【PolarHVTM功率MOSFETN沟道增强模式额定雪崩IXTP 2N60PIXTY 2N60PVD】,IC型号IXTY2N60P,IXTY2N60P PDF资料,IXTY2N60P经销商,ic,电子元器件-51电子网

PolarHV

功率MOSFET

N沟道增强模式

额定雪崩

IXTP 2N60P

IXTY 2N60P

DSS

D25

DS （ ON）

= 500

≤

5.1

符号

DSS

DGR

GSS

GSM

D25

dv / dt的

英镑

出售

重量

测试条件

= 25 ℃至150 ℃的

= 25 ℃至150 ℃;

= 1 M

连续

短暂

= 25° C

= 25 ℃，脉冲宽度限制T

= 25° C

≤

， di / dt的

≤

100 A / μs的，V

≤

DSS

≤

150℃ ，R

= 50

= 25° C

最大额定值

600

150

-55 ... +150

150

-55 ... +150

V / ns的

的TO-220 （ IXTP ）

（ TAB ）

TO- 252 AA （ IXTY ）

°C

G =门

S =源

（ TAB ）

从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）

塑料机身10秒

安装力矩

TO-220

TO-252

(TO-220)

300

260

D =漏

TAB =漏

1.13 / 10牛米/ lb.in 。

0.8

特点

符号

测试条件

= 25 ℃，除非另有规定）

DSS

GS （ TH）

GSS

DSS

DS （ ON）

= 0 V，I

= 25

= V

, I

= 250

±30

V, V

= 0 V

= V

DSS

= 0 V

= 125° C

特征值

MIN 。 TYP 。

马克斯。

600

3.0

5.0

±50

5.1

国际标准封装

非钳位感应开关（ UIS）

评级

低封装电感

- 易于驾驶和保护

优势

= 10 V，I

= 0.5 I

D25

脉冲测试，T

≤

300

占空比

≤

2 %

易于安装

节省空间

高功率密度

2006 IXYS所有权利

DS99422E(04/06)

IXTP 2N60P

IXTY 2N60P

符号

测试条件

特征值

= 25 ℃，除非另有规定）

分钟。

典型值。

马克斯。

1.4

2.2

240

= 0 V, V

= 25 V ， F = 1兆赫

3.5

= 10 V, V

= 0.5 V

DSS

, I

=0.5 I

D25

= 50

（外部）

7.0

= 10 V, V

= 0.5 V

DSS

, I

= 0.5 I

D25

2.5

2.1

2.25 ° C / W

(TO-220)

0.25

C / W

销： 1 - 门

3 - 来源

2 - 漏极

4 - 漏极

TO- 220 （ IXTP ）大纲

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

G（ ON）的

thJC

乡镇卫生院

= 20V;我

= 0.5 I

D25

，脉冲测试

源极 - 漏极二极管

符号

测试条件

= 0 V

重复

特征值

= 25 ° C除非另有说明）

分钟。

典型值。

马克斯。

1.5

400

TO- 252 AA （ IXTY ）大纲

= I

, V

= 0 V,

脉冲测试，T

≤

300

占空比

≤

2 %

= 2 A

-di / DT = 100 A / μs的

销： 1 - 门

4 - 漏极

DIM 。

毫米

分钟。马克斯。

2.19

0.89

0.64

0.76

5.21

0.46

5.97

4.32

6.35

4.32

2.38

1.14

0.13

0.89

1.14

5.46

0.58

6.22

5.21

6.73

5.21

3 - 来源

英寸

分钟。

0.086

0.035

0.025

0.030

0.205

0.018

0.235

0.170

0.250

0.170

马克斯。

0.094

0.045

0.005

0.035

0.045

0.215

0.023

0.245

0.205

0.265

0.205

2.28 BSC

4.57 BSC

9.40 10.42

0.51 1.02

0.64

0.89

2.54

1.02

1.27

2.92

0.090 BSC

0.180 BSC

0.370

0.020

0.025

0.035

0.100

0.410

0.040

0.050

0.115

IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。

IXYS MOSFET和IGBT均受4835592

一个或moreof以下美国专利： 4850072

4,881,106

4,931,844

5,017,508

5,034,796

5,049,961

5,063,307

5,187,117

5,237,481

5,381,025

5,486,715

6,162,665

6,259,123 B1

6,306,728 B1

6,404,065 B1

6,534,343

6,583,505

6,683,344

6,710,405B2

6,710,463

6,727,585

6,759,692

6,771,478 B2

IXTP 2N60P

IXTY 2N60P

图。 1.输出特性

@ 25

1.8

1.6

1.4

= 10V

3.6

3.2

2.8

= 10V

图。 2.扩展的输出特性

@ 25

- 安培

1.2

0.8

0.6

0.4

0.2

- 安培

2.4

1.6

1.2

0.8

0.4

- 伏特

图。 3.输出特性

@ 125

1.8

1.6

= 10V

3.4

3.1

= 10V

- 伏特

图。 4.

DS （上

)

规范alized 0.5我

D25

值与结tem温度

S（O N）

- 归

2.8

2.5

2.2

1.9

1.6

1.3

0.7

0.4

= 2A

= 1A

- 安培

1.4

1.2

0.8

0.6

0.4

0.2

-50

-25

100

125

150

- 伏特

图。 5.

