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初步
K6R1004C1A-C
文档标题
256Kx4高速静态RAM ( 5V工作) ,革命销出去。
CMOS SRAM
修订历史
版本号
修订版0.0
1.0版
历史
最初的版本有初步。
发布到最终数据手册。
1.1 。初步删除
更新D.C参数。
2.1 。更新D.C参数。
以前的规范。
(12 /15/ 17 / 20ns的一部分)
ICC
200/190/180/170mA
ISB
30mA
Isb1
10mA
数据稿
1995年4月22日
1996年2月29日
备注
初步
最终科幻
修订版2.0
1996年7月16日
更新规范。
(12 /15/ 17 / 20ns的一部分)
150/145/145/140mA
25mA
8mA
1997年6月2日
最终科幻
修订版3.0
添加工业级温度范围的部分。
3.1 。添加工业级温度范围的部分用相同的参
TER值作为商业级温度范围的部分。
3.1.1 。添加K6R1004C1A零部件工业级温度范围。
3.1.2 。添加订购信息。
3.1.3 。添加条件的工业温度运行。范围内。
3.2 。添加的测试条件为V
OH1
随着V
CC
= 5V ± 5%,在25℃下
3.3 。添加时序图来定义吨
WP
as
“ (定时
电波表
写周期( CS =控制) “
4.1 。删除工业级温度范围部分
4.2 。删除TSOP2套餐
4.3 。删除部分为17ns
最终科幻
修订版4.0
1998年2月25日
最终科幻
所附的数据表准备并批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 , LTD 。保留随时更改的权利
规格。三星电子将评估并在该设备的参数回复您的要求和问题。如果您有任何ques-
系统蒸发散,请联系三星分支机构靠近你的办公室,电话或联系总部。
-1-
修订版4.0
1998年2月
初步
K6R1004C1A-C
256K ×4位(与OE )高速CMOS静态RAM
特点
快速存取时间12日, 15日,为20ns (最大)
低功耗
待机( TTL)的
: 25毫安(最大)
( CMOS ) : 8毫安(最大)
操作K6R1004C1A - 12 : 150毫安(最大)
K6R1004C1A - 15 : 145毫安(最大)
K6R1004C1A - 20 : 140毫安(最大)
单5.0V ± 10 %电源
TTL兼容的输入和输出
I / O与3.3V器件兼容
全静态工作
- 无时钟或刷新要求
三态输出
中心电源/接地引脚配置
标准引脚配置
K6R1004C1A -J : 32 SOJ -400
CMOS SRAM
概述
该K6R1004C1A是1,048,576位高速静态随机
存取存储器由4位组织为262,144字。该
K6R1004C1A使用4个通用输入和输出线路,并具有
输出使能引脚,经营地址比快
在读周期访问时间。该器件采用制造SAM-
SUNG先进的CMOS工艺和设计的高
高速电路技术。它特别适于在使用
高密度
快速
系统
应用程序。
K6R1004C1A封装在400密耳的32管脚塑料SOJ 。
引脚配置
( TOP VIEW )
N.C
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32 A
17
31 A
16
30 A
15
29 A
14
28 A
13
27
OE
功能框图
A
0
A
1
A
2
A
3
CLK GEN 。
A
0
A
1
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
2
预充电电路
CS
I / O
1
VCC
26 I / O
4
SOJ
25 Vss的
24 VCC
23 I / O
3
22 A
12
21 A
11
20 A
10
19
18
A
9
A
8
行选择
VSS
存储阵列
512行
512x4列
I / O
2
WE
A
4
A
5
A
6
A
7
I / O
1
-I / O
4
数据
续。
CLK
将军
A
9
I / O电路&
列选择
N.C
17 N.C
A
10
A
12
A
14
A
16
A
11
A
13
A
15
A
17
引脚功能
引脚名称
引脚功能
地址输入
写使能
芯片选择
OUTPUT ENABLE
数据输入/输出
Power(+5.0V)
无连接
A
0
- A
17
WE
CS
OE
I / O
1
-I / O
4
V
CC
V
SS
N.C
CS
WE
OE
-2-
修订版4.0
1998年2月
初步
K6R1004C1A-C
绝对最大额定值*
参数
任何引脚相对于V电压
SS
在V电压
CC
供应相对于V
SS
功耗
储存温度
工作温度
符号
V
IN
, V
OUT
V
CC
P
D
T
英镑
T
A
等级
-0.5 7.0
-0.5 7.0
1.0
-65到150
0到70
单位
V
V
W
°C
°C
CMOS SRAM
*
应力大于下"Absolute最大Ratings"可能会对设备造成永久性损坏。这是一个值仅为
该设备在这些或以上的本规范的经营部门所标明的任何其他条件的功能操作,是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
建议的直流工作条件
(T
A
= 0 70℃ )
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
4.5
0
2.2
-0.5*
典型值
5.0
0
-
-
最大
5.5
0
V
CC
+0.5**
0.8
单位
V
V
V
V
*
V
IL
(最小值) = -2.0V交流转换器(脉冲宽度
为10ns ),因为我
20mA.
