K1S6416BCC
文档标题
4Mx16位页面模式的Uni-晶闸管随机存取存储器
UtRAM
修订历史
修订历史号
0.0
最初的草案
- 设计目标
敲定
草案日期
2004年11月3日
备注
初步
1.0
2005年4月6日
最终科幻
所附的说明书是由三星电子提供的。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留更改规格的权利，
产品。三星电子将回答有关设备的问题。如果您有任何疑问，请联系三星分公司。
-1-
修订版1.0
2005年4月
K1S6416BCC
4M ×16位的页面模式的Uni-晶体管的CMOS RAM
特点
UtRAM
概述
该K1S6416BCC由三星先进的制造
CMOS技术使用一个晶体管存储单元。该装置
支持4页读操作和工业温度
范围内。该器件支持双片选的用户界面
脸上。该器件还支持内部温度Compen-
心满意足的自刷新模式为待机功率节省，在室温
温度范围。
工艺技术： CMOS
组织： 4M X16位
电源电压： 1.7 2.0V
三态输出
兼容低功耗SRAM
支持4页阅读模式
套餐类型：待定
产品系列
产品系列
工作温度。
VCC范围
速度
(t
RC
)
功耗
待机
(I
SB1
马克斯。 ）
120μA （ < 40°C）
180μA （ < 85°C ）
操作
(I
CC2
马克斯。 ）
40mA
PKG型
K1S6416BCC-I
Industrial(-40~85°C)
1.7~2.0V
70ns
待定
引脚说明
功能框图
CLK GEN 。
预充电电路。
V
CC
V
CCQ
V
SS
ROW
地址
ROW
SELECT
存储阵列
待定
I / O
1
-I / O
8
数据
CONT
数据
CONT
数据
CONT
I / O电路
列选择
I / O
9
-I / O
16
列地址
CS1
CS2
OE
WE
UB
LB
控制逻辑
名字
功能
名字
功能
CS1 ， CS2片选输入
OE
WE
A
0
~A
21
输出使能输入
写使能输入
地址输入
VCC / V
CCQ
2)
供电（核心/ I / O）
VSS
UB
LB
NC
地
高字节（ I / O
9
~
16
)
低字节（ I / O
1
~
8
)
无连接
1)
I / O
1
-I / O
16
数据输入/输出
1 ）保留供将来使用
2) V
CC
和V
CCQ
应该是相同的电平
三星电子有限公司
保留更改产品规格，恕不另行通知
.
-2-
修订版1.0
2005年4月
K1S6416BCC
上电顺序
1.接通电源。
2.保持稳定的电源（VCC分钟和V
CCQ
分= 1.7V ），最少为200ps与CS1 = CS2 high.or =低。
UtRAM
POWER UP的时序波形（ 1 ）
（ CS
1
控制）
分钟。为200ps
V
CC（分钟）
V
CC
V
CCQ （分钟）
V
CCQ
≈
≈
≈
CS
1
≈ ≈
CS
2
电模式
POWER UP （ 1 ）
正常工作
1.在V
CC
达到V
CC
（分钟）和V
CCQ
（最小），等待为200ps与CS
1
高。然后该装置进入正常运作。
POWER UP的时序波形（ 2 ）
（ CS
2
控制）
V
CC（分钟）
V
CC
分钟。为200ps
≈
V
CCQ （分钟）
V
CCQ
≈
≈ ≈
CS
1
CS
2
电模式
≈
正常工作
POWER UP （ 2 ）
1.在V
CC
达到V
CC
（分钟）和V
CCQ
（最小），等待为200ps与CS
2
低。然后该装置进入正常运作。
-3-
修订版1.0
2005年4月
K1S6416BCC
功能说明
CS1
H
X
1)
X
1)
L
L
L
L
L
L
L
L
CS2
X
1)
L
X
1)
H
H
H
H
H
H
H
H
OE
X
1)
X
1)
X
1)
H
H
L
L
L
X
1)
X
1)
X
1)
WE
X
1)
X
1)
X
1)
H
H
H
H
H
L
L
L
LB
X
1)
X
1)
H
L
X
1)
L
H
L
L
H
L
UB
X
