CMOS SuperSync FIFO
32,768 x 18
65,536 x 18
.EATURES ：
IDT72275
IDT72285
请选择以下内存组织之间：
IDT72275
32,768 x 18
IDT72285
65,536 x 18
引脚兼容的IDT72255LA / 72265LA SuperSync的FIFO
10ns的读取/写入周期时间（ 6.5ns访问时间）
固定的低第一个字的数据等待时间
自动关机最大限度地降低待机功耗
主复位清除整个FIFO
部分复位清除数据，但保留可编程
设置
重传操作固定，较低的第一个字数据
等待时间
空，满和半满标志信号FIFO状态
可编程几乎空和几乎全部的标志，每个标志
可默认两个预选偏移1
通过串行或并行方式的程序部分的标志
选择IDT标准时间（使用
EF
和
FF
标志）或第一
字告吹时间（使用
OR
和
IR
标志）
输出使能卖出期权数据输出为高阻抗状态
在深度和宽度易于扩展
独立的读写时钟（允许读取和写入
同时进行）
可在64引脚薄型四方扁平封装（ TQFP ）和64
引脚超薄薄型四方扁平封装（ STQFP ）
高性能的亚微米CMOS技术
工业级温度范围（-40 ° C至+ 85°C ），可
描述：
该IDT72275 / 72285顷非常深，高速， CMOS先入
先出（FIFO ）存储器与时钟的读写控制。这些FIFO
提供了众多的改进，比以前的SuperSync的FIFO ，其中包括
以下几点：
的一个时钟输入的频率相对于所述其他的限制有
被删除。该频率选择引脚（ FS）已被去除，从而
它不再需要来选择其中的两个时钟输入， RCLK或
WCLK ，是在更高的频率下运行。
通过重传操作所需的周期是固定的，现在短。
第一个字的数据的等待时间周期，从时间的第一个字被写入到一个
空FIFO它可以读取的时间，现在是固定的，短的。 （变量
与潜伏期相关的时钟周期的延迟计算发现
以前SuperSync设备已经在这个SuperSync家庭淘汰。 ）
.UNCTIONAL框图
文
WCLK
D
0
-D
17
LD SEN
输入寄存器
偏移寄存器
FF / IR
PAF
EF /或
PAE
HF
FWFT / SI
写控制
逻辑
RAM阵列
32,768 x 18
65,536 x 18
旗
逻辑
写指针
读指针
读
控制
逻辑
输出寄存器
太太
PRS
RT
RESET
逻辑
RCLK
任
OE
Q
0
-Q
17
4674 DRW 01
SuperSyncFIFO是商标和IDT标志是集成设备技术，Inc.的注册商标。
商用和工业温度范围
1
2001集成设备技术有限公司
2001年4月
DSC-4674/1
IDT72275 / 72285的CMOS SuperSync FIFO 32,768 ×18 ， 65,536 ×18
商用和工业温度范围
描述（续）
SuperSync的FIFO特别适合于网络视频，与电信
munications ，数据通信，并且需要缓冲的其他应用程序
大量的数据。
输入端口是通过一个写时钟（ WCLK ）输入和一个写控制
使能（ WEN）的输入。数据被写入FIFO上的每个上升沿
当WCLK
文
为有效。输出端口通过一个读时钟控制
（ RCLK ）输入和读使能（ REN）的输入。数据从FIFO中读出上
当RCLK的每个上升沿
任
为有效。输出使能（ OE ）
输入被提供给输出端的三态控制。
两个RCLK的频率和WCLK信号可以从异
0到F
最大
完全独立。上有没有限制
频率的一个时钟输入相对于所述其他的。
有操作这些设备的两种可能的定时方式：
IDT标准模式，第一个字告吹（ FWFT ）模式。
In
IDT标准模式，
写入到一个空的FIFO中的第一个字也不会
出现在数据输出线，除非一个具体的读操作是
进行。读操作，其中包括激活的
任
并启用
一个上升RCLK边缘，从内部存储器中的字将转移到该数据输出
线。
In
FWFT模式，
写入到一个空的FIFO中的第一个字是直接主频
到RCLK信号的3转换后的数据输出线。一
任
没有被断言为访问的第一个字。不过，
写入FIFO以后做的话就需要低
任
进行访问。
在FWFT / SI输入的过程中主复位状态决定的时机
模式中使用。
对于需要更多的数据存储容量比单个FIFO中的应用
可提供的FWFT定时模式允许深度扩张链接
串联的FIFO （先进先出1的即数据输出端连接到所述
的下一个相应的数据输入）。无需外部逻辑是必要的。
这些FIFO有五个标志引脚，
EF /或
（空标志或输出就绪） ，
FF / IR
（满标志或输入就绪） ，
HF
（半满标志）
PAE
（可编程
几乎空标志）和
PAF
（可编程几乎满标志） 。该
EF
和
FF
功能是在IDT标准模式中选择。该
IR
和
OR
功能
在FWFT模式被选择。
HF ， PAE
和
PAF
随时可以使用，
不论定时模式。
PIN CON.IGURATIONS
WCLK
PRS
LD
FWFT / SI
EF /或
RCLK
任
RT
OE
FF / IR
太太
GND
销1
64 63 62 61 60 59 58 57 56 55 54 53 52 51 50 49
文
SEN
DC
