K4H510438F

K4H510838F

K4H511638F

DDR SDRAM

512MB F-死DDR SDRAM规格

66 TSOP -II

无铅和无卤素

（符合RoHS ）

信息在本文档提供有关三星产品，

并受更改，恕不另行通知。本条中的任何文件应当

解释为授予任何许可，明示或暗示，被禁止的或其它 -

WISE ，在三星的产品知识产权的任何权利技

OGY 。所有信息在本文档提供作为"AS IS"无基础

担保或任何形式的担保。

1.对于更新或有关三星产品的更多信息，请联系您最近的三星办公。

2.三星的产品不得用于生命支持，重症监护，医疗，安全设备，或者类似用途

应用产品故障可能导致人身或人身伤害，或任何军事或损失

国防应用，或任何政府采购到特殊条款或规定可能适用。

*三星电子保留随时更改产品或规格，恕不另行通知。

1 24

修订版1.1 2008年11月

K4H510438F

K4H510838F

K4H511638F

目录

DDR SDRAM

1.0主要特点...............................................................................................................................4

2.0订购信息...................................................................................................................4

3.0工作Frequencies................................................................................................................4

4.0引脚说明............................................................................................................................5

5.0包装物理尺寸.....................................................................................................6

6.0块图（ 32兆×4 / 16Mbit的X8 / X16 8Mbit的I / O X4银行） ............................... ............. 7

7.0输入/输出功能说明............................................ ................................................ 8

8.0指挥真相Table.................................................................................................................9

9.0一般Description...................................................................................................................10

10.0绝对最大额定值.....................................................................................................10

11.0直流工作条件........................................................................................................10

12.0 DDR SDRAM IDD规格产品&测试条件......................................... ......................... 11

13.0输入/输出电容......................................................................................................11

14.0详细的测试条件为DDR SDRAM IDD1 & IDD7A ........................................ .............. 12

15.0 DDR SDRAM IDD规格表............................................ .................................................. .... 13

16.0 AC工作条件.......................................................................................................14

17.0 AC过冲/下冲规范地址和控制引脚............................ 14

18.0过冲/下冲规范数据，频闪和口罩销............................... 15

19.0 AC Timming参数&规格............................................ ............................... 16

20.0系统特性的DDR SDRAM ............................................ .................................. 17

21.0组件的注意事项....................................................................................................................18

22.0系统注意事项...........................................................................................................................20

