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J308
JFET VHF / UHF放大器
N沟道 - 耗尽
最大额定值
等级
Source
电压
栅源电压
正向栅电流
器件总功耗
@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
结温范围
存储温度范围
符号
V
DS
V
GS
I
GF
P
D
价值
25
25
10
350
2.8
65
+125
65
+150
单位
VDC
VDC
MADC
mW
毫瓦/°C的
°C
°C
http://onsemi.com
1
2
3
T
J
T
英镑
CASE 29-11 ,风格5
TO-92 (TO- 226AA )
1 DRAIN
3
2 SOURCE
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
特征
符号
典型值
最大
单位
开关特性
Source
击穿电压
(I
G
=
1.0
μAdc ,
V
DS
= 0)
门反向电流
(V
GS
=
15
VDC ,V
DS
= 0, T
A
= 25°C)
(V
GS
=
15
VDC ,V
DS
= 0, T
A
= +125°C)
门源截止电压
(V
DS
= 10 VDC ,我
D
= 1.0 NADC )
J308
J309
J310
V
( BR ) GSS
I
GSS
25
VDC
1.0
1.0
2.0
1.0
1.0
6.5
4.0
6.5
NADC
μAdc
VDC
V
GS ( OFF )
基本特征
-Gate - 电压
漏电流
(1)
(V
DS
= 10 VDC ,V
GS
= 0)
J308
J309
J310
I
DSS
MADC
12
12
24
60
30
60
1.0
VDC
门源正向电压
(V
DS
= 0, I
G
= 1.0 MADC )
V
GS ( F)
半导体元件工业有限责任公司, 2006年
2006年8月,
第2版
1
出版订单号:
J308/D
J308
特征
符号
典型值
最大
单位
小信号特性
共源输入电导
(V
DS
= 10 VDC ,我
D
= 10 MADC , F = 100兆赫)
J308
J309
J310
回复(Y
is
)
毫姆欧
0.7
0.7
0.5
0.25
16
毫姆欧
dB
共源输出电导
(V
DS
= 10 VDC ,我
D
= 10 MADC , F = 100兆赫)
共栅功率增益
(V
DS
= 10 VDC ,我
D
= 10 MADC , F = 100兆赫)
1.脉冲测试:脉冲宽度
v
300
μs,
占空比
v
3.0%.
回复(Y
os
)
G
pg
小信号特性(续)
共源正向跨导
(V
DS
= 10 VDC ,我
D
= 10 MADC , F = 100兆赫)
共栅输入电导
(V
DS
= 10 VDC ,我
D
= 10 MADC , F = 100兆赫)
共源正向跨导
(V
DS
= 10 VDC ,我
D
= 10 MADC , F = 1.0千赫)
J308
J309
J310
回复(Y
fs
)
回复(Y
ig
)
g
fs
12
12
毫姆欧
毫姆欧
μmhos
8000
10000
8000
20000
20000
18000
250
共源输出电导
(V
DS
= 10 VDC ,我
D
= 10 MADC , F = 1.0千赫)
共栅正向跨导
(V
DS
= 10 VDC ,我
D
= 10 MADC , F = 1.0千赫)
J308
J309
J310
J308
J309
J310
g
os
g
fg
μmhos
μmhos
13000
13000
12000
150
100
150
1.8
4.3
2.5
5.0
共栅输出电导
(V
DS
= 10 VDC ,我
D
= 10 MADC , F = 1.0千赫)
g
og
μmhos
栅 - 漏电容
(V
DS
= 0, V
GS
=
10
VDC , F = 1.0兆赫)
栅极 - 源极电容
(V
DS
= 0, V
GS
=
10
VDC , F = 1.0兆赫)
C
gd
C
gs
pF
pF
功能特点
噪声系数
(V
DS
= 10 VDC ,我
D
= 10 MADC , F = 450兆赫)
相当于短路输入噪声电压
(V
DS
= 10 VDC ,我
D
= 10 MADC , F = 100赫兹)
NF
e
n
1.5
10
dB
nV
Hz
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2
J308
50
Ω
来源
U310
C3
L1
C5
C7
1.0 k
+V
DD
C1 = C2 = 0.8
10 pF的, JFD # MVM010W 。
C3 = C4 = 8.35 pF的伊利# 539-002D 。
C5 = C6 = 5000 pF的伊利( 2443-000 ) 。
C7 = 1000 pF的,艾伦布拉德利# FA5C 。
RFC = 0.33
μH
米勒# 9230-30 。
L1 =一个回合# 16铜, 1/4“内径(空芯) 。
L2
P
=一匝# 16铜, 1/4“内径(空芯) 。
L2
S
=一匝# 16铜, 1/4“内径(空芯) 。
RFC
C1
C2
C4
C6
L2
P
L2
S
50
Ω
负载
图1. 450 MHz的共栅放大器测试电路
60
I D ,漏电流(毫安)
V
DS
= 10 V
50
40
30
20
10
5.0
I
DSS
+25
°C
+25
°C
T
A
= 55°C
60
50
40
+150°C
+25
°C
55
°C
30
20
IDSS ,饱和漏极电流(毫安)
70
70
YFS ,正向跨导(毫姆欧)
35
30
25
20
15
10
+150°C
55
°C
+150°C
+25
°C
V
DS
= 10 V
F = 1.0 MHz的
T
A
= 55°C
+25
°C
+150°C 10
0
0
5.0
0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
1.0
4.0
3.0
2.0
I
D
V
GS
,栅源电压(伏)
I
DSS
V
GS
,栅源截止电压(伏)
V
GS
,栅源电压(伏)
图2.漏电流和转让
特性与栅源电压
图3.正向跨导
与栅源电压
YFS ,正向跨导(
μ
姆欧)
100 k
Y
fs
1.0 k
YOS ,输出导纳(
μ
姆欧)
10
R
DS