V
CC
GND
D17
D16
D15
D14
D13
D12
D11
D10
D9
D8
D7
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
Q17
Q16
GND
Q15
Q14
V
CC
Q13
Q12
Q11
GND
Q10
Q9
Q8
Q7
Q6
GND
D5
D4
D3
D2
D1
D0
GND
Q0
Q1
GND
Q2
Q3
V
CC
PAF
HF
V
CC
PAE
Q4
Q5
D6
4674 DRW 02
TQFP （ PN64-1 ，订货代码： PF ）
STQFP （ PP64-1 ，订货代码： TF ）
顶视图
2
IDT72275 / 72285的CMOS SuperSync FIFO 32,768 ×18 ， 65,536 ×18
商用和工业温度范围
描述（续）
PAE
和
PAF
可以独立地进行编程，以在任何点切换
内存。 （见表一和表二）。可编程偏移确定标志
切换阈值，并且可以通过两种方法来加载：并行或串行。两
还提供了默认偏移设置，从而使
PAE
可设定在127转
或从空边界和1023的位置
PAF
阈值可以被设置
在从全边界127或1023的位置。这些选择都是用
该
LD
在主复位引脚。
对于串口编程，
SEN
再加上
LD
上的每个上升沿
WCLK ，用于通过串行输入（SI ）来加载偏移寄存器。为
并行编程，
文
再加上
LD
在WCLK的每个上升沿，
用于通过Dn得加载偏移寄存器。
任
再加上
LD
每个
RCLK的上升沿可以用于读取的偏移量在从尺寸Qn平行
不管串行或并行偏移装载是否已经被选择。
在主复位（ MRS）发生以下事件：读取和
写指针被设置为FIFO的第一个位置。在FWFT引脚选择
IDT标准模式或FWFT模式。该
LD
引脚选择其中的部分标志
127默认设置并行编程或部分标志默认设置
1023串行编程。该标志根据所述定时更新
选择的模式和默认的偏移量。
该部分复位（ PRS ）还设置了读写指针到第
所述存储器的位置。然而，定时模式，部分标志编程
明的方法和默认的或现有的程序之前设置的偏移
部分复位保持不变。该标志根据更新后
定时模式和有效偏移。
PRS
是在中期重置设备有用
操作中，重编程的部分的标志时，将是不希望的。
该重传功能允许将数据从FIFO重新读取更
不止一次。一个低的
RT
上升RCLK边缘时输入启动
由读指针设置到的所述第一位置重传操作
存储器阵列。
如果，在任何时间，在FIFO没有积极地执行一个操作，该芯片
会自动关机。一旦在断电状态下，待机
电源电流消耗最小化。启动任何操作（由
立即激活控制输入）将停止设备的电源
关闭状态。
该IDT72275 / 72285顷采用IDT的高速亚微米制造
CMOS技术。
部分复位（ PRS ）
写时钟（ WCLK ）
写使能（ WEN ）
LOAD （ LD ）
DATA IN （D
0
- D
n
)
串行ENABLE （ SEN ）
第一个字告吹/串行输入
（ FWFT / SI ）
满标志/ INPUT READY （ FF / IR ）
可编程几乎全（ PAF ）
MASTER RESET （ MRS）
读时钟（ RCLK ）
读使能（ REN）
输出使能（ OE ）
DATA OUT （Q
0
- Q
n
)
IDT
72275
72285
转发（ RT ）
空标志/ OUTPUT READY （ EF / OR）
可编程几乎空（ PAE ）
半满标志（ HF ）
4674 DRW 03
单32,768 ×18和65,536 ×18同步FIFO的图1.框图
3
IDT72275 / 72285的CMOS SuperSync FIFO 32,768 ×18 ， 65,536 ×18
商用和工业温度范围
引脚说明
符号
D
0
–D
17
太太
名字
数据输入
主复位
I / O
I
I
描述
数据输入一个18位的总线。
太太
初始化读写指针为零，并设置输出寄存器为全零。中
主复位时，FIFO被配置为FWFT或IDT标准模式，两种编程1
梅布尔标志的默认设置，并偏移设置串行或并行编程。
PRS
初始化读写指针为零，并设置输出寄存器为全零。中
部分复位，现有的模式（ IDT或FWFT ） ，程序设计方法（串行或并行） ，
和可编程标志设置都保留。
RT
置在RCLK的上升沿将初始化读指针到零，则设置
EF
标志
LOW （或在FWFT模式高）暂时并不会干扰写指针，编程
法，现有的时序模式或可编程标志的设置。
RT
是有用的，以重新读取从数据
FIFO的第一个物理位置。
在主复位，将选择第一个字告吹或IDT标准模式。主复位后，
此引脚用作串行输入负载偏移寄存器
当启用
文，
WCLK的上升沿将数据写入到FIFO中，并偏移到
对于并行编程的可编程的寄存器，以及通过使能时
SEN ，
的上升沿
WCLK写入数据的一个比特到可编程寄存器，用于串行编程。
文
使WCLK用于写入数据到FIFO存储器和偏移量寄存器。
当启用
任，
RCLK的上升沿从FIFO读出的数据
存储器和从所述可编程寄存器的偏移量。
任
使RCLK为从FIFO存储器中读出的数据和偏移量寄存器。
OE
控制Q的输出阻抗
n.