23.0 IBIS ： I / V特性的输入和输出缓冲器...................................... .................. 21

2 24

修订版1.1 2008年11月

K4H510438F

K4H510838F

K4H511638F

修订历史

调整

1.0

1.01

1.02

1.03

1.04

1.1

MONTH

七月

八月

八月

九月

十一月

十一月

YEAR

2008

2008

2008

2008

2008

2008

-release Rev1.0 SPEC

- 的"CC"速度IDD7A试验条件第12页上的错字更正

- 错字改正

- 在工作频率增加速度@ CL2第4页

- 错字改正

- 对DDR266 @ CL2 4页增加操作频率

历史

DDR SDRAM

3 24

修订版1.1 2008年11月

K4H510438F

K4H510838F

K4H511638F

1.0主要特点

V

DD

: 2.5V ± 0.2V, V

DDQ

： 2.5V ± 0.2V为DDR266 ， 333

V

DD

: 2.6V ± 0.1V, V

DDQ

： 2.6V ± 0.1V的DDR400

双数据速率体系结构;每个时钟周期2的数据传输

双向数据选通[ DQS ] （ X4，X8 ）， & [L （ U） DQS ] （ X16 ）

四家银行的操作

差分时钟输入（ CK和CK ）

DLL对齐DQ和DQS与CK过渡转型

MRS循环地址重点项目

- 。读取延迟： DDR266 （ 2.5时钟） ， DDR333 （ 2.5时钟） ， DDR400 （ 3时钟）

- 。突发长度（ 2，4， 8）

- 。突发类型（顺序&交错）

除数据& DM所有输入进行采样，系统时钟的正边沿（CK）

数据I /数据选通信号的两边O事务

边沿对齐的数据输出，居中对齐数据输入

LDM ， UDM为只写屏蔽（ X16 ）

DM为只写屏蔽（ X4，X8 ）

自动&自我刷新

7.8us刷新间隔（ 8K / 64ms的刷新）

最大连拍数量刷新周期： 8

66pin TSOP II

无铅&无卤

包

符合RoHS

DDR SDRAM

2.0订购信息

产品型号

K4H510438F-LC/LB0

K4H510438F-LC/LB3

K4H510838F-LC/LCC

K4H510838F-LC/LB3

K4H511638F-LC/LCC

K4H511638F-LC/LB3

组织。

128M ×4

64M ×8

32M ×16

最大频率。

B0(DDR266@CL=2.5)

B3(DDR333@CL=2.5)

CC(DDR400@CL=3)

B3(DDR333@CL=2.5)

CC(DDR400@CL=3)

B3(DDR333@CL=2.5)

接口

SSTL_2

SSTL_2

SSTL_2

包

66pin TSOP II

无铅&无卤

66pin TSOP II

无铅&无卤

66pin TSOP II

无铅&无卤

记

1

1, 2

1

1, 2

1

1, 2

注意：

1.部件号（第12位） "L"表示符合RoHS标准，无卤素产品。

2. " - B3" （ DDR333 ， CL = 2.5 ），可以支持" - B0" （ DDR266 ， CL = 2.5 ）

3.0工作频率

CC(DDR400@CL=3)

速度@ CL2

速度@ CL2.5

速度@ CL3

CL- tRCD的-TRP

166MHz

200MHz

3-3-3

B3(DDR333@CL=2.5)

133MHz

166MHz

-

2.5-3-3

B0(DDR266@CL=2.5)

