J110
JFET - 通用
N沟道 - 耗尽
N沟道结型场效应晶体管，耗尽型
（A型）专为通用音频放大器，模拟
开关和菜刀。
特点
http://onsemi.com
1 DRAIN
N通道的增益更高
漏极和源极可互换
高交流输入阻抗
高DC输入电阻
低R
DS （ ON）
＆ LT ; 18
W
快速开关吨
D（上）
+ t
r
= 8.0纳秒（典型值）
低噪声EN = 6.0纳伏/ √Hz的@ 10赫兹（典型值）
无铅包可用*
3
门
2 SOURCE
记号
图
最大额定值
等级
栅源电压
排水-Gate电压
栅电流
器件总功耗
@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
工作结点温度范围
存储温度范围
T
J
T
英镑
符号
VG
S
V
DG
I
G
P
D
310
2.82
135
-65到+150
mW
毫瓦/°C的
°C
°C
J110 =器件代码
A
=大会地点
Y
=年
WW
=工作周
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
价值
25
25
10
单位
VDC
VDC
MADC
1
2
3
CASE 29
TO-92 （TO- 226）
风格5
J110
AYWW
G
G
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
订购信息
设备
J110
J110G
J110RLRA
J110RLRAG
包
TO92
TO92
（无铅）
TO92
TO92
（无铅）
航运
1000单位/箱
1000单位/箱
2000 /磁带&卷轴
2000 /磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
1
2005年11月 - 修订版6
出版订单号：
J110/D
J110
包装尺寸
TO-92 （TO- 226）
CASE 29-11
ISSUE AL
A
R
P
L
座位
飞机
B
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.轮廓的包装BEYOND尺寸R
不加控制。
4. LEAD维不受控制IN P和
BEYOND尺寸k最低限度。
英寸
民
最大
0.175
0.205
0.170
0.210
0.125
0.165
0.016
0.021
0.045
0.055
0.095
0.105
0.015
0.020
0.500
0.250
0.080
0.105
0.100
0.115
0.135
MILLIMETERS
民
最大
4.45
5.20
4.32
5.33
3.18
4.19
0.407
0.533
1.15
1.39
2.42
2.66
0.39
0.50
12.70
6.35
2.04
2.66
2.54
2.93
3.43
K
X X
G
H
V
1
D
J
C
第X-X
N
N
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
L
N
P
R
V
风格5 ：
PIN 1.排放
2.源
3.门
安森美半导体
和
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4
J110/D
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