SEN
使可编程标志偏移串行加载。
在主复位，
LD
选择两个部分标志默认偏移量（ 127或1023 ，并阻止 - 1
矿山标志抵消编程方法，串行或并行。主复位后，该引脚使
写入和偏移寄存器读
该引脚必须连接到无论是V
CC
或GND ，必须复位后不切换。
在IDT标准模式中，
FF
功能被选择。
FF
指示是否在FIFO
内存已满。在FWFT模式中，
IR
功能被选择。
IR
指示是否存在
空间可用于写入到FIFO存储器中。
在IDT标准模式中，
EF
功能被选择。
EF
指示是否在FIFO
内存是空的。在FWFT模式，则
OR
功能被选择。
OR
指示是否
有可在输出有效数据。
PAF
变低，如果在FIFO存储器的字的数量大于总字容量
FIFO中减去全部偏移值m ，该值存储在全部的偏移寄存器。有两种
对于M可能默认值： 127或1023 。
PAE
变低，如果字在FIFO存储器中的数小于偏移n，这个被存储
IIN空偏移寄存器。有n个两个可能的默认值： 127或1023 。其他
对于n的值可被编程到器件中。
HF
表示FIFO存储器是否为多于或少于半满。
数据输出为18位的总线。
+5伏电源引脚。
接地引脚。
PRS
部分复位
I
RT
重发
I
FWFT / SI
WCLK
第一个字秋季
通过/串行输入
写时钟
I
I
文
RCLK
任
OE
SEN
LD
写使能
读时钟
读使能
OUTPUT ENABLE
串行启用
负载
I
I
I
I
I
I
DC
FF / IR
不关心
全旗/
输入就绪
空旗/
输出就绪
可编程
几乎满标志
可编程
几乎是空的标志
半满标志
数据输出
动力
地
I
O
EF /或
O
PAF
O
PAE
O
HF
Q
0
–Q
17
V
CC
GND
O
O
4
IDT72275 / 72285的CMOS SuperSync FIFO 32,768 ×18 ， 65,536 ×18
商用和工业温度范围
绝对最大额定值
符号
V
TERM
T
英镑
I
OUT
等级
端电压
相对于GND
存储
温度
直流输出电流
广告
-0.5到+7
-55到+125
-50到+50
单位
V
°C
mA
建议的直流工作
条件
符号
V
CC
GND
V
IH
V
IL(1)
T
A
TA
参数
电源电压（ Com'l & Ind'l ）
电源电压（ Com'l & Ind'l ）
输入高电压
（ Com'l ＆安培; Ind'l ）
输入低电压
（ Com'l ＆安培; Ind'l ）
工作温度
广告
工作温度
产业
分钟。
4.5
0
2.0
—
0
-40
典型值。
5.0
0
—
—
—
马克斯。
5.5
0
—
0.8
70
85
单位
V
V
V
V
°C
°C
注意：
1.强调超过绝对最大额定值可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能的操作
该设备在这些或以上的任何其他条件，在操作指示的
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能会影响其可靠性。
注意：
1. 1.5V下冲被允许为10ns的每秒一次循环。
DC电气特性
（商业： V
CC
= 5V ±10 ％ ，T
A
= 0 ° C至+ 70°C ;工业： V
CC
= 5V
±
10%, T
A
= -40 ° C至+ 85°C ）
IDT72275
IDT72285
Com'l & Ind'l
(1)
t
CLK
= 10 ，15，20纳秒
符号
I
LI
(2)
I
LO
(3)
V
OH
V
OL
I
CC1
(4,5,6)
I
CC2
(4,7)
输入漏电流
输出漏电流
输出逻辑“1”的电压，I
OH
= -2毫安
输出逻辑“ 0 ”电压，I
OL
= 8毫安
有源电源电流
待机电流
参数
分钟。
–1
–10
2.4
—
—
—
马克斯。
1
10
—
0.4
90
20
单位
A
A
V
V
mA
mA
注意事项：
1.工业温度范围的产品为15ns和20ns的速度等级都可以作为标准设备。
2 .Measurements 0.4
≤
V
IN
≤
V
CC
.
3.
OE
≥
V
IH
, 0.4
≤
V
OUT
≤
V
CC
.
4.测试与产出开放（I
OUT
= 0).
5. RCLK和WCLK切换，在20 MHz和数据输入的开关频率为10 MHz 。
6.典型I
CC1
= 20 + 1.8*f
S
+ 0.02*C
L
*f
S
（单位为mA）与V
CC
= 5V ，T
A
= 25 ° C，F
S
= WCLK频率= RCLK频率（以MHz为单位，采用TTL电平） ，数据交换的
f
S
/2, C
L
=容性负载（单位为pF ） 。
7，所有输入= V
CC
- 0.2V或GND + 0.2V ，除RCLK和WCLK ，这在20 MHz的切换。
电容
(T
A
= + 25 ° C，F = 1.0MHz的）
符号
C
IN
(2)
C
OUT
(1,2)
参数
(1)
输入
电容
产量
电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
10
10
单位
pF
pF
注意事项：
1.取消输出（ OE
≥
V
IH
).
