添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线：13692101218  13751165337
Pdf资料  |  热门库存  |  IC详细资料  |  网站地图
IC供应 PDF资料 非IC供应
51电子网联系电话：13692101218
首页
供应信息
求购信息
非IC专区
技术资料
电子资讯
招聘中心
会展信息 51旺铺 会员中心
位置：首页 > IC型号导航 > 首字符K型号页 > 首字符K的型号第206页 > KHB6D0N40F
半导体
技术参数
概述
KHB6D0N40P/F/F2
N沟道MOS场
场效应晶体管
KHB6D0N40P
A
O
C
F
E
G
B
Q
I
K
M
L
J
D
N
N
H
P
DIM毫米
_
9.9 + 0.2
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
O
1
2
3
这个平面条形MOSFET具有更好的特性，如快速
开关时间，低导通电阻，低栅极电荷和优良
雪崩特性。它主要适用于电子镇流器和
开关模式电源。
特点
V
DSS
= 400V ，我
D
=6.0A
漏极 - 源极导通电阻：
R
DS （ ON）
=1.0
Qg(typ.)=21nC
@V
GS
=10V
15.95 MAX
1.3+0.1/-0.05
_
0.8 + 0.1
_
3.6 + 0.2
_
2.8 + 0.1
3.7
0.5+0.1/-0.05
1.5
_
13.08 + 0.3
1.46
_
1.4 + 0.1
_
1.27 + 0.1
_
2.54 + 0.2
_
4.5 + 0.2
_
2.4 + 0.2
_
9.2 + 0.2
最大额定值（TC = 25
)
等级
1.门
2.漏
3.源
P
Q
特征
符号
KHB6D0N40F单位
KHB6D0N40P
KHB6D0N40F2
400
30
6.0
6.0*
3.6*
24*
320
7.4
4.5
73
38
0.3
150
-55 150
mJ
mJ
V / ns的
W
W/
Q
1
2
3
TO-220AB
KHB6D0N40F
漏源电压
栅源电压
@T
C
=25
漏电流
@T
C
=100
脉冲（注1）
单脉冲雪崩能量
（注2 ）
重复性雪崩能量
（注1 ）
峰值二极管恢复的dv / dt
（注3）
耗电
耗散
Tc=25
减免上述25
V
DSS
V
GSS
I
D
3.6
I
DP
E
AS
E
AR
dv / dt的
P
D
0.59
T
j
T
英镑
24
V
V
E
A
F
C
O
暗淡
B
MILLIMETERS
A
K
L
M
J
R
D
N
N
H
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
O
Q
R
_
10.16
+
0.2
_
15.87
+
0.2
_
2.54
+
0.2
_
0.8
+
0.1
_
3.18
+
0.1
_
3.3
+
0.1
_
12.57
+
0.2
_
0.5
+
0.1
13.0 MAX
_
3.23
+
0.1
1.47 MAX
1.47 MAX
_
2.54
+
0.2
_
6.68
+
0.2
_
4.7
+
0.2
_
2.76
+
0.2
G
1.门
2.漏
3.源
最高结温
存储温度范围
热特性
TO- 220IS （1）
KHB6D0N40F2
A
热阻，结到外壳
热电阻，外壳到散热器
热阻，结点到
环境
R
thJC
R
乡镇卫生院
R
thJA
C
F
1.71
0.5
62.5
3.31
-
62.5
/W
S
/W
/W
P
E
G
B
暗淡
MILLIMETERS
*：漏电流受最高结温。
K
L
L
R
引脚连接
D
M
D
D
N
N
H
G
1
2
3
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
Q
R
S
_
10.0
+
0.3
_
15.0
+
0.3
_
2.70
+
0.3
0.76+0.09/-0.05
_
Φ3.2
+
0.2
_
3.0
+
0.3
_
12.0
+
0.3
0.5+0.1/-0.05
_
13.6
+
0.5
_
3.7
+
0.2
1.2+0.25/-0.1