100MHz

133MHz

-

2.5-3-3

4 24

修订版1.1 2008年11月

K4H510438F

K4H510838F

K4H511638F

4.0引脚说明

DDR SDRAM

32MB ×16

64MB ×8

128MB ×4

V

DD

V

DD

DQ

0

V

DDQ

NC

DQ

1

V

SSQ

NC

DQ

2

V

DDQ

NC

DQ

3

V

SSQ

NC

NC

V

DDQ

NC

NC

V

DD

NC

NC

WE

CAS

RAS

CS

NC

BA

0

BA

1

AP / A

10

A

0

A

1

A

2

A

3

V

DD

V

DD

NC

V

DDQ

NC

DQ

0

V

SSQ

NC

NC

V

DDQ

NC

DQ

1

V

SSQ

NC

NC

V

DDQ

NC

NC

V

DD

NC

NC

WE

CAS

RAS

CS

NC

BA

0

BA

1

AP / A

10

A

0

A

1

A

2

A

3

V

DD

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

21

22

23

24

25

26

27

28

29

30

31

32

33

66

65

64

63

62

61

60

59

58

V

SS

NC

V

SSQ

NC

DQ

3

V

DDQ

NC

NC

V

SSQ

NC

DQ

2

V

DDQ

NC

NC

V

SSQ

的DQ

NC

V

REF

V

SS

DM

CK

CK

CKE

NC

A

12

A

11

A

9

A

8

A

7

A

6

A

5

A

4

V

SS

V

SS

DQ

7

V

SSQ

NC

DQ

6

V

DDQ

NC

DQ

5

V

SSQ

NC

DQ

4

V

DDQ

NC

NC

V

SSQ

的DQ

NC

V

REF

V

SS

DM

CK

CK

CKE

NC

A

12

A

11

A

9

A

8

A

7

A

6

A

5

A

4

V

SS

V

SS

DQ

15

V

SSQ

DQ

14

DQ

13

V

DDQ

DQ

12

DQ

11

V

SSQ

DQ

10

DQ

9

V

DDQ

DQ

8

NC

V

SSQ

UDQS

NC

V

REF

V

SS

UDM

CK

CK

CKE

NC

A

12

A

11

A

9

A

8

A

7

A

6

A

5

A

4

V

SS

DQ

0

V

DDQ

DQ

1

DQ

2

V

SSQ

DQ

3

DQ

4

V

DDQ

DQ

5

DQ

6

V

SSQ

DQ

7

NC

V

DDQ

LDQS

NC

V

DD

NC

LDM

WE

CAS

RAS

CS

NC

BA

0

BA

1

AP / A

10

A

0

A

1

A

2

A

3

V

DD

66Pin TSOPII

（ 400mil X 875mil ）

（ 0.65毫米引脚间距）

银行地址

BA0~BA1

自动预充电

A10

57

56

55

54

53

52

51

50

49

48

47

46

45

44

43

42

41

40

39

38

37

36

35

34

512MB TSOP -II封装引脚

组织

128Mx4

64Mx8

32Mx16

行地址

A0~A12

A0~A12

A0~A12

列地址

A0~A9, A11, A12

A0-A9, A11

A0-A9

DM在内部装载匹配DQ和DQS相同。

行&列地址的配置

5 24

修订版1.1 2008年11月

2010年4月

消费者的记忆

产品指南

三星电子保留更改产品，信息的权利，

规格，恕不另行通知。

本文所讨论的产品和规格仅供参考。所有信息讨论

本文提供的"AS IS"的基础上，没有任何形式的担保。

本文及本文讨论的所有信息保持三星的独有财产

电子产品。任何专利，版权，口罩工作，商标或任何其他知识产权的任何许可

右侧是该文件正由一方到另一方，通过暗示，禁止反言或其他 -

明智的。

三星的产品不得用于生命支持，重症监护，医疗，安全设备，或使用

类似的应用产品故障可能导致人身或人身伤害，或任何损失

军事或国防应用程序，或任何政府采购，以这特殊条款或规定

可以申请。

如需更新或有关三星产品的更多信息，请联系您最近的三星办公。

所有品牌名称，商标和注册商标均归其各自所有者所有。

2010三星电子有限公司保留所有权利。

-1-

产品指南

1.消费者心目中订购信息

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

2010年4月

消费者的记忆

11

K 4 X X X X X X X X - X X X X

三星内存

DRAM

产品

密度&刷新

组织

1.三星内存：K

2. DRAM ： 4

3.产品

S

H

T

B

D

J

:

SDRAM

:

DDR SDRAM

:

DDR2 SDRAM

:

DDR3 SDRAM

:

GDDR

:

GDDR3

7.接口（V

DD

, V

DDQ

)

2

8

Q

6

K

:

LVTTL （ 3.3V ， 3.3V ）

:

SSTL_2 （ 2.5V ， 2.5V ）

:

SSTL_18 （ 1.8V ， 1.8V ）

:

SSTL_15 （ 1.5V ， 1.5V ）

:

POD_18 （ 1.8V ， 1.8V ）

速度

温度&电源

套餐类型

调整

接口（V

DD

, V

DDQ

)

银行

8.修订

M

A

B

C

D

E

F

G

:

第一将军

:

第二届创

:

第三将军

:

第四将军

:

第五将军

:

第六届将军

:

7将军

:

8日创

H

I

J

K

L

N

O

S

:

9日创

:

10日创

:

第11届创

:

12日创

:

13日创

:

14日创

:

15日创

:

19将军

4.密度&刷新

64

:

64MB， 4K / 64ms的

28

:

128MB， 4K / 64ms的

56

:

256MB， 8K / 64ms的

51

:

512MB， 8K / 64ms的

1G

:

1GB内存， 8K / 64ms的

2G

:

2GB， 8K / 64ms的

10

:

1GB内存， 8K / 32ms的

9.包装类型

U

Z

:

TSOPII （无铅）

100TQFP （无铅）只为128Mb的GDDR

:

FBGA （无铅）

:

144FBGA （无铅）只为128Mb的GDDR

:

TSOPII （无铅&无卤）

:

FBGA （无铅&无卤）

:

FBGA （无铅&无卤）为64兆DDR ， GDDR 128Mb的

:

FBGA DDP （无铅&无卤）

:

FBGA FLIP - CHIP （无铅&无卤）

5.组织

04

:

x4

08

:

x8

16

:

x16

32

:

x32

31

:

X32 （ 2CS ）

V

L

H

F

M

B

10.温度&电源

6.银行

2

3

4

:

2银行

:

4银行

:

8银行

C

L

I

P

D

Q

:

商业温度。 &普通电源

:

商业温度。 &低功耗

:

工业级温度范围。 &普通电源

:

工业级温度范围。 &低功耗

:

工业级温度范围。 &超低功耗

:

商业温度。 DDR3 + （无缝， BL4 ）

-2-

产品指南

1

2

3

4

5

6

7

8

9

2010年4月

消费者的记忆

10

11

K 4 X X X X X X X X - X X X X

三星内存

DRAM

产品

密度&刷新

组织

速度

温度&电源

套餐类型

调整

接口（V

DD

, V

DDQ

)

银行

11.速度

75

:

7.5ns ， PC133 （ 133MHz的CL = 3 ）

60

:

6.0ns （ 166MHz的CL = 3 ）

50

:

5.0ns （ 200MHz的CL = 3）的

40

:

4.0ns （ 250MHz的CL = 3）的

B0

:

DDR266 （ 133MHz的@ CL = 2.5 ， tRCD的= 3 ，激进党= 3 ）

B3

:

DDR333 （ 166MHz的@ CL = 2.5 ， tRCD的= 3 ，激进党= 3 ）

CC

:

DDR400 （ 200MHz的@ CL = 3 ， tRCD的= 3 ，激进党= 3 ）

E6

:

DDR2-667 （ 333MHz的@ CL = 5 ， tRCD的= 5 ， tRP的= 5 ）

E7

:

DDR2-800 （ 400MHz的@ CL = 5 ， tRCD的= 5 ， tRP的= 5 ）

F7

:

DDR2 / 3-800 （ 400MHz的@ CL = 6 ， tRCD的= 6 ，激进党= 6）

F8

:

DDR2 / 3-1066 （ 533 @ CL = 7 ， tRCD的= 7 ，激进党= 7 ）

H9

:

DDR3-1333 （ 667MHz的@ CL = 9 ， tRCD的= 9 ，激进党= 9 ）

K0

:

DDR3-1600 （ 800MHz的@ CL = 11 ， tRCD的= 11 ，激进党= 11 ）

7A

:

GDDR3-2.6Gbps （ 0.77ns ）

08

:

GDDR3-2.4Gbps （ 0.8ns ）

1A

:

GDDR3-2.0Gbps （ 1.0ns ）

12

:

GDDR3-1.6Gbps （ 1.25ns ）

14

:

GDDR3-1.4Gbps （ 1.4ns ）

-3-

产品指南

2.1 SDRAM

密度

64MB N-二模

银行

4Banks

产品型号

K4S640832N

K4S641632N

K4S280832K

K4S281632K

K4S280832O

K4S281632O

K4S560432J

256Mb的J-模

4Banks

K4S560832J

K4S561632J

K4S560432N

256MB N-二模

4Banks

K4S560832N

K4S561632N

包装&电力，

温度。 （-C / -L ） &速度

LC(L)75

LC(L)50/C(L)60/C(L)75

U

*1

C(L)75

UC(L)50/C(L)60/C(L)75

LC(L)75

LC(L)50/C(L)60/C(L)75

U

*1

C(L)75

UC(L)75

UC(L)60/C(L)75

LC(L)75

LC(L)75

LC(L)60/C(L)75

组织。

8M ×8

4M ×16

16M ×8

8M ×16

16M ×8

8M ×16

64M ×4

32M ×8

16M ×16

64M ×4

32M ×8

16M ×16

LVTTL

8K/64ms

LVTTL

8K/64ms

接口

LVTTL

刷新

4K/64ms

2010年4月

消费者的记忆

2.商业温度消费DRAM组件产品指南

电源（ V）

3.3±0.3V

包

54pin TSOP （II）的

无济于事。

NOW

128MB K-模

4Banks

LVTTL

4K/64ms

3.3±0.3V

54pin TSOP （II）的

*1

NOW

128MB O型模具

4Banks

LVTTL

4K/64ms

3.3±0.3V

54pin TSOP （II）的

3Q’10

3.3±0.3V

54pin TSOP （II）的

*1

NOW

3.3±0.3V

54pin TSOP （II）的

NOW

记

1. 128Mb的K-模SDR和256MB无铅封装代码J-模SDR DRAM的支持无铅&无卤封装（ -U ）

2.2 DDR SDRAM

密度

64MB N-二模

64MB Q-模

128MB L-死

128MB O型模具

银行

4Banks

4Banks

4Banks

4Banks

产品型号

K4H641638N

K4H641638Q

K4H281638L

K4H281638O

K4H560438J

256Mb的J-模

4Banks

K4H560838J

K4H561638J

K4H560438N

256MB N-二模

4Banks

K4H560838N

K4H561638N

K4H510438F

512MB F-模

4Banks

K4H510838F

K4H511638F

K4H510438G

512MB G-模

4Banks

K4H510838G

K4H511638G

记

: 1. V

DD

/V

DDQ

SPEC为128Mb的DDR L-模

DDR500

V

DD

/V

DDQ

2.5V ± 0.125V

DDR400

2.5V ± 0.2V

包装&电力，

温度。 （-C / -L ） &速度

LC （ L） CC

FC （ L） CC

LC （ L） CC

LC （ L） / C （L ） CC

LC(L)CC/C(L)B3

LC(L)B3/C(L)B0

LC(L)CC/C(L)B3

LC(L)CC/C(L)B3

LC(L)B3/C(L)B0

LC(L)CC/C(L)B3

LC(L)CC/C(L)B3

LC(L)B3/C(L)B0

HC(L)CC/C(L)B3

LC(L)CC/C(L)B3

HC(L)CC/C(L)B3

LC(L)CC/C(L)B3

HC(L)CC/C(L)B3

LC(L)B3/C(L)B0

HC(L)CC/C(L)B3

LC(L)CC/C(L)B3

HC(L)CC/C(L)B3

LC(L)CC/C(L)B3

HC(L)CC/C(L)B3

组织。

4M ×16

4M ×16

8M ×16

8M ×16

64M ×4

32M ×8

16M ×16

64M ×4

32M ×8

16M ×16

128M ×4

64M ×8

32M ×16

128M ×4

64M ×8

32M ×16

接口

SSTL_2

SSTL_2

SSTL_2

SSTL_2

刷新

4K/64m

4K/64m

4K/64m

4K/64m

电源（ V）

2.5±0.2V

2.5±0.2V

2.5±0.2V

*1

2.5±0.2V

*1

2.5±0.2V

*2

包

66pinTSOPII

60Ball FBGA

66pinTSOPII

66pinTSOPII

66pinTSOPII

无济于事。

NOW

2Q’10

NOW

2Q’10

SSTL_2

8K/64m

66pinTSOPII

NOW

SSTL_2

8K/64m

2.5±0.2V

*2

66pinTSOPII

66pinTSOPII

60Ball FBGA