2.特征值，而不是目前的测试。
5
CMOS SuperSync FIFO
32,768 x 18
65,536 x 18
集成设备技术有限公司
初步
IDT72275
IDT72285
产品特点：
下面的存储组织之间进行选择：
IDT72275
32,768 x 18
IDT72285
65,536 x 18
与IDT72255LA / 72265LA SuperSync引脚兼容
FIFO的
10ns的读/写周期时间（ 6.5ns访问时间）
固定的低第一个字的数据等待时间
自动关闭电源减少待机耗电
主复位清除整个FIFO
部分复位清除数据，但保留可编程
设置
固定，低第一个字的数据重传操作
等待时间
空，满和半满标志信号FIFO状态
可编程几乎空和几乎全部的标志，每
标志可以默认为两个预选偏移1
通过串行或并行方式程序部分的标志
选择IDT标准时间（使用
EF
和
FF
标志）或第一
字告吹时间（使用
OR
和
IR
标志）
输出使能卖出期权数据输出为高阻抗状态
在深度和宽度可轻松扩展
独立的读写时钟（允许读取和
同时写入）
提供64引脚薄型四方扁平封装（ TQFP ）和
64引脚超薄薄型四方扁平封装（ STQFP ）
高性能亚微米CMOS技术
描述：
该IDT72275 / 72285顷非常深，速度快，
CMOS先入先出（ FIFO ）存储器与时钟读
写控制。这些FIFO提供了众多的improve-
ments比以前SuperSync的FIFO ，其中包括以下内容：
的一个时钟输入端与频率的限制
对于其它已被删除。频率
选择引脚（FS）已被除去，从而它不再
需要选择其中的两个时钟输入， RCLK或
WCLK ，是在更高的频率下运行。
通过重传操作所需的周期是固定的，现在
而短。
第一个字数据潜伏期，从时间第一
字被写入到一个空的FIFO的时间也能被读出，
现在是固定的，短的。 （可变时钟周期盘点
功能框图
WCLK
D
0
-D
17
输入寄存器
偏移寄存器
写控制
逻辑
RAM阵列
32,768 x 18
65,536 x 18
旗
逻辑
FWFT / SI
读指针
写指针
读
控制
逻辑
输出寄存器
RESET
逻辑
RCLK
Q
0
-Q
17
SuperSyncFIFO是商标和IDT标志是集成设备技术，Inc.的注册商标。
4674 DRW 01
商业级温度范围
1998集成设备技术公司
有关最新信息，请联系IDT的网站www.idt.com或传真点播在408-492-8391 。
1998年9月
DSC-4674/-
1
IDT72275 / 72285 SUPERSYNC FIFO
32,768 x 18, 65,536 x 18
商业级温度范围
描述（续）
与潜伏期相关的延时发现以前
SuperSync设备已在这SuperSync淘汰
的家庭。 ）
SuperSync的FIFO特别适合于网络，
视频，电信，数据通信和其它
应用程序需要缓存大量数据。
输入端口是由写时钟控制（ WCLK ）输入
和写使能（
文
）输入。数据被写入到FIFO中
在WCLK时的每个上升沿
文
为有效。该
输出端口通过一个读时钟（ RCLK ）输入控制和
读使能（
任
）输入。数据从FIFO中读出的每个
当RCLK的上升沿
任
为有效。输出使能
(
OE
）输入被提供给输出三态控制。
两个RCLK的频率和WCLK信号
可能会发生变化，从0到f
最大
完全独立。那里
都在一个时钟输入端与频率没有限制
对于另一个。
有工作，有两个可能的计时模式
这些器件： IDT标准模式和第一个字告吹
（ FWFT ）模式。
In
IDT标准模式，
写入到一个空的第一个字
FIFO不会出现在数据输出线，除非一个具体的
执行读操作。读操作，它由
激活的
任
并实现上升RCLK边缘，将转向
从内部存储器的数据输出线的字。
In
FWFT模式，
写入到一个空的FIFO中的第一个字是
直接时钟到数据输出线3的转换后，
在RCLK信号。一
任
没有被认定为
存取的第一个字。然而，随后的字写
到FIFO做要求低
任
进行访问。国家
期间主复位的FWFT / SI输入决定
在使用定时模式。
对于需要更多的数据存储容量比应用
一个FIFO可提供的FWFT计时模式允许
深度扩张链的FIFO串联（即数据
销刀豆网络gurations
FWFT / SI
GND
WCLK
RCLK
V
CC
/
销1
64 63 62 61 60 59 58 57 56 55 54 53 52 51 50 49
1
2
DC
V
CC
GND
D17
D16
D15
D14
D13
D12
D11
D10
D9
D8
D7
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
Q17
Q16
GND
Q15
Q14
V
CC
Q13
Q12
Q11
GND
Q10
Q9
Q8
Q7
Q6
GND
D5
D4
D3
D2
D1
D0
GND
Q0
Q1
GND
Q2
Q3
V
CC
Q4
Q5
D6
/
4674 DRW 02
TQFP （ PN64-1 ，订货代码： PF ）
STQFP （ PP64-1 ，订货代码： TF ）
顶视图
2
IDT72275 / 72285 SUPERSYNC FIFO
32,768 x 18, 65,536 x 18
商业级温度范围
描述（续）
1先进先出的输出端被连接到相应的数据
的下一个输入）。无需外部逻辑是必要的。
这些FIFO有五个标志引脚，
EF
/
OR
（空标志或
输出就绪） ，
FF
/
IR
（满标志或输入就绪） ，
HF
（半满
旗） ，
PAE
（可编程几乎空标志）和
PAF
（亲
可编程几乎满标志） 。该
EF
和
FF
功能
在IDT标准模式中选择。该
IR
和
OR
功能
在FWFT模式中选择。
HF
,
PAE
和
PAF
总是
可以使用，不论定时模式。
PAE
和
PAF
可以独立地进行编程，以切换
在内存中的任何一点。 （见表一和表二）。编程
梅布尔偏移确定标志的开关阈值和能
通过两种方法来加载：并行或串行。两个默认
还提供了偏移设置，从而使
PAE
可以被设置为
在127或1023的位置从空的边界和切换
该
PAF
阈值可设定在从127或1023的位置
完全的边界。这些选择都是用的
LD
在销
主复位。
对于串口编程，
SEN
再加上
LD
每个
上升WCLK的边缘，用于通过加载偏移量寄存器
串行输入（ SI ） 。对于并行编程，
文
一起
同
LD
在WCLK的每个上升沿，用于加载的
通过偏移d个寄存器
n
.
