K3P6C2000B-SC
32M位（ 2Mx16 / 1Mx32 ） CMOS掩膜ROM
特点
切换机构
2,097,152 ×16 （字模式）
1,048,576 ×32 （双字模式）
快速访问时间
随机存取：为100ns （最大值）。
页面访问
：为30ns （最大）
4个双字/ 8字的页面访问
消耗电流
操作： 150毫安（最大）
待机： 50μA （最大值）。
全静态操作
所有输入和输出TTL兼容
三态输出
包
- 。 K3P6C2000B -SC ： 70 - SSOP -500
CMOS掩膜ROM
概述
该K3P6C2000B -SC是一个完全静态的掩模可编程
ROM制作采用硅栅CMOS工艺技术，
并组织无论是作为2,097,152x16位（字模式）或
1,048,576x32位（双字模式）根据单词
电压电平。 （见模式选择表）
该器件包括网页阅读模式功能，阅读页面模式
允许4双数据字（或8个字），以在快速阅读
同一个页面，CE和A
2
~ A
19
不应该改变。
该器件采用5V单电源供电，并且全部
输入和输出为TTL兼容。
因为它的异步操作的，它不需要外部
时钟确保操作极为方便。
它适合于在微处理器的程序存储器的使用，并
数据存储器，字符发生器。
该K3P6C2000B -SC封装在一个70 - SSOP 。
功能框图
A
19
.
.
.
.
.
.
.
.
A
2
A
0~
A
1
A
-1
X
缓冲器
和
解码器
记忆细胞
矩阵
(1,048,576x32/
2,097152x16)
引脚配置
Y
缓冲器
和
解码器
感测放大器。
数据输出
缓冲器
. . .
CE
OE
字
控制
逻辑
Q
0
/Q
16
Q
15
/Q
31
引脚名称
A
0
- A
1
A
2
- A
19
Q
0
- Q
30
Q
31
/A
-1
字
CE
OE
V
CC
V
SS
N.C
引脚功能
网页地址输入
地址输入
数据输出
输出31 （双字模式） /
LSB地址（字模式）
双字/字模式选择
芯片使能
OUTPUT ENABLE
电源（+ 5V）的
地
无连接
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
V
CC
Q
0
Q
16
Q
1
Q
17
V
SS
V
CC
Q
2
Q
18
Q
3
Q
19
Q
4
Q
20
Q
5
Q
21
V
SS
V
CC
Q
6
Q
22
Q
7
Q
23
V
SS
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
SSOP
70
69
68
67
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
N.C
N.C
N.C
字
OE
CE
V
SS
Q
31
/A
-1
Q
15
Q
30
Q
14
V
SS
V
CC
Q
29
Q
13
Q
28
Q
12
Q
27
Q
11
Q
26
Q
10
V
SS
V
CC
Q
25
Q
9
Q
24
Q
8
V
CC
A
19
A
18
A
17
A
16
A
15
A
14
A
13
K3P6C2000B-SC
K3P6C2000B-SC
绝对最大额定值
项
任何引脚相对于V电压
SS
在偏置温度
储存温度
符号
V
IN
T
BIAS
T
英镑
等级
CMOS掩膜ROM
单位
V
°C
°C
-0.3到+7.0
-10至+85
-55到+150
记
：如果"ABSOLUTE最大RATINGS"超出可能会造成永久性损坏设备。功能操作应被限制到
在此数据表的业务部门的详细情况。暴露在绝对最大额定值条件下工作会
影响器件的可靠性。
推荐工作条件
（电压参考V
SS
, T
A
= 0 70℃ ）
项
电源电压
电源电压
符号
V
CC
V
SS
民
4.5
0
典型值
5.0
0
最大
5.5
0
单位
V
V
DC特性
参数
工作电流
待机电流（ TTL ）
待机电流（ CMOS ）
输入漏电流
输出漏电流
输入高电压，所有输入
输入低电压，所有输入
输出高电压电平
输出低电压电平
符号
I
CC
I
SB1
I
SB2
I
LI
I
LO
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
OH
=-400A
I
OL
=2.1mA
测试条件
民
-
-
-
-
-
2.2
-0.3
2.4
-
最大
150
1
50
10
10
V
CC
+0.3
0.8
-
0.4
单位
mA
mA
A
A
A
V
V
V
V
周期= 5MHz时，所有输出开
CE = OE = V
IL
, V
IN
= 0.6V至2.4V （ AC测试条件）
CE = V
IH
，所有输出开
CE = V
CC
，所有输出开
V
IN
= 0至V
CC
V
OUT
= 0至V
CC
记
：最小直流电压（V
IL
）是-0.3V的输入引脚。在转换过程中，这个水平可能下冲至-2.0V的时期<20ns 。
输入引脚的最大直流电压（V
IH
）为V
CC
+ 0.3V其中，在转换过程中，可能会过冲至V
CC
+ 2.0V的时间和LT ;为20ns 。
模式选择
CE
H
L
L
OE
X
H
L
字
X
X
H
L
Q
31
/A
-1
X
X
产量
输入
模式
待机
操作
操作
操作
数据
高-Z
高-Z
Q
0
~Q
31
： Dout的
Q
0
~Q
15
： Dout的
Q
16
~Q
30
：高阻
动力
待机
活跃
活跃
活跃
电容
(T
A
= 25 ° C，F = 1.0MHz的）
项
输出电容
输入电容
符号
C
OUT
C
IN
测试条件
V
OUT
=0V
V
IN
=0V
民
-
-
最大
12
12
单位
pF
pF
记
：电容周期性采样，而不是100 ％测试。
K3P6C2000B-SC
32M位（ 2Mx16 / 1Mx32 ） CMOS掩膜ROM
特点
切换机构
2,097,152 ×16 （字模式）
1,048,576 ×32 （双字模式）
快速访问时间
随机存取：为100ns （最大值）。
页面访问
：为30ns （最大）
4个双字/ 8字的页面访问
消耗电流
操作： 150毫安（最大）
待机： 50μA （最大值）。
全静态操作
所有输入和输出TTL兼容
三态输出
包
- 。 K3P6C2000B -SC ： 70 - SSOP -500
CMOS掩膜ROM
概述
该K3P6C2000B -SC是一个完全静态的掩模可编程
ROM制作采用硅栅CMOS工艺技术，
并组织无论是作为2,097,152x16位（字模式）或
1,048,576x32位（双字模式）根据单词
电压电平。 （见模式选择表）
该器件包括网页阅读模式功能，阅读页面模式
允许4双数据字（或8个字），以在快速阅读
同一个页面，CE和A
2
~ A
19
不应该改变。
该器件采用5V单电源供电，并且全部
输入和输出为TTL兼容。
因为它的异步操作的，它不需要外部
时钟确保操作极为方便。
它适合于在微处理器的程序存储器的使用，并
数据存储器，字符发生器。
该K3P6C2000B -SC封装在一个70 - SSOP 。
功能框图
A
19
.