66pinTSOPII

60Ball FBGA

66pinTSOPII

60Ball FBGA

66pinTSOPII

60Ball FBGA

66pinTSOPII

60Ball FBGA

66pinTSOPII

60Ball FBGA

NOW

SSTL_2

8K/64m

2.5±0.2V

*2

NOW

SSTL_2

8K/64m

2.5±0.2V

*2

NOW

2. V

DD

/V

DDQ

SPEC 256 / 512Mb的DDR

DDR400

V

DD

/V

DDQ

2.6V ± 0.1V

DDR333/266

2.5V ± 0.2V

-4-

产品指南

2.3 DDR2 SDRAM

密度

128MB O型模具

256MB I-模

256MB N-二模

512MB G-模

银行

4Banks

4Banks

4Banks

4Banks

产品型号

K4T28163QO

K4T56163QI

K4T56163QN

K4T51083QG

K4T51163QG

K4T51043QI

512MB I-模

4Banks

K4T51083QI

K4T51163QI

1GB电子芯片

8Banks

8Banks

K4T1G084QE

K4T1G164QE

K4T1G084QF

K4T1G164QF

包装&电力，

温度。 （-C / -L ） &速度

HCF8/E7/F7/E6

Z

*1

C(L)E7/F7/E6/D5/CC

HCF8/E7/F7/E6

HC(L)F8/E7/F7/E6

HC(L)F8/E7/F7/E6

HC(L)E7/F7/E6

HC(L)E7/F7/E6

HC(L)F8/E7/F7/E6

HC(L)F8/E7/F7/E6

HC(L)F8/E7/F7/E6

BC(L)F8/E7/F7/E6

BC(L)F8/E7/F7/E6

组织。

8M ×16

16M ×16

16M ×16

64M ×8

32M ×16

128M ×4

64M ×8

32M ×16

128M ×8

64M ×16

128M ×8

64M ×16

SSTL_18

SSTL_18

8K/64m

8K/64m

SSTL_18

8K/64m

接口

SSTL_18

SSTL_18

SSTL_18

SSTL_18

刷新

4K/64m

8K/64m

8K/64m

8K/64m

2010年4月

消费者的记忆

电源（ V）

1.8V±0.1V

1.8V±0.1V

1.8V±0.1V

1.8V±0.1V

包

84Ball FBGA

84Ball FBGA

84Ball FBGA

60Ball FBGA

84Ball FBGA

60Ball FBGA

84Ball FBGA

无济于事。

NOW

NOW

NOW

NOW

NOW

NOW

NOW

NOW

1.8V±0.1V

1.8V±0.1V

1.8V±0.1V

60Ball FBGA

84Ball FBGA

60Ball FBGA

84Ball FBGA

1GB F-模

记

1. 128Mb的I-死DDR2 84ball FBGA支持无卤素封装

2.4 DDR3 SDRAM

密度

1GB电子芯片

2GB B-模

银行

8Banks

8Banks

产品型号

K4B1G0846E

K4B1G1646E

K4B2G0846B

K4B2G1646B

K4B2G0846C

K4B2G1646C

包装&电力，

温度。 （-C / -L ） &速度

HC(L)F7/F8/H9/K0

HC(L)F7/F8/H9/K0

HC(L)F7/F8/H9/K0

HC(L)F7/F8/H9/K0

HC(L)F8/H9/K0

HC(L)F8/H9/K0

组织。

128M ×8

64M ×16

256M ×8

128M ×16

256M ×8

128M ×16

接口

SSTL_15

SSTL_15

刷新

8K/64m

8K/64m

电源（ V）

1.5V±0.075V

1.5V±0.075V

PKG

78ball FBGA

96ball FBGA

78ball FBGA

96ball FBGA

78ball FBGA

96ball FBGA

无济于事。

NOW

NOW

2GB C-模

8Banks

SSTL_15

8K/64m

1.5V±0.075V

NOW

2.5 + DDR3 SDRAM

密度

1GB电子芯片

2GB C-模

银行

8Banks

8Banks

产品型号

K4B1G1646E

K4B2G1646C

包装&电力，

温度。 （-C / -L ） &速度

HQH9

HQH9

组织。

64M ×16

128M ×16

接口

SSTL_15

SSTL_15

刷新

8K/64m

8K/64m

电源（ V）

1.5V±0.075V

1.5V±0.075V

PKG

96ball FBGA

96ball FBGA

无济于事。

NOW

NOW

记

：有关产品的规格或技术文件的详细信息，请与我们联系"semiconductor@samsung.com"

-5-