任
再加上
LD
每上升
RCLK的边缘可用来从并行读取的偏移量
Q
n
无论串联或并联补偿负载是否有
被选择。
在主复位（
太太
）发生以下事件：中
读写指针设置为FIFO的第一个位置。
在FWFT引脚选择IDT标准模式或FWFT模式。
该
LD
引脚选择其中的部分标志的默认设置127
与并行编程或部分标志默认设置
1023串行编程。这些标志更新与符合
荷兰国际集团所选择的定时模式和默认的偏移量。
该部分复位（
PRS
）还设置了读取和写入
指针的存储器的第一个位置。然而，该
定时模式，部分标志的编程方法，并默认或
现有部分复位前设定的偏移设置
保持不变。该标志根据更新后
定时模式和有效偏移。
PRS
是用于复位有用
在中期经营，设备重新编程的部分标志时，
将是不希望的。
该重传功能允许将数据从重读
先进先出不止一次。一个低的
RT
在一个上升的输入
RCLK边缘通过设置读促使再送操作
指针的存储器阵列的第一位置。
如果，在任何时间，在FIFO没有积极地执行
操作时，芯片就会自动关机。一旦进入
电源关闭状态下，待机电流消耗
最小化。启动任何操作（通过激活控制
输入）将立即停止设备的功率下降
状态。
该IDT72275 / 72285顷采用IDT的高速制造
亚微米CMOS技术。
部分复位（
写时钟（ WCLK ）
写使能（
LOAD （
)
)
)
MASTER RESET （
)
读时钟（ RCLK ）
读使能（
输出使能（
DATA OUT （Q
0
- Q
n
)
IDT
72275
72285
重传（
)
/
)
)
)
)
DATA IN （D
0
- D
n
)
串行ENABLE （
)
第一个字告吹/串行输入
（ FWFT / SI ）
满标志/ INPUT READY （
可编程几乎满（
/ )
)
空标志/ OUTPUT READY （
可编程几乎空（
半满标志（
)
4674 DRW 03
单32,768 ×18和65,536 ×18同步FIFO的图1.框图
3
IDT72275 / 72285 SUPERSYNC FIFO
32,768 x 18, 65,536 x 18
商业级温度范围
引脚说明
符号
D
0
–D
17
名字
数据输入
主复位
I / O
I
I
描述
数据输入一个18位的总线。
太太
PRS
RT
太太
初始化读写指针到零，并设置输出寄存器
部分复位
I
全零。在主复位时，FIFO被配置为FWFT或IDT
标准模式下，两个可编程标志的默认设置中的一种，和串行或
的偏移设置的并行编程。
PRS
初始化读写指针到零，并设置输出寄存器
全零。在部分复位，现有的模式（ IDT或FWFT ） ，编程
方法（串行或并行） ，以及可编程标志设置都保留。
重发
I
FWFT / SI
WCLK
第一个字秋季
通过/串行输入
写时钟
I
I
写指针，程序设计方法，现有的计时模式或可编程标志
设置。
RT
是有用的，以从FIFO中的第一物理位置重新读取数据。
在主复位，将选择第一个字告吹或IDT标准模式。
主复位后，该引脚用作串行输入负载偏移寄存器
RT
置在RCLK的上升沿将初始化读指针到零，套
该
EF
标志设置为LOW （
OR
为HIGH在FWFT模式）暂时和不干扰
当启用
文
， WCLK的上升沿将数据写入到FIFO和
偏移到并行编程，并且当所述可编程的寄存器
通过启用
SEN
， WCLK的上升沿写入数据的一个比特进
可编程寄存器的串行编程。
文
RCLK
写使能
读时钟
读使能
OUTPUT ENABLE
串行启用
负载
I
I
I
I
I
I
文
使WCLK用于写入数据到FIFO存储器和偏移量寄存器。
当启用
任
， RCLK的上升沿从FIFO读出的数据
存储器和从所述可编程寄存器的偏移量。
任
OE
SEN
LD
DC
不关心
全旗/
输入就绪
空旗/
输出就绪
可编程
几乎满标志
可编程
几乎空标志
半满标志
数据输出
动力
地
I
O
FF
/
IR
EF
/
OR
PAF
PAE
HF
Q
0
–Q
17
V
CC
GND
O
O
O
O
O
并判定标志偏移编程方法，串行或并行。后
主复位时，该引脚允许写，并从偏移寄存器读
该引脚必须连接到无论是V
CC
或GND ，必须经过师傅不切换
复位。
在IDT标准模式中，
FF
功能被选择。
FF
指示是否
没有FIFO存储器已满。在FWFT模式中，
IR
功能被选择。
IR
指示是否有可用空间用于写入到FIFO存储器中。
在IDT标准模式中，
EF
功能被选择。
EF
指示是否
不FIFO存储器是空的。在FWFT模式，则
OR
功能被选择。
OR
表示是否存在可用的输出有效数据。
PAF
变低，如果字在FIFO存储器中的数大于
FIFO中减去全部偏移值m ，该值存储在所述的总字容量
全偏移寄存器。有对米两种可能的默认值： 127或1023 。
PAE
变低，如果字在FIFO存储器中的数小于偏移N，
这被存储在空偏移寄存器。有两种可能的默认值
对于n ： 127或1023 。对于n的其它值可被编程到器件中。
HF
表示FIFO存储器是否为多于或少于半满。
数据输出为18位的总线。
+5伏电源引脚。
接地引脚。
任
使RCLK为从FIFO存储器中读出的数据和偏移量寄存器。
OE
控制Q的输出阻抗
n.
SEN
使可编程标志偏移串行加载。
在主复位，
LD
选择两个部分标志默认偏移量（ 127或1023 1
4
IDT72275 / 72285 SUPERSYNC FIFO
32,768 x 18, 65,536 x 18
商业级温度范围
绝对最大额定值
符号
V
TERM
T
英镑
I
OUT
等级
端电压
相对于GND
存储
温度
直流输出电流
广告
-0.5到+7
-55到+125
-50到+50
单位
V
°C
mA
建议的直流工作条件
符号
参数
V
CC
电源电压
GND
V
IH
V
IL
T
A
(1)
分钟。
4.5
0
2.0
—
0
典型值。
5.0
0
—
—
—
马克斯。
5.5
0
—
0.8
70
单位
V
V
V
V
°C
电源电压
输入高电压
输入低电压
工作温度
广告
注意：
1.强调超过绝对最大额定上市
INGS可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力等级
该器件在这些或任何其他条件只与功能操作
超过上述业务部门所标明的这个规范
不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件为前
往往周期会影响其可靠性。
注意：
1. 1.5V下冲被允许为10ns的每秒一次循环。
DC电气特性
（商业： V
CC
= 5V
±
10%, T
A
= 0 ° C至+ 70 ° C）
IDT72275
IDT72285
广告
t
CLK
= 10 ，15，20纳秒
符号
I
LI
(1)
I
LO
(2)
V
OH
V
OL
I
CC1
(3,4,5)
I
CC2
(3,6)
笔记
:
1.