.
.
.
.
.
.
.
A
2
A
0~
A
1
A
-1
X
缓冲器
和
解码器
记忆细胞
矩阵
(1,048,576x32/
2,097152x16)
引脚配置
Y
缓冲器
和
解码器
感测放大器。
数据输出
缓冲器
. . .
CE
OE
字
控制
逻辑
Q
0
/Q
16
Q
15
/Q
31
引脚名称
A
0
- A
1
A
2
- A
19
Q
0
- Q
30
Q
31
/A
-1
字
CE
OE
V
CC
V
SS
N.C
引脚功能
网页地址输入
地址输入
数据输出
输出31 （双字模式） /
LSB地址（字模式）
双字/字模式选择
芯片使能
OUTPUT ENABLE
电源（+ 5V）的
地
无连接
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
V
CC
Q
0
Q
16
Q
1
Q
17
V
SS
V
CC
Q
2
Q
18
Q
3
Q
19
Q
4
Q
20
Q
5
Q
21
V
SS
V
CC
Q
6
Q
22
Q
7
Q
23
V
SS
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
SSOP
70
69
68
67
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
N.C
N.C
N.C
字
OE
CE
V
SS
Q
31
/A
-1
Q
15
Q
30
Q
14
V
SS
V
CC
Q
29
Q
13
Q
28
Q
12
Q
27
Q
11
Q
26
Q
10
V
SS
V
CC
Q
25
Q
9
Q
24
Q
8
V
CC
A
19
A
18
A
17
A
16
A
15
A
14
A
13
K3P6C2000B-SC
K3P6C2000B-SC
绝对最大额定值
项
任何引脚相对于V电压
SS
在偏置温度
储存温度
符号
V
IN
T
BIAS
T
英镑
等级
CMOS掩膜ROM
单位
V
°C
°C
-0.3到+7.0
-10至+85
-55到+150
记
：如果"ABSOLUTE最大RATINGS"超出可能会造成永久性损坏设备。功能操作应被限制到
在此数据表的业务部门的详细情况。暴露在绝对最大额定值条件下工作会
影响器件的可靠性。
推荐工作条件
（电压参考V
SS
, T
A
= 0 70℃ ）
项
电源电压
电源电压
符号
V
CC
V
SS
民
4.5
0
典型值
5.0
0
最大
5.5
0
单位
V
V
DC特性
参数
工作电流
待机电流（ TTL ）
待机电流（ CMOS ）
输入漏电流
输出漏电流
输入高电压，所有输入
输入低电压，所有输入
输出高电压电平
输出低电压电平
符号
I
CC
I
SB1
I
SB2
I
LI
I
LO
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
OH
=-400A
I
OL
=2.1mA
测试条件
民
-
-
-
-
-
2.2
-0.3
2.4
-
最大
150
1
50
10
10
V
CC
+0.3
0.8
-
0.4
单位
mA
mA
A
A
A
V
V
V
V
周期= 5MHz时，所有输出开
CE = OE = V
IL
, V
IN
= 0.6V至2.4V （ AC测试条件）
CE = V
IH
，所有输出开
CE = V
CC
，所有输出开
V
IN
= 0至V
CC
V
OUT
= 0至V
CC
记
：最小直流电压（V
IL
）是-0.3V的输入引脚。在转换过程中，这个水平可能下冲至-2.0V的时期<20ns 。
输入引脚的最大直流电压（V
IH
）为V
CC
+ 0.3V其中，在转换过程中，可能会过冲至V
CC
+ 2.0V的时间和LT ;为20ns 。
模式选择
CE
H
L
L
OE
X
H
L
字
X
X
H
L
Q
31
/A
-1
X
X
产量
输入
模式
待机
操作
操作
操作
数据
高-Z
高-Z
Q
0
~Q
31
： Dout的
Q
0
~Q
15
： Dout的
Q
16
~Q
30
：高阻
动力
待机
活跃
活跃
活跃
电容
(T
A
= 25 ° C，F = 1.0MHz的）
项
输出电容
输入电容
符号
C
OUT
C
IN
测试条件
V
OUT
=0V
V
IN
=0V
民
-
-
最大
12
12
单位
pF
pF
记
：电容周期性采样，而不是100 ％测试。
QQ：2881677436 复制