1.5+0.25/-0.1
_
2.54
+
0.1
_
6.8
+
0.1
_
4.5
+
0.2
_
2.6
+
0.2
0.5 TYP
Q
J
1.门
2.漏
3.源
S
TO-220IS
2007. 5. 10
版本号： 0
1/7
KHB6D0N40P/F/F2
电气特性（ TC = 25
特征
)
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
符号
STATIC
漏源击穿电压
击穿电压温度系数
排水截止电流
栅极阈值电压
栅极漏电流
漏源导通电阻
BV
DSS
BV
DSS
/ T
j
I
DSS
V
th
I
GSS
R
DS （ ON）
I
D
= 250 A，V
GS
=0V
I
D
= 250 A，参考25
V
DS
=400V, V
GS
=0V,
V
DS
=V
GS
, I
D
=250 A
V
GS
= 30V, V
DS
=0V
V
GS
= 10V ，我
D
=3A
400
-
-
2.0
-
-
-
0.54
-
-
-
0.9
-
-
10
4.0
100
1
V
V/
A
V
nA
动态
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
输入电容
反向传输电容
输出电容
源极 - 漏极二极管评级
连续源电流
脉冲源电流
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
I
S
V
GS
＆ LT ; V
th
I
SP
V
SD
t
rr
Q
rr
I
S
= 6A ，V
GS
=0V
I
S
= 6A ，V
GS
=0V,
DIS / DT = 100A / S
-
-
-
-
-
-
270
2.15
24
1.5
-
-
V
ns
C
-
-
6
A
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
V
DS
=25V, V
GS
= 0V ， F = 1.0MHz的
V
DD
=200V
R
L
=33
R
G
=25
(Note4,5)
-
-
-
-
-
-
-
822
14
97
200
70
1020
17
120
pF
V
DS
= 320V ，我
D
=6A
V
GS
=10V
(Note4,5)
-
-
-
-
-
21
3.6
8.3
-
-
25
4.4
13
40
50
ns
nC
注1 ） Repetivity的评价：脉冲宽度有限的结温。
注2 ） L = 20.1mH ，我
S
= 6A ，V
DD
= 50V ，R
G
= 25 ，起始物为
j
=25 .
注3 ）I
S
图6A中， di / dt的
100A/
, V
DD
BV
DSS
，起始物为
j
=25
2%.
.
注4 ）脉冲测试：脉冲宽度
300 ，占空比
注5 ）基本上是独立的工作温度。
2007. 5. 10
版本号： 0
2/7
KHB6D0N40P/F/F2
Fig1 。我
D
- V
DS
V
GS
TOP ： 15.0 V
10.0 V
8.0 V
10
1
7.0 V
6.0 V
5.5 V
5.0 V
底部： 4.5 V
Fig2 。我
D
- V
GS
漏电流I
D
(A)
漏电流I
D
(A)
10
1
-55
C
10
0
150
C
25
C
10
0
10
-1
10
-1
10
0
10
1
10 2
-1
4
6
8
10
漏 - 源极电压V
DS
(V)
栅 - 源电压V
GS
(V)
Fig3 。 BV
DSS
- TJ
归一化的击穿电压BV
DSS
1.2
3.2
图四。
DS （ ON）
- I
D
ON - 电阻r
DS （ ON）
()
1.1
2.4
V
G
= 10V
1.0
1.6
V
G
= 20V
0.9
0.8
0.8
-100
-50
0
50
100
150
0.0
0
4
8
12
16
20
24
结温Tj （ C）
漏电流I
D
(A)
Fig5 。我
DR
- V
SD
归在阻抗R
DS （ ON）
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-100
Fig6 。
DS （ ON）
- TJ
V
GS
= 10V