2.
3.
4.
5.
参数
输入漏电流
输出漏电流
输出逻辑“1”的电压，I
OH
= -2毫安
输出逻辑“ 0 ”电压，I
OL
= 8毫安
有源电源电流
待机电流
分钟。
–1
–10
2.4
—
—
—
马克斯。
1
10
—
0.4
90
20
单位
A
A
V
V
mA
mA
OE
≥
V
IH ，
0.4
≤
V
OUT
≤
V
CC.
测量0.4
≤
V
IN
≤
V
CC
.
测试了输出打开（我
OUT
= 0).
RCLK和WCLK切换，在20 MHz和数据输入的开关频率为10 MHz 。
典型的我
CC1
= 20 + 1.8*f
S
+ 0.02*C
L
*f
S
（单位为mA）与V
CC
= 5V ，T
A
= 25 ° C，F
S
= WCLK频率= RCLK频率（以MHz为单位，采用TTL电平）
数据交换在f
S
/2, C
L
=容性负载（单位为pF ） 。
6.所有输入= V
CC
- 0.2V或GND + 0.2V ，除RCLK和WCLK ，这在20 MHz的切换。
电容
(T
A
= + 25 ° C，F = 1.0MHz的）
符号
C
IN
(2)
C
OUT
(1,2)
参数
(1)
输入
电容
产量
电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
10
10
单位
pF
pF
注意事项：
1.输出取消， （
OE
≥
V
IH
).
2.特征值，而不是目前的测试。
5
CMOS SuperSync FIFO
32,768 x 18
65,536 x 18
集成设备技术有限公司
初步
IDT72275
IDT72285
产品特点：
下面的存储组织之间进行选择：
IDT72275
32,768 x 18
IDT72285
65,536 x 18
与IDT72255LA / 72265LA SuperSync引脚兼容
FIFO的
10ns的读/写周期时间（ 6.5ns访问时间）
固定的低第一个字的数据等待时间
自动关闭电源减少待机耗电
主复位清除整个FIFO
部分复位清除数据，但保留可编程
设置
固定，低第一个字的数据重传操作
等待时间
空，满和半满标志信号FIFO状态
可编程几乎空和几乎全部的标志，每
标志可以默认为两个预选偏移1
通过串行或并行方式程序部分的标志
选择IDT标准时间（使用
EF
和
FF
标志）或第一
字告吹时间（使用
OR
和
IR
标志）
输出使能卖出期权数据输出为高阻抗状态
在深度和宽度可轻松扩展
独立的读写时钟（允许读取和
同时写入）
提供64引脚薄型四方扁平封装（ TQFP ）和
64引脚超薄薄型四方扁平封装（ STQFP ）
高性能亚微米CMOS技术
描述：
该IDT72275 / 72285顷非常深，速度快，
CMOS先入先出（ FIFO ）存储器与时钟读
写控制。这些FIFO提供了众多的improve-
ments比以前SuperSync的FIFO ，其中包括以下内容：
的一个时钟输入端与频率的限制
对于其它已被删除。频率
选择引脚（FS）已被除去，从而它不再
需要选择其中的两个时钟输入， RCLK或
WCLK ，是在更高的频率下运行。
通过重传操作所需的周期是固定的，现在
而短。
第一个字数据潜伏期，从时间第一
字被写入到一个空的FIFO的时间也能被读出，
现在是固定的，短的。 （可变时钟周期盘点
功能框图
WCLK
D
0
-D
17
输入寄存器
偏移寄存器
写控制
逻辑
RAM阵列
32,768 x 18
65,536 x 18
旗
逻辑
FWFT / SI
读指针
写指针
读
控制
逻辑
输出寄存器
RESET
逻辑
RCLK
Q
0
-Q
17
SuperSyncFIFO是商标和IDT标志是集成设备技术，Inc.的注册商标。
4674 DRW 01
商业级温度范围
1998集成设备技术公司
有关最新信息，请联系IDT的网站www.idt.com或传真点播在408-492-8391 。
1998年9月
DSC-4674/-
1
IDT72275 / 72285 SUPERSYNC FIFO
32,768 x 18, 65,536 x 18
商业级温度范围
描述（续）
与潜伏期相关的延时发现以前
SuperSync设备已在这SuperSync淘汰
的家庭。 ）
SuperSync的FIFO特别适合于网络，
视频，电信，数据通信和其它
应用程序需要缓存大量数据。
输入端口是由写时钟控制（ WCLK ）输入
和写使能（
文
）输入。数据被写入到FIFO中
在WCLK时的每个上升沿
文
为有效。该
输出端口通过一个读时钟（ RCLK ）输入控制和
读使能（
任
）输入。数据从FIFO中读出的每个
当RCLK的上升沿
任
为有效。输出使能
(
OE
）输入被提供给输出三态控制。
两个RCLK的频率和WCLK信号
可能会发生变化，从0到f
最大
完全独立。那里
都在一个时钟输入端与频率没有限制
对于另一个。
有工作，有两个可能的计时模式
这些器件： IDT标准模式和第一个字告吹
（ FWFT ）模式。
In
IDT标准模式，
写入到一个空的第一个字
FIFO不会出现在数据输出线，除非一个具体的
执行读操作。读操作，它由
激活的
任
并实现上升RCLK边缘，将转向
从内部存储器的数据输出线的字。
In
FWFT模式，
写入到一个空的FIFO中的第一个字是
直接时钟到数据输出线3的转换后，
在RCLK信号。一
任
没有被认定为
存取的第一个字。然而，随后的字写
到FIFO做要求低
任