1)
X
1)
H
X
1)
L
H
L
L
H
L
L
I / O
1~8
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
DOUT
高-Z
DOUT
DIN
高-Z
DIN
I / O
9~16
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
DOUT
DOUT
高-Z
DIN
DIN
模式
取消
取消
取消
输出禁用
输出禁用
低字节读
高字节读
字读
低字节写入
高字节写
字写
UtRAM
动力
待机
待机
待机
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
1， X表示不关心。 （必须是低或高的状态）
绝对最大额定值
1)
项
任何引脚相对于VSS的电压
在VCC电源相对于Vss电压
功耗
储存温度
工作温度
符号
V
IN
, V
OUT
V
CC
P
D
T
英镑
T
A
评级
-0.2到V
CCQ
+0.3V
-0.2 2.5V
1.0
-65到150
-40到85
单位
V
V
W
°C
°C
1.强调大于下"Absolute最大Ratings"可能会对设备造成永久性损坏。功能操作应
推荐的工作条件下，受限制的被使用。暴露在绝对最大额定值条件下小于1秒长可能会影响可靠性
的能力。
-4-
修订版1.0
2005年4月
K1S6416BCC
产品列表
工业产品温度（ -40 85°C ）
部件名称
K1S6416BCC
功能
为70ns ， 1.85V
UtRAM
建议的直流工作条件
1)
项
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
1. T
A
= -40 85 ℃，另有规定。
2.过冲： V
CCQ
+ 1.0V的情况下，脉冲宽度的
≤20ns.
3.冲： -1.0V的情况下脉冲宽度的
≤20ns.
4.过冲和下冲进行采样，而不是100 ％测试。
符号
VCC
VSS
V
IH
V
IL
民
1.7
0
0.8× V
CCQ
-0.2
3)
典型值
1.85
0
-
-
最大
2.0
0
V
CCQ
+0.2
2)
0.4
单位
V
V
V
V
电容
1)
（ F = 1MHz的，T
A
=25°C)
项
输入电容
输入/输出电容
1.电容进行采样，而不是100 ％测试。
符号
C
IN
C
IO
测试条件
V
IN
=0V
V
IO
=0V
民
-
-
最大
8
10
单位
pF
pF
DC和工作特性
项
输入漏电流
输出漏电流
平均工作电流
输出低电压
输出高电压
符号
测试条件
V
IN
= VSS到V
CCQ
CS
1
=V
IH
或CS
2
=V
IL
或OE = V
IH
或WE = V
IL
或LB = UB = V
IH
,
V
IO
= VSS到V
CCQ
循环Time≥t
RC
+3t
PC
, I
IO
= 0毫安， 100 ％的关税， CS
1
=V
白细胞介素，
CS
2
=
V
IH
， LB = V
IL
或/和UB = V
IL
, V
IN
=V
IH
或V
IL
I
OL
=0.1mA
I
OH
=-0.1mA
其他输入= 0 V
CCQ
1 ） CS
1
≥V
CCQ
-0.2V
,
CS
2
≥
V
CCQ
-
0.2V(CS
1
控制）或
2) 0V
≤
CS
2
≤
0.2V(CS
2
控制）
< 40℃
＆ LT ; 85°C
民
-1
-1
-
-
1.4
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
最大
1
1
40
0.2
-
120
180
单位
A
A
mA
V
V
A
A
I
LI
I
LO
I
CC2
V
OL
V
OH
待机电流（ CMOS ）
I
SB11)
1.待机模式应该是设置后的至少一种活性operation.after电。
I
SB1
为60ms时，从待机模式设置的时间后测量。
-5-
修订版1.0
2005年4月
K1S6416BCC