I
D
= 3A
反向漏电流I
DR
(A)
10
1
10
0
150 C
25 C
10
-1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
-50
0
50
100
150
源 - 漏极电压V
SD
(V)
结温Tj （ C）
2007. 5. 10
版本号： 0
3/7
KHB6D0N40P/F/F2
Fig7 。 - V
DS
1600
1400
Fig8 。 Qg- V
GS
栅 - 源电压V
GS
(V)
频率= 1MHz的
12
I = 6A
D
10
8
6
4
2
0
0
5
10
15
20
V
DS
= 80V
V
DS
= 200V
V
DS
= 320V
电容（pF）
1200
1000
800
600
400
200
0
10-
1
西塞
科斯
CRSS
10
0
10
1
漏 - 源极电压V
DS
(V)
门 - 电荷Qg （ NC）
Fig9 。安全工作区
10
2
Fig10 。安全工作区
（ KHB6D0N40F ， KHB6D0N40F2 ）
10
2
操作在此
区由R限于
DS （ ON）
10
s
(KHB6D0N40P)
操作在此
区由R限于
DS （ ON）
漏极电流ID （ A）
10
1
100s
1ms
漏极电流ID （ A）
10s
10
1
100s
1ms
10
0
10ms
100ms
DC
10
0
10毫秒
100毫秒
10
-1
10
-1
DC
10
-2
10
0
TC = 25
C
T
j
= 150
C
单一不重复的脉冲
TC = 25
C
T
j
= 150
C
单一不重复的脉冲
10
1
10
2
10
3
10
-2
10
0
10
1
10
2
10
3
漏 - 源极电压V
DS
(V)
漏 - 源极电压V
DS
(V)
Fig11 。我
D
- T
j
6
5
漏电流I
D
(A)
4
3
2
1
0
25
50
75
100
125
150
结温Tj （
C
)
2007. 5. 10
版本号： 0
4/7
KHB6D0N40P/F/F2
Fig12 。瞬态热响应曲线
归一化瞬态热阻
10
0
Duty=0.5
0.2
10
-1
0.1
0.05
P
DM
t
1
t
2
单脉冲
0.02
0.01
- 占空比，D = T
1
/t
2
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
-2
10
-5
10
-4
时间（秒）
Fig13 。瞬态热响应曲线
归一化瞬态热阻
10
0
Duty=0.5
0.2
10
-1
0.1
0.05
P
DM
t
1
t
2
单脉冲
0.02
0.01
10
-2
- 占空比，D = T
1
/t
2
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
-5
10
-4
时间（秒）
2007. 5. 10
版本号： 0
5/7
半导体
技术参数
概述
KHB6D0N40P/F
N沟道MOS场
场效应晶体管
KHB6D0N40P
这个平面条形MOSFET具有更好的特性，如快速
开关时间，低导通电阻，低栅极电荷和优良
雪崩特性。它主要适用于电子镇流器和
开关模式电源。
A
O
C
F
E
G
B
Q
I
特点
V
DSS
= 400V ，我
D
=6.0A
漏极 - 源极导通电阻：
R
DS （ ON）
=1.0
Qg(typ.)=21nC
@V
GS
=10V
K
M
L
J
D
N
N
P
H
最大额定值（TC = 25
特征
漏源电压
栅源电压
@T
C
=25
漏电流
@T
C
=100
脉冲（注1）
单脉冲雪崩能量
（注2 ）
重复性雪崩能量
（注1 ）
峰值二极管恢复的dv / dt
（注3）
耗电
耗散
Tc=25
减免上述25
)
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
E
AS
E
AR
dv / dt的
P
D
T
j
T
英镑
73
0.59
150
-55 150
6.0
3.6
24
320
7.4
4.5
38
0.3
等级
KHB6D0N40P KHB6D0N40F
400
30
6.0*
3.6*
24*
mJ
mJ