进行访问。国家
期间主复位的FWFT / SI输入决定
在使用定时模式。
对于需要更多的数据存储容量比应用
一个FIFO可提供的FWFT计时模式允许
深度扩张链的FIFO串联（即数据
销刀豆网络gurations
FWFT / SI
GND
WCLK
RCLK
V
CC
/
销1
64 63 62 61 60 59 58 57 56 55 54 53 52 51 50 49
1
2
DC
V
CC
GND
D17
D16
D15
D14
D13
D12
D11
D10
D9
D8
D7
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
Q17
Q16
GND
Q15
Q14
V
CC
Q13
Q12
Q11
GND
Q10
Q9
Q8
Q7
Q6
GND
D5
D4
D3
D2
D1
D0
GND
Q0
Q1
GND
Q2
Q3
V
CC
Q4
Q5
D6
/
4674 DRW 02
TQFP （ PN64-1 ，订货代码： PF ）
STQFP （ PP64-1 ，订货代码： TF ）
顶视图
2
IDT72275 / 72285 SUPERSYNC FIFO
32,768 x 18, 65,536 x 18
商业级温度范围
描述（续）
1先进先出的输出端被连接到相应的数据
的下一个输入）。无需外部逻辑是必要的。
这些FIFO有五个标志引脚，
EF
/
OR
（空标志或
输出就绪） ，
FF
/
IR
（满标志或输入就绪） ，
HF
（半满
旗） ，
PAE
（可编程几乎空标志）和
PAF
（亲
可编程几乎满标志） 。该
EF
和
FF
功能
在IDT标准模式中选择。该
IR
和
OR
功能
在FWFT模式中选择。
HF
,
PAE
和
PAF
总是
可以使用，不论定时模式。
PAE
和
PAF
可以独立地进行编程，以切换
在内存中的任何一点。 （见表一和表二）。编程
梅布尔偏移确定标志的开关阈值和能
通过两种方法来加载：并行或串行。两个默认
还提供了偏移设置，从而使
PAE
可以被设置为
在127或1023的位置从空的边界和切换
该
PAF
阈值可设定在从127或1023的位置
完全的边界。这些选择都是用的
LD
在销
主复位。
对于串口编程，
SEN
再加上
LD
每个
上升WCLK的边缘，用于通过加载偏移量寄存器
串行输入（ SI ） 。对于并行编程，
文
一起
同
LD
在WCLK的每个上升沿，用于加载的
通过偏移d个寄存器
n
.
任
再加上
LD
每上升
RCLK的边缘可用来从并行读取的偏移量
Q
n
无论串联或并联补偿负载是否有
被选择。
在主复位（
太太
）发生以下事件：中
读写指针设置为FIFO的第一个位置。
在FWFT引脚选择IDT标准模式或FWFT模式。
该
LD
引脚选择其中的部分标志的默认设置127
与并行编程或部分标志默认设置
1023串行编程。这些标志更新与符合
荷兰国际集团所选择的定时模式和默认的偏移量。
该部分复位（
PRS
）还设置了读取和写入
指针的存储器的第一个位置。然而，该
定时模式，部分标志的编程方法，并默认或
现有部分复位前设定的偏移设置
保持不变。该标志根据更新后
定时模式和有效偏移。
PRS
是用于复位有用
在中期经营，设备重新编程的部分标志时，
将是不希望的。
该重传功能允许将数据从重读
先进先出不止一次。一个低的
RT
在一个上升的输入
RCLK边缘通过设置读促使再送操作
指针的存储器阵列的第一位置。
如果，在任何时间，在FIFO没有积极地执行
操作时，芯片就会自动关机。一旦进入
电源关闭状态下，待机电流消耗
最小化。启动任何操作（通过激活控制
输入）将立即停止设备的功率下降
状态。
该IDT72275 / 72285顷采用IDT的高速制造
亚微米CMOS技术。
部分复位（
写时钟（ WCLK ）
写使能（
LOAD （
)
)
)
MASTER RESET （
)
读时钟（ RCLK ）
读使能（
输出使能（
DATA OUT （Q
0
- Q
n
)
IDT
72275
72285
重传（
)
/
)
)
)
)
DATA IN （D
0
- D
n
)
串行ENABLE （
)
第一个字告吹/串行输入
（ FWFT / SI ）
满标志/ INPUT READY （
可编程几乎满（
/ )
)
空标志/ OUTPUT READY （
可编程几乎空（
半满标志（
)
4674 DRW 03
单32,768 ×18和65,536 ×18同步FIFO的图1.框图
3
IDT72275 / 72285 SUPERSYNC FIFO
32,768 x 18, 65,536 x 18
商业级温度范围
引脚说明
符号
D
0
–D
17
名字
数据输入
主复位
I / O
I
I
描述
数据输入一个18位的总线。
太太
PRS
RT
太太
初始化读写指针到零，并设置输出寄存器
部分复位
I
全零。在主复位时，FIFO被配置为FWFT或IDT
标准模式下，两个可编程标志的默认设置中的一种，和串行或
的偏移设置的并行编程。
PRS
初始化读写指针到零，并设置输出寄存器
全零。在部分复位，现有的模式（ IDT或FWFT ） ，编程
方法（串行或并行） ，以及可编程标志设置都保留。
重发
I
FWFT / SI
WCLK
第一个字秋季
通过/串行输入
写时钟
I
I
写指针，程序设计方法，现有的计时模式或可编程标志
设置。
RT
是有用的，以从FIFO中的第一物理位置重新读取数据。
在主复位，将选择第一个字告吹或IDT标准模式。