文档标题
4Mx16位页面模式的Uni-晶闸管随机存取存储器
UtRAM
修订历史
修订历史号
0.0
最初的草案
- 设计目标
敲定
草案日期
2004年11月3日
备注
初步
1.0
2005年4月6日
最终科幻
所附的说明书是由三星电子提供的。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留更改规格的权利，
产品。三星电子将回答有关设备的问题。如果您有任何疑问，请联系三星分公司。
-1-
修订版1.0
2005年4月
K1S6416BCC
4M ×16位的页面模式的Uni-晶体管的CMOS RAM
特点
UtRAM
概述
该K1S6416BCC由三星先进的制造
CMOS技术使用一个晶体管存储单元。该装置
支持4页读操作和工业温度
范围内。该器件支持双片选的用户界面
脸上。该器件还支持内部温度Compen-
心满意足的自刷新模式为待机功率节省，在室温
温度范围。
工艺技术： CMOS
组织： 4M X16位
电源电压： 1.7 2.0V
三态输出
兼容低功耗SRAM
支持4页阅读模式
套餐类型：待定
产品系列
产品系列
工作温度。
VCC范围
速度
(t
RC
)
功耗
待机
(I
SB1
马克斯。 ）
120μA （ < 40°C）
180μA （ < 85°C ）
操作
(I
CC2
马克斯。 ）
40mA
PKG型
K1S6416BCC-I
Industrial(-40~85°C)
1.7~2.0V
70ns
待定
引脚说明
功能框图
CLK GEN 。
预充电电路。
V
CC
V
CCQ
V
SS
ROW
地址
ROW
SELECT
存储阵列
待定
I / O
1
-I / O
8
数据
CONT
数据
CONT
数据
CONT
I / O电路
列选择
I / O
9
-I / O
16
列地址
CS1
CS2
OE
WE
UB
LB
控制逻辑
名字
功能
名字
功能
CS1 ， CS2片选输入
OE
WE
A
0
~A
21
输出使能输入
写使能输入
地址输入
VCC / V
CCQ
2)
供电（核心/ I / O）
VSS
UB
LB
NC
地
高字节（ I / O
9
~
16
)
低字节（ I / O
1
~
8
)
无连接
1)
I / O
1
-I / O
16
数据输入/输出
1 ）保留供将来使用
2) V
CC
和V
CCQ
应该是相同的电平
三星电子有限公司
保留更改产品规格，恕不另行通知
.
-2-
修订版1.0
2005年4月
K1S6416BCC
上电顺序
1.接通电源。
2.保持稳定的电源（VCC分钟和V
CCQ
分= 1.7V ），最少为200ps与CS1 = CS2 high.or =低。
UtRAM
POWER UP的时序波形（ 1 ）
（ CS
1
控制）
分钟。为200ps
V
CC（分钟）
V
CC
V
CCQ （分钟）
V
CCQ
≈
≈
≈
CS
1
≈ ≈
CS
2
电模式
POWER UP （ 1 ）
正常工作
1.在V
CC
达到V
CC
（分钟）和V
CCQ
（最小），等待为200ps与CS
1
高。然后该装置进入正常运作。
POWER UP的时序波形（ 2 ）
（ CS
2
控制）
V
CC（分钟）
V
CC
分钟。为200ps
≈
V
CCQ （分钟）
V
CCQ
≈
≈ ≈
CS
1
CS
2
电模式
≈
正常工作
POWER UP （ 2 ）
1.在V
CC
达到V
CC
（分钟）和V
CCQ
（最小），等待为200ps与CS
2
低。然后该装置进入正常运作。
-3-
修订版1.0
2005年4月
K1S6416BCC
功能说明
CS1
H
X
1)
X
1)
L
L
L
L
L
L
L
L
CS2
X
1)
L
X
1)
H
H
H
H
H
H
H
H
OE
X
1)
X
1)
X
1)
H
H
L
L
L
X
1)
X
1)
X
1)
WE
X
1)
X
1)
X
1)
H
H
H
H
H
L
L
L
LB
X
1)
X
1)
H
L
X
1)
L
H
L
L
H
L
UB
X
1)
X
1)