电容(pF)
7.0
120
R DS ,导通阻抗(欧姆)
Y
fs
10 k
96
100
72
C
gs
4.0
48
1.0 k
Y
os
V
GS ( OFF )
= 2.3 V =
V
GS ( OFF )
= 5.7 V =
10
C
gd
1.0
0
10
24
100
0.01
1.0
0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30 50 100
I
D
,漏极电流(毫安)
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
0
V
GS
,门源极电压(伏)
图4.共源输出
准入和正向跨导
与漏极电流
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3
图5.导通电阻和结
电容与栅源电压
J308
|S
21
|, |S
11
|
30
V
DS
= 10 V
I
D
= 10毫安
T
A
= 25°C
3.0
0.85 0.45
S
22
2.4
Y12 (毫姆欧)
Y
11
0.79 0.39
S
21
1.8
0.73 0.33
V
DS
= 10 V
I
D
= 10毫安
T
A
= 25°C
S
11
0.6
Y
12
0
100
200
300
500
男,频率(MHz)
700
1000
0.55 0.15
100
0.61 0.21
S
12
200
300
500
男,频率(MHz)
700 1000
0.90
0.012 0.92
0.036 0.96
0.048 0.98
|S
12
|, |S
22
|
0.060 1.00
| Y11 | , | Y21 | , | Y22 | (毫姆欧)
24
18
12
Y
21
Y
22
1.2
0.67 0.27
0.024 0.94
6.0
图6.共栅参数y
幅度与频率
θ
21
,
θ
11
180° 50°
θ
22
170°
40°
θ
21
θ
12
,
θ
22
2
0° 87°
20
°
40
°
60
°
80
°
100
°
150°
20°
θ
12
θ
11
140°
10°
V
DS
= 10 V
I
D
= 10毫安
T
A
= 25°C
700
120
°
84°
140
°
160
°
83°
180
°
200
°
82°
1000
85°
86°
图7.共栅的S参数
幅度与频率
θ
11
,
θ
12
20
°
120°
40
°
100°
60
°
80°
80
°
60°
θ
12
100
°
40°
120
°
20°
100
V
DS
= 10 V
I
D
= 10毫安
T
A
= 25°C
200
300
500
男,频率(MHz)
θ
11
80
°
100
°
1000
θ
21
θ
21
,
θ
22
θ
11
θ
22
0
20
°
40
°
60
°
160°
30°
θ
21
130°
100
200
300
500
男,频率(MHz)
700
图8.共栅参数y
相角与频率
图9. s参数相角
与频率
8.0
7.0
NF ,噪声系数(dB )
6.0
5.0
G
pg
4.0
NF
3.0
2.0
1.0
0
4.0
6.0
8.0
10 12
14 16
18
I
D
,漏极电流(毫安)
20
22
V
DD
= 20 V
F = 450 MHz的
BW
10兆赫
图1所示电路
24
21
PG ,功率增益(分贝)
NF ,噪声系数(dB )
18
15
12
9.0
6.0
3.0
0
24
7.0
26
6.0
5.0
G
pg
4.0
3.0
2.0
1.0
2.0
0
50
100
200 300
男,频率(MHz)
500 700 1000
V
DS
= 10 V
I
D
= 10毫安
T
A
= 25°C
图1所示电路
NF
6.0
18
14
10
PG ,功率增益(分贝)
22
图10.噪声系数和
功率增益与漏电流
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4
图11.噪声系数和功率增益
与频率
J308
C1
S
G
输入
R
S
= 50
Ω
L1
C2
L2
C3
U310
D
C4
L3
C5
L4
C6
产量
R
L
= 50
Ω
V
S
V
D
图12. 450 MHz的IMD评估放大器
B
W
(3 dB为单位)
36.5兆赫
I
D
10 MADC
V
DS
20伏直流
设备外壳接地
IM测试音
F1 = 449.5兆赫, F2 = 450.5兆赫
C1 = 1-10 pF的约翰森空气可变微调。
C2,C5 = 100pF的供给通钮电容器。
C3,C4, C6 = 0.5-6 pF的约翰森空气可变切边
MER 。
L1 = 1/8 “× 1/32 ”× 1-5 / 8 “铜条。
L2 , L4 = Ferroxcube公司Vk200呛。
L3 = 1/8 “× 1/32 ”× 1-7 / 8 “铜条。
放大器的功率增益和IMD产物是负载阻抗的函数。对于放大器的设计上面显示有
C4和C6调整,以反映负载造成9分贝,三阶截取点的额定功率增益漏极( IP )
值是29 dBm的。调节C4,C6 ,以提供较大的负载的值将导致更高的增益,小的带宽和更低的IP
值。例如,为13 dB的标称增益可以为19 dBm的截点来实现。
+40
输出功率PER TONE ( DBM)
+20
0
20
40
60
80
100
120
120
U310 JFET
V
DS
= 20伏直流
I
D
= 10 MADC
F1 = 449.5兆赫
F2 = 450.5兆赫
3阶截取点
基本输出
三阶IMD输出
100
60
40
20
80
输入功率PER TONE ( DBM)
0
+20
拦截点的情节使用示例:
假定的频带内的两个信号
20
dBm的在了放大器
呃输入。它们将产生一个第三阶IMD信号在
的输出
90
dBm的。另外,每个信号电平在
输出将是
11
dBm时,示出的放大器的增益
9.0分贝和互调比( IMR )的能力
79分贝。增益和IMR值仅适用于显
最终水平低于对照。
图13.双音3阶截取点
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    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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