P
E
DIM毫米
_
9.9 + 0.2
A
15.95 MAX
B
1.3+0.1/-0.05
C
_
D
0.8 + 0.1
_
E
3.6 + 0.2
_
F
2.8 + 0.1
3.7
G
H
0.5+0.1/-0.05
1.5
I
_
13.08 + 0.3
J
K
1.46
_
1.4 + 0.1
L
_
1.27+ 0.1
M
_
2.54 + 0.2
N
_
4.5 + 0.2
O
_ 0.2
2.4 +
P
_
9.2 + 0.2
Q
1
2
3
单位
V
V
1.门
2.漏
3.源
TO-220AB
A
KHB6D0N40F
A
F
O
B
G
C
V / ns的
K
W
L
W/
D
M
M
J
Q
最高结温
存储温度范围
热特性
热阻，结到外壳
热电阻，外壳到散热器
热阻，结点到
环境
H
DIM毫米
_
10.16 + 0.2
A
_
15.87 + 0.2
B
_
C
+ 0.2
2.54
_
D
0.8 + 0.1
_
E
3.18 + 0.1
_
F
3.3 + 0.1
_
12.57 + 0.2
G
_
0.5 + 0.1
H
J
13.0 MAX
_
K
3.23 + 0.1
L
1.47 MAX
_
2.54 + 0.2
M
_
N
4.7 + 0.2
_
O
6.68 + 0.2
P
6.5
_
Q
2.76 + 0.2
R
thJC
R
乡镇卫生院
R
thJA
1.71
0.5
62.5
3.31
-
62.5
/W
/W
/W
N
1
2
3
1.门
2.漏
3.源
*：漏电流受最高结温。
D
TO-220IS
G
S
2006. 1. 13
版本号： 0
1/7
KHB6D0N40P/F
电气特性（ TC = 25
特征
)
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
符号
STATIC
漏源击穿电压
击穿电压温度系数
排水截止电流
栅极阈值电压
栅极漏电流
漏源导通电阻
BV
DSS
BV
DSS
/ T
j
I
DSS
V
th
I
GSS
R
DS （ ON）
I
D
= 250 A，V
GS
=0V
I
D
= 250 A，参考25
V
DS
=400V, V
GS
=0V,
V
DS
=V
GS
, I
D
=250 A
V
GS
= 30V, V
DS
=0V
V
GS
= 10V ，我
D
=3A
400
-
-
2.0
-
-
-
0.54
-
-
-
0.9
-
-
10
4.0
100
1
V
V/
A
V
nA
动态
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
输入电容
反向传输电容
输出电容
源极 - 漏极二极管评级
连续源电流
脉冲源电流
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
I
S
I
SP
V
SD
t
rr
Q
rr
V
GS
＆ LT ; V
th
I
S
= 6A ，V
GS
=0V
I
S
= 6A ，V
GS
=0V,
DIS / DT = 100A / S
-
-
-
-
-
-
-
-
270
2.15
6
24
1.5
-
-
A
V
ns
C
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
V
DS
=25V, V
GS
= 0V ， F = 1.0MHz的
V
DD
=200V
R
L
=33
R
G
=25
(Note4,5)
V
DS
= 320V ，我
D
=6A
V
GS
=10V
(Note4,5)
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
21
3.6
8.3
-
-
-
-
822
14
97
25
4.4
13
40
50
200
70
1020
17
120
pF
ns
nC
注1 ） Repetivity的评价：脉冲宽度有限的结温。
注2 ） L = 20.1mH ，我
S
= 6A ，V
DD
= 50V ，R
G
= 25 ，起始物为
j
=25 .
注3 ）I
S
图6A中， di / dt的
100A/
, V
DD
BV
DSS
，起始物为
j
=25
2%.
.
