PD - 93969
抗辐射
功率MOSFET
表面贴装（ SMD - 2 ）
产品概述
产品编号辐射水平
IRHNA9260
100K拉德（SI ）
IRHNA93260 300K拉德（SI ）
R
DS （ ON）
0.154
0.154
I
D
-29A
-29A
IRHNA9260
JANSR2N7426U
200V ， P- CHANNEL
REF ： MIL -PRF- 655分之19500
RAD- HARD
HEXFET
技术
QPL型号
JANSR2N7426U
JANSF2N7426U
SMD-2
国际整流器公司的抗辐射
MOSFET技术，提供高性能
功率MOSFET的空间应用。该技
术有超过十年的经验证的性能
和可靠性在卫星应用中。这些描述
罪恶已被鉴定为总剂量
和单粒子效应（ SEE） 。组合
中低R
DS （ ON）
和低门电荷降低
功率损耗在开关应用中，如DC
至DC转换器和电动机控制。这些描述
恶习保留所有已确立的优势
MOSFET的诸如电压控制的，快速的开关
荷兰国际集团，易于并联和温度稳定性
的电参数。
TM
HEXFET
产品特点：
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
硬化单粒子效应（ SEE ）
超低低R
DS （ ON）
低总栅极电荷
腾宽容
简单的驱动要求
易于并联的
密封式
表面贴装
陶瓷封装
重量轻
绝对最大额定值
参数
ID @ VGS = -12V ， TC = 25°C
ID @ VGS = -12V ， TC = 100℃
IDM
PD @ TC = 25°C
VGS
EAS
IAR
EAR
dv / dt的
TJ
T英镑
连续漏电流
连续漏电流
漏电流脉冲
马克斯。功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
Pckg 。安装面温度。
重量
300 （ 5秒）
3.3 （典型值）
-29
-18
-116
300
2.4
±20
500
-29
30
-20
-55到150
预辐照
单位
A
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
V / ns的
o
C
g
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1
11/21/00
IRHNA9260 ， JANSR2N7426U
预辐照
电气特性
@ TJ = 25 ° C（除非另有说明）
参数
BVDSS
漏极至源极击穿电压
ΔBV
细数DSS / ΔTJ温度系数
电压
RDS （ ON）
静态漏 - 源极导通状态
阻力
VGS （ TH）
栅极阈值电压
政府飞行服务队
正向跨导
IDSS
零栅极电压漏极电流
民
-200
—
—
—
-2.0
14
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值最大值单位
—
-0.27
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
4.0
—
—
0.154
0.159
-4.0
—
-25
-250
-100
100
300
65
58
37
141
148
220
—
V
V /°C的
V
S( )
A
测试条件
VGS = 0V ，ID = -1.0mA
参考至25℃ ， n = -1.0mA
VGS = -12V ，ID = -18A
VGS = -12V ，ID = -29A
VDS = VGS ，ID = -1.0mA
VDS > -15V ， IDS = -18A
VDS = -160V ， VGS = 0V
VDS = -160V ，
VGS = 0V ， TJ = 125°C
VGS = -20V
VGS = 20V
VGS = -12V ，ID = -29A
VDS = -100V
VDD = -100V ， ID = -29A
RG = 2.35Ω
IGSS
IGSS
Qg
QGS
QGD
td
（上）
tr
td
（关闭）
tf
LS + LD
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（米勒?? ??）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总电感
nA
nC
ns
nH
从中心测量
漏极焊盘源垫的中心
VGS = 0V ， VDS = -25V
F = 1.0MHz的
西塞
科斯
CRSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
—
—
—
6143
915
159
—
—
—
pF
源极 - 漏极二极管额定值和特性
参数
IS
ISM
VSD
TRR
QRR
吨
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
最小典型最大单位
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
-29
-116
-3.0
738
12
测试条件
A
V
ns
C
T
j
= 25°C ， IS = -29A ， VGS = 0V
TJ = 25°C ， IF = -29A ， di / dt的
≤
-100A/s
VDD
≤
-50V
固有的导通时间是可以忽略不计。接通速度基本上由LS + LD控制。
热阻
参数
RthJC
RthJ -PCB
结到外壳
结至PC板
最小典型最大
—
—
—
1.6
0.42
—
单位
° C / W
测试条件
焊接到一个2“正方形镀铜板
注：对应的香料和军刀车型可在G&S网站。
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2
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辐射特性
IRHNA9260 ， JANSR2N7426U
国际整流器抗辐射的MOSFET进行测试，以验证其抗辐射能力。
在国际整流器硬度保证计划包括两个辐射环境中。
每一个生产批次的总电离剂量测试（每个音符5和6）采用TO- 3封装。两
前和辐照后的性能进行了测试和指定的使用相同的驱动器电路和测试
为了条件下提供直接的比较。
表1.电气特性@ TJ = 25 ° C，邮政总剂量辐射
参数
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
V
SD
漏极至源极击穿电压
栅极阈值电压
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
零栅极电压漏极电流
静态漏 - 源
通态电阻（ TO- 3 ）
静态漏 - 源
通态电阻（ SMD - 2 ）
二极管的正向电压
100K拉德（SI ）
1
300K拉德（SI ）
2
单位
V
nA
A
V
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= -1.0mA
V
GS
= V
DS
, I
D
= -1.0mA
V
GS
= -20V
V
GS
= 20 V
V
DS
= -160V, V
GS
=0V
V
GS
= -12V ，我
D
=-18A
V
GS
= -12V ，我
D
= -18A
V
GS
= 0V ， IS = -29A
民
-200
-2.0
—
—
—
—
—
—
最大
民
最大
—
-5.0
-100
100
-25
0.161
0.160
-3.0
—
-200
-4.0
-2.0
-100
—
100
—
- 25
—
0.155
—
0.154
-3.0
—
—
1.产品型号IRHNA9260
2.产品编号IRHNA93260
国际整流器抗辐射的MOSFET已被鉴定为重离子环境
单粒子效应（ SEE ） 。单粒子效应特性示于图。一及表二。
表2.单粒子效应安全工作区
离子
Cu
Br
LET
兆电子伏/ （毫克/平方厘米
2
))
28.0
36.8
能源
（兆电子伏）
285
305
范围
(m)
43.0
39.0
V
DS
(V)
@V
GS
=0V @V
GS
=5V @V
GS
=10V
-200
-200
-200
-200
-200
-125
@V
GS
=15V
-200
-75
@V
GS
=20V
—
—
-250
-200
VDS
-150
-100
-50
0
0
5
10
VGS
15
20
Cu
Br
所示的。
单粒子效应，安全工作区
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3
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