**
V
IH
(MAX) = V
CC +
2.0V交流转换器(脉冲宽度
为10ns ),因为我
20mA.
DC和工作特性
(T
A
= 0至70℃ , Vcc的= 5.0V ±10% ,除非另有规定)
参数
输入漏电流
输出漏电流
工作电流
符号
I
LI
I
LO
I
CC
测试条件
V
IN
= V
SS
到V
CC
CS = V
IH
或OE = V
IH
或WE = V
IL
V
OUT
= V
SS
到V
CC
分钟。周期, 100 %占空比
CS = V
白细胞介素,
V
IN
=V
IH
或V
白细胞介素,
I
OUT
=0mA
分钟。周期, CS = V
IH
F = 0MHz处, CS≥V
CC
-0.2V,
V
IN
≥V
CC
-0.2V或V
IN
≤0.2V
I
OL
=8mA
I
OH
=-4mA
I
OH1
=-0.1mA
12ns
15ns
20ns
待机电流
I
SB
I
SB1
输出低电压电平
输出高电压电平
V
OL
V
OH
V
OH1*
* V
CC
= 5.0V ±5% ,温度= 25℃
-2
-2
-
-
-
-
-
-
2.4
-
最大
2
2
150
145
140
25
8
0.4
-
3.95
单位
A
A
mA
mA
mA
V
V
V
电容*
(
T
A
= 25 ° C,F = 1.0MHz的)
输入/输出电容
输入电容
*电容进行采样,而不是100 %测试。
符号
C
I / O
C
IN
测试条件
V
I / O
=0V
V
IN
=0V
-
-
最大
8
6
单位
pF
pF
-3-
修订版4.0
1998年2月
初步
K6R1004C1A-C
AC特性
(T
A
= 0至70℃ ,V
CC
= 5.0V ± 10% ,除非另有说明。 )
测试条件
参数
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序参考电平
输出负载
价值
0V至3V
3ns
1.5V
见下文
CMOS SRAM
输出负载( A)
+5.0V
480
D
OUT
255
30pF*
输出负载( B)
对于T
HZ
, t
LZ
, t
WHZ
, t
OW
, t
OLZ
&放大器;牛逼
OHZ
+5.0V
480
D
OUT
255
5pF*
*包括范围和夹具电容
读周期
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片选择输出
输出使能到输出有效
芯片使能为低阻抗输出
输出使能为低阻抗输出
芯片禁用到高阻输出
输出禁止到高阻输出
从地址变更输出保持
芯片的选择上电时间
芯片选择到功率停机
符号
t
RC
t
AA
t
CO
t
OE
t
LZ
t
OLZ
t
HZ
t
OHZ
t
OH
t
PU
t
PD
K6R1004C1A-12
12
-
-
-
3
0
0
0
3
0
-
最大
-
12
12
6
-
-
6
6
-
-
12
K6R1004C1A-15
15
-
-
-
3
0
0
0
3
0
-
最大
-
15
15
7
-
-
7
7
-
-
15
K6R1004C1A-20
20
-
-
-
3
0
0
0
3
0
-
最大
-
20
20
9
-
-
9
9
-
-
20
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
-4-
修订版4.0
1998年2月
初步
K6R1004C1A-C
写周期
参数
写周期时间
片选写的结束
地址建立时间
地址有效到写结束
把脉冲宽度( OE高)
把脉冲宽度( OE低)
写恢复时间
写入输出高阻
数据写入时间重叠
从时间写数据保持
结束写入到输出低Z
符号
t
WC
t
CW
t
AS
t
AW
t
WP
t
WP1
t
WR
t
WHZ
t
DW
t
DH
t
OW
K6R1004C1A-12
12
8
0
8
8
12
0
0
6
0
3
最大
-
-
-
-
-
-
-
6
-
-
-
K6R1004C1A-15
15
10
0
10
10
15
0
0
7
0
3
最大
-
-
-
-
-
-
-
7
-
-
-
K6R1004C1A-20
20
12
0
12
12
20
0
0
9
0
3
最大
-
-
-
-
-
-
-
9
-
-
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
CMOS SRAM
TIMMING DIAGRAMS
读周期时序波形( 1 )
地址
t
OH
数据输出
上一页有效数据
t
AA
有效数据
(地址控制
,
CS = OE = V
IL
我们= V
IH
)
t
RC
读周期时序波形( 2 )
(WE = V
IH
)
t
RC
地址
t
AA
t
CO
t
OE
OE
t
OLZ
数据输出
V
CC
当前
I
CC
I
SB
t
LZ(4,5)
有效数据
t
PU
50%
t
PD
50%
t
OH
t
HZ(3,4,5)
CS
t
OHZ
-5-
修订版4.0
1998年2月
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    K6R1004C1A-C12
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