H
X
1)
L
H
L
L
H
L
L
I / O
1~8
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
DOUT
高-Z
DOUT
DIN
高-Z
DIN
I / O
9~16
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
DOUT
DOUT
高-Z
DIN
DIN
模式
取消
取消
取消
输出禁用
输出禁用
低字节读
高字节读
字读
低字节写入
高字节写
字写
UtRAM
动力
待机
待机
待机
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
1， X表示不关心。 （必须是低或高的状态）
绝对最大额定值
1)
项
任何引脚相对于VSS的电压
在VCC电源相对于Vss电压
功耗
储存温度
工作温度
符号
V
IN
, V
OUT
V
CC
P
D
T
英镑
T
A
评级
-0.2到V
CCQ
+0.3V
-0.2 2.5V
1.0
-65到150
-40到85
单位
V
V
W
°C
°C
1.强调大于下"Absolute最大Ratings"可能会对设备造成永久性损坏。功能操作应
推荐的工作条件下，受限制的被使用。暴露在绝对最大额定值条件下小于1秒长可能会影响可靠性
的能力。
-4-
修订版1.0
2005年4月
K1S6416BCC
产品列表
工业产品温度（ -40 85°C ）
部件名称
K1S6416BCC
功能
为70ns ， 1.85V
UtRAM
建议的直流工作条件
1)
项
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
1. T
A
= -40 85 ℃，另有规定。
2.过冲： V
CCQ
+ 1.0V的情况下，脉冲宽度的
≤20ns.
3.冲： -1.0V的情况下脉冲宽度的
≤20ns.
4.过冲和下冲进行采样，而不是100 ％测试。
符号
VCC
VSS
V
IH
V
IL
民
1.7
0
0.8× V
CCQ
-0.2
3)
典型值
1.85
0
-
-
最大
2.0
0
V
CCQ
+0.2
2)
0.4
单位
V
V
V
V
电容
1)
（ F = 1MHz的，T
A
=25°C)
项
输入电容
输入/输出电容
1.电容进行采样，而不是100 ％测试。
符号
C
IN
C
IO
测试条件
V
IN
=0V
V
IO
=0V
民
-
-
最大
8
10
单位
pF
pF
DC和工作特性
项
输入漏电流
输出漏电流
平均工作电流
输出低电压
输出高电压
符号
测试条件
V
IN
= VSS到V
CCQ
CS
1
=V
IH
或CS
2
=V
IL
或OE = V
IH
或WE = V
IL
或LB = UB = V
IH
,
V
IO
= VSS到V
CCQ
循环Time≥t
RC
+3t
PC
, I
IO
= 0毫安， 100 ％的关税， CS
1
=V
白细胞介素，
CS
2
=
V
IH
， LB = V
IL
或/和UB = V
IL
, V
IN
=V
IH
或V
IL
I
OL
=0.1mA
I
OH
=-0.1mA
其他输入= 0 V
CCQ
1 ） CS
1
≥V
CCQ
-0.2V
,
CS
2
≥
V
CCQ
-
0.2V(CS
1
控制）或
2) 0V
≤
CS
2
≤
0.2V(CS
2
控制）
< 40℃
＆ LT ; 85°C
民
-1
-1
-
-
1.4
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
最大
1
1
40
0.2
-
120
180
单位
A
A
mA
V
V
A
A
I
LI
I
LO
I
CC2
V
OL
V
OH
待机电流（ CMOS ）
I
SB11)
1.待机模式应该是设置后的至少一种活性operation.after电。
I
SB1
为60ms时，从待机模式设置的时间后测量。
-5-
修订版1.0
2005年4月
QQ：2880707522 复制