DS （ ON）

规范alized到

0.5 I

D25

价值与我

2.8

2.6

= 10V

= 125

2.2

1.8

1.6

- 摄氏

图。 6.漏电流与案例

tem温度

S（O N）

- 归

2.4

2.2

1.8

1.6

1.4

1.2

0.8

0.5

1.5

- 安培

= 25

1.4

1.2

0.8

0.6

0.4

0.2

-50

-25

100

125

150

2.5

3.5

- 安培

2006 IXYS所有权利

- 摄氏

IXTP 2N60P

IXTY 2N60P

图。 7.输入上将ittance

3.6

3.2

2.8

3.6

3.2

= -40

125

图。 8.跨导

- 安培

2.4

1.6

1.2

0.8

0.4

4.5

5.5

6.5

7.5

=125

-40

F小号

- 西门子

2.8

2.4

1.6

1.2

0.8

0.4

0.8

1.2

1.6

2.4

2.8

3.2

的s

- 伏特

图。 9.源电流和

源 - 漏电压

= 300V

= 1A

= 10毫安

- 安培

图。 10.栅极电荷

- 安培

的s

- 伏特

= 25

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

= 125

S.D。

- 伏特

图。 11.电容

1000

F = 1MHz的

10.0

- nanocoulombs

图。 13.马克西姆嗯瞬态千卡人

阻力

电容 - 皮法

100

T H， J·C

C / W

国际空间站

1.0

OSS

RSS

0.1

100

1000

- 伏特

IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。

脉冲宽度 - 毫秒

查看更多IXTY2N60PPDF信息

供货商

型号

厂家

批号

数量

封装

单价/备注

操作

深圳市壹芯创科技有限公司

QQ：

QQ：2880707522 复制

QQ：2369405325 复制

电话：0755-82780082

联系人：杨小姐

地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

IXTY2N60P

终端采购配单精选

柒号芯城电子商务（深圳）有限公司

QQ：

QQ：2881677436 复制

QQ：2881620402 复制

电话：18922805453

联系人：连

地址：福田区华强北路1019号华强广场D座23楼

IXTY2N60P

终端采购配单精选

更多配单专家

深圳市正信鑫科技有限公司

QQ：

QQ：1686616797 复制

QQ：2440138151 复制

电话：0755-22655674/15099917285

联系人：小邹

地址：深圳市福田区上步工业区201栋西座228室

IXTY2N60P

ＩＸＹＳ

22+

3461

原厂封装

原装正品★真实库存★价格优势★欢迎来电洽谈

深圳市宏捷佳电子科技有限公司

QQ：

QQ：2885134554 复制

QQ：2885134398 复制

电话：0755-22669259 83214703

联系人：李先生，夏小姐

地址：深圳市福田区华强北街道华强北路上步工业区102栋618室

IXTY2N60P

IXYS

2116+

44500

TO-252AA (D PAK)

全新原装现货

江苏芯钻时代电子科技有限公司

QQ：

QQ：1316996791 复制

电话：18913062888

联系人：陈先生

地址：江苏省苏州市昆山市昆山开发区朝阳东路109号

IXTY2N60P

IXYS

24+

9000

TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

原装正品现货

深圳市芯泽盛世科技有限公司

QQ：

QQ：2881147140 复制

电话：0755-89697985

联系人：李

地址：深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822

IXTY2N60P

IXYS

24+

10000

TO-252AA

原厂一级代理，原装现货

深圳市创芯联盈电子有限公司

QQ：

QQ：2881793588 复制

电话：0755-88291559

联系人：陈泽强

地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318

IXTY2N60P

IXYS/艾赛斯

2443+

23000

TO-252

一级代理专营，原装现货，价格优势

深圳市诺洋电子科技有限公司

QQ：

QQ：2881501652 复制

QQ：2881501653 复制

电话：0755-83223003

联系人：朱

地址：福田区红荔路上步工业区201栋西座316

IXTY2N60P

IXYS

24+

19000

TO-252AA

全新原装现货，原厂代理。

深圳市华斯顿电子科技有限公司

QQ：

QQ：1002316308 复制

QQ：515102657 复制

电话：0755-83777708/83777607/82799993

联系人：朱咸华

地址：美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜

IXTY2N60P

25+23+

35500

TO-252

绝对原装进口现货！渠道优势供应!

深圳市深科创科技有限公司

QQ：

QQ：3350142453 复制

QQ：2885393564 复制

电话：0755-83247290

联系人：吴先生/吴小姐/李小姐

地址：深圳市福田区航都大厦17F1

IXTY2N60P

IXYS

23+

1980

TO-252

绝对进口原装，公司现货

深圳市科雨电子有限公司

QQ：

QQ：97877805 复制

电话：171-4729-0036（微信同号）

联系人：卢小姐，171-4729-0036微信同号，无线联通更快捷

地址：体验愉快问购元件！帮您做大生意！！深圳市福田区3037号南光捷佳大厦2418室

IXTY2N60P

IXYS

24+

3675

TO-252

16￥/片,★体验愉快问购元件！！就找我吧!单价:16元

深圳市易信优科技有限公司

QQ：

QQ：1281623813 复制

电话：0755-23914006/18318877587

联系人：陈佳隆

地址：深圳市福田区华强北新亚洲电子市场一期2A108●国利大厦1502室

IXTY2N60P

IXYS/艾赛斯

24+

21000

TO-252

真实库存信息/只做原装正品/支持实单

查询更多IXTY2N60P供应信息

深圳市碧威特网络技术有限公司