堆
28 - TSOP -R ，为70ns ， LL压水堆
CMOS SRAM
汽车温度。产品（ -40 125°C ）
部件名称
K6X0808C1D-GQ55
K6X0808C1D-GQ70
K6X0808C1D-TQ55
K6X0808C1D-TQ70
功能
28 - SOP ， 55ns ，L压水堆
28 - SOP ，为70ns ，L压水堆
28 - TSOP -F ， 55ns ，L压水堆
28 - TSOP -F ，为70ns ，L压水堆
功能说明
CS
H
L
L
L
OE
X
1)
H
L
X
1)
WE
X
1)
H
H
L
I / O
高-Z
高-Z
DOUT
DIN
模式
取消
输出禁用
读
写
动力
待机
活跃
活跃
活跃
1， X表示不关心（必须是在高温或低温状态）
绝对最大额定值
1)
项
任何引脚相对于VSS的电压
在VCC电源相对于Vss电压
功耗
储存温度
工作温度
符号
V
IN
,V
OUT
V
CC
P
D
T
英镑
T
A
评级
-0.5到V
CC+
0.5V （最大7.0V ）
-0.3 7.0
1.0
-65到150
-40到85
-40至125
单位
V
V
W
°C
°C
°C
备注
-
-
-
-
K6X0808C1D-F
K6X0808C1D-Q
1.强调大于下"Absolute最大Ratings"可能会对设备造成永久性损坏。功能操作应
仅限于推荐的操作条件。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
3
修订版1.0
2003年12月
K6X0808C1D家庭
建议的直流工作条件
1)
项
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
符号
VCC
VSS
V
IH
V
IL
民
4.5
0
2.2
-0.5
3)
典型值
5.0
0
-
-
CMOS SRAM
最大
5.5
0
Vcc+0.5
2)
0.8
单位
V
V
V
V
注意：
1.工业产品：T已
A
= -40 85 ℃，特别说明
汽车产品：T已
A
= -40 125 ℃，另外指定
2.过冲：如果脉冲width≤30ns的VCC + 3.0V 。
3.冲： -3.0V的情况下脉冲width≤30ns的。
4.过冲和下冲进行采样，而不是100 ％测试。
电容
1
)
（ F = 1MHz时， TA = 25°C ）
项
输入电容
输入/输出电容
1.电容进行采样，而不是100 ％测试
符号
C
IN
C
IO
测试条件
V
IN
=0V
V
IO
=0V
民
-
-
最大
8
10
单位
pF
pF
DC和工作特性
项
输入漏电流
输出漏电流
工作电源电流
平均工作电流
符号
I
LI
I
LO
I
CC
I
CC1
I
CC2
输出低电压
输出高电压
待机电流（ TTL ）
待机电流（ CMOS ）
V
OL
V
OH
I
SB
I
SB1
V
IN
= VSS到Vcc
CS = V
IH
或OE = V
IH
或WE = V
IL
, V
IO
=V
SS
到Vcc
I
IO
= 0毫安， CS = V
白细胞介素，
V
IN
=V
IH
或V
IL
读
周期时间= 1μs的时间， 100 ％的关税，我
IO
= 0毫安， CS≤0.2V ，
V
IN
≤0.2V
IN
-vcc
-0.2V
周期时间=最小， 100 ％的关税，我
IO
= 0毫安， CS = V
白细胞介素，
V
IN
=V
IH
或V
IL
I
OL
=2.1mA
I
OH
=-1.0mA
CS = V
IH
，其它输入= V
IH
或V
IL
CS≥Vcc - 0.2V ，其他输入= 0 Vcc的
K6X0808C1D-F
K6X0808C1D-Q
测试条件
民
-1
-1
-
-
-
-
2.4
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
1
1
5
7
25
0.4
-
0.4
15
25
单位
A
A
mA
mA
mA
V
V
mA
A
A
4
修订版1.0
2003年12月
K6X0808C1D家庭
交流工作条件
测试条件
（测试负载和测试输入/输出参考）
输入脉冲电平： 0.8 2.4V
输入上升和下降时间： 5ns的
输入和输出参考电压： 1.5V
输出负载（见右图） ：C
L
=100pF+1TTL
C
L
=50pF+1TTL
C
L
1)
CMOS SRAM
1.包括范围和夹具电容
AC特性
（ VCC = 4.5 5.5V ，商业产品：T已
A
= 0 70 ° C，工业产品：T已
A
= -40 85 ℃）下
速箱
参数表
符号
55
1)
ns
民
读周期时间
地址访问时间
芯片选择输出
输出使能到输出有效
读
芯片选择低阻抗输出
输出使能为低阻抗输出
芯片禁用到高阻输出
输出禁止到高阻输出
从地址变更输出保持
写周期时间
片选写的结束
地址建立时间
地址有效到写结束
写
把脉冲宽度
写恢复时间
写入输出高阻
数据写入时间重叠
从时间写数据保持
结束写入到输出低Z
1.参数与50pF的测试负载测试。
70ns
民
70
-
-
-
10
5
0
0
10
70
60
0
60
50
0
0
30
0
5
最大
-
70
70
35
-
-
30
30
-
-
-
-
-
-
-
25
-
-
-
单位
最大
-
55
55
25
-
-
20
20
-
-
-
-
-
-
-
20
-
-
-
t
RC
t
AA
t
CO
t
OE
t
LZ
t
OLZ
t
HZ
t
OHZ
t
OH
t
WC
t
CW
t
AS
t
AW
t
WP
t
WR
t
WHZ
t
DW
t
DH
t
OW
55
-
-
-
10
5
0
0
10
55
45
0
45
40
0
0
25
0
5
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
数据保持特性
项
VCC为数据保留
数据保持电流
数据保留的建立时间
恢复时间
符号
V
DR
I
DR
t
SDR
t
RDR
CS≥Vcc-0.2V
VCC = 3.0V ， CS≥Vcc - 0.2V
K6X0808C1D-F
K6X0808C1D-Q
看到数据保存波形
测试条件
民
2.0
-
-
0
5
典型值
-
-
-
-
-
最大
5.5
10
20
-
-
ms
单位
V
A
5
修订版1.0
2003年12月
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