主复位后，该引脚用作串行输入负载偏移寄存器
RT
置在RCLK的上升沿将初始化读指针到零，套
该
EF
标志设置为LOW （
OR
为HIGH在FWFT模式）暂时和不干扰
当启用
文
， WCLK的上升沿将数据写入到FIFO和
偏移到并行编程，并且当所述可编程的寄存器
通过启用
SEN
， WCLK的上升沿写入数据的一个比特进
可编程寄存器的串行编程。
文
RCLK
写使能
读时钟
读使能
OUTPUT ENABLE
串行启用
负载
I
I
I
I
I
I
文
使WCLK用于写入数据到FIFO存储器和偏移量寄存器。
当启用
任
， RCLK的上升沿从FIFO读出的数据
存储器和从所述可编程寄存器的偏移量。
任
OE
SEN
LD
DC
不关心
全旗/
输入就绪
空旗/
输出就绪
可编程
几乎满标志
可编程
几乎空标志
半满标志
数据输出
动力
地
I
O
FF
/
IR
EF
/
OR
PAF
PAE
HF
Q
0
–Q
17
V
CC
GND
O
O
O
O
O
并判定标志偏移编程方法，串行或并行。后
主复位时，该引脚允许写，并从偏移寄存器读
该引脚必须连接到无论是V
CC
或GND ，必须经过师傅不切换
复位。
在IDT标准模式中，
FF
功能被选择。
FF
指示是否
没有FIFO存储器已满。在FWFT模式中，
IR
功能被选择。
IR
指示是否有可用空间用于写入到FIFO存储器中。
在IDT标准模式中，
EF
功能被选择。
EF
指示是否
不FIFO存储器是空的。在FWFT模式，则
OR
功能被选择。
OR
表示是否存在可用的输出有效数据。
PAF
变低，如果字在FIFO存储器中的数大于
FIFO中减去全部偏移值m ，该值存储在所述的总字容量
全偏移寄存器。有对米两种可能的默认值： 127或1023 。
PAE
变低，如果字在FIFO存储器中的数小于偏移N，
这被存储在空偏移寄存器。有两种可能的默认值
对于n ： 127或1023 。对于n的其它值可被编程到器件中。
HF
表示FIFO存储器是否为多于或少于半满。
数据输出为18位的总线。
+5伏电源引脚。
接地引脚。
任
使RCLK为从FIFO存储器中读出的数据和偏移量寄存器。
OE
控制Q的输出阻抗
n.
SEN
使可编程标志偏移串行加载。
在主复位，
LD
选择两个部分标志默认偏移量（ 127或1023 1
4
IDT72275 / 72285 SUPERSYNC FIFO
32,768 x 18, 65,536 x 18
商业级温度范围
绝对最大额定值
符号
V
TERM
T
英镑
I
OUT
等级
端电压
相对于GND
存储
温度
直流输出电流
广告
-0.5到+7
-55到+125
-50到+50
单位
V
°C
mA
建议的直流工作条件
符号
参数
V
CC
电源电压
GND
V
IH
V
IL
T
A
(1)
分钟。
4.5
0
2.0
—
0
典型值。
5.0
0
—
—
—
马克斯。
5.5
0
—
0.8
70
单位
V
V
V
V
°C
电源电压
输入高电压
输入低电压
工作温度
广告
注意：
1.强调超过绝对最大额定上市
INGS可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力等级
该器件在这些或任何其他条件只与功能操作
超过上述业务部门所标明的这个规范
不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件为前
往往周期会影响其可靠性。
注意：
1. 1.5V下冲被允许为10ns的每秒一次循环。
DC电气特性
（商业： V
CC
= 5V
±
10%, T
A
= 0 ° C至+ 70 ° C）
IDT72275
IDT72285
广告
t
CLK
= 10 ，15，20纳秒
符号
I
LI
(1)
I
LO
(2)
V
OH
V
OL
I
CC1
(3,4,5)
I
CC2
(3,6)
笔记
:
1.
2.
3.
4.
5.
参数
输入漏电流
输出漏电流
输出逻辑“1”的电压，I
OH
= -2毫安
输出逻辑“ 0 ”电压，I
OL
= 8毫安
有源电源电流
待机电流
分钟。
–1
–10
2.4
—
—
—
马克斯。
1
10
—
0.4
90
20
单位
A
A
V
V
mA
mA
OE
≥
V
IH ，
0.4
≤
V
OUT
≤
V
CC.
测量0.4
≤
V
IN
≤
V
CC
.
测试了输出打开（我
OUT
= 0).
RCLK和WCLK切换，在20 MHz和数据输入的开关频率为10 MHz 。
典型的我
CC1
= 20 + 1.8*f
S
+ 0.02*C
L
*f
S
（单位为mA）与V
CC
= 5V ，T
A
= 25 ° C，F
S
= WCLK频率= RCLK频率（以MHz为单位，采用TTL电平）
数据交换在f
S
/2, C
L
=容性负载（单位为pF ） 。
6.所有输入= V
CC
- 0.2V或GND + 0.2V ，除RCLK和WCLK ，这在20 MHz的切换。
电容
(T
A
= + 25 ° C，F = 1.0MHz的）
符号
C
IN
(2)
C
OUT
(1,2)
参数
(1)
输入
电容
产量
电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
10
10
单位
pF
pF
注意事项：
1.输出取消， （
OE
≥
V
IH
).
2.特征值，而不是目前的测试。
5
QQ：2880707522 复制