注4 ）脉冲测试：脉冲宽度
300 ，占空比
注5 ）基本上是独立的工作温度。
2006. 1. 13
版本号： 0
2/7
KHB6D0N40P/F
I
D
- V
DS
V
GS
TOP ： 15.0 V
10.0 V
8.0 V
1
10
7.0 V
6.0 V
5.5 V
5.0 V
底部： 4.5 V
I
D
- V
GS
漏电流I
D
(A)
漏电流I
D
(A)
10
1
10
0
-55
C
150
C
25
C
10
0
10
-1
10
-1
10
0
10
1
10 2
-1
4
6
8
10
漏 - 源极电压V
DS
(V)
栅 - 源电压V
GS
(V)
BV
DSS
- TJ
归一化的击穿电压BV
DSS
1.2
3.2
R
DS （ ON）
- I
D
ON - 电阻r
DS （ ON）
()
1.1
2.4
V
G
= 10V
1.0
1.6
V
G
= 20V
0.9
0.8
0.8
-100
-50
0
50
100
150
0.0
0
4
8
12
16
20
24
结温Tj （ C）
漏电流I
D
(A)
I
DR
- V
SD
归在阻抗R
DS （ ON）
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-100
R
DS （ ON）
- TJ
V
GS
= 10V
I
D
= 3A
反向漏电流I
DR
(A)
10
1
10
0
150 C
25 C
10
-1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
-50
0
50
100
150
源 - 漏极电压V
SD
(V)
结温Tj （ C）
2006. 1. 13
版本号： 0
3/7
KHB6D0N40P/F
- V
DS
1600
1400
Qg- V
GS
栅 - 源电压V
GS
(V)
频率= 1MHz的
12
I = 6A
D
10
8
6
4
2
0
0
5
10
15
20
V
DS
= 80V
V
DS
= 200V
V
DS
= 320V
电容（pF）
1200
1000
800
600
400
200
0
10-
1
10
西塞
科斯
CRSS
0
10
1
漏 - 源极电压V
DS
(V)
门 - 电荷Qg （ NC）
安全工作区
10
2
安全工作区
操作在此
区由R限于
DS （ ON）
10
s
操作在此
区由R限于
DS （ ON）
10
2
漏极电流ID （ A）
10
1
漏极电流ID （ A）
10s
100s
1ms
10
1
100s
1ms
10
0
10ms
100ms
DC
10
0
10毫秒
100毫秒
10
-1
10
-1
DC
10
-2
10
0
TC = 25
C
T
j
= 150
C
单一不重复的脉冲
TC = 25
C
T
j
= 150
C
单一不重复的脉冲
10
1
10
2
10
3
10
-2 0
10
10
1
10
2
10
3
漏 - 源极电压V
DS
(V)
(KHB6D0N40P)
漏 - 源极电压V
DS
(V)
(KHB6D0N40F)
I
D
- T
j
6
5
漏电流I
D
(A)
4
3
2
1
0
25
50
75
100
125
150
结温Tj （
C
)
2006. 1. 13
版本号： 0
4/7
KHB6D0N40P/F
R
th
{KHB6D0N40P}
归一化瞬态热阻
10
0
Duty=0.5
0.2
0.1
10
-1
0.05
P
DM
t
1
ULS
eP
e
0.02
0
.01
l
ng
Si
t
2
- 占空比，D = T
1
/t
2
- R
thJC
=
T
J（下最大）
- T
c
P
D
10
1
10
-2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
方波脉冲持续时间（秒）
R
th
{KHB6D0N40F}
归一化瞬态热阻
Duly=0.5
10
0
0.2
0.1
0.05
P
DM
t
1
t
2
eP
gl
in
u
LSE
10
-1
0.02
0.0
1
- 占空比，D = T
1
/t
2
- R
thJC
=
T
J（下最大）
- T
c
P
D
10
1
S
10
-2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
方波脉冲持续时间（秒）
2006. 1. 13
版本号： 0
5/7
查看更多KHB6D0N40FPDF信息
推荐型号
K590KH1
KHS-17A11-120
K1149AA
KT940L51
KT845W55
K6R3024V1D-HC12
K4M56323LE-ML80
KHAU-11D11H-24
K6T1008C2C-GB70
K9F1208Q0B-P
KIC3201T-46
K1S6416BCC-I
KBPC606
KSC5042M
KS8993F
K4H1G0438E-TCA0
KA2161
KIA3502P
KT880T15
K4J52324QC-BC20
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    KHB6D0N40F
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市集创讯科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2885393494 复制 点击这里给我发消息 QQ：2885393495 复制

电话：0755-83244680/82865294
联系人：吴小姐
地址：深圳市福田区华强北电子科技大厦A座36楼C09室
KHB6D0N40F
KEC
24+
13850
TO-220IS
原装进口正品现货，只做原装，长期供货
北京首天伟业科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881290686 复制

电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：刘经理
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
KHB6D0N40F
KEC
21+
5338
TO-220F
全新原装正品/质量有保证
北京人上科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：5645336 复制
电话：13910052844（微信同步）
联系人：刘先生
地址：海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
KHB6D0N40F
√ 欧美㊣品
▲10/11+
8241
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
查询更多KHB6D0N40F供应信息
深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功！