高电压的MOSFET
N沟道，增强模式
IXTU 01N100
IXTY 01N100
V
DSS
I
D25
R
DS （ ON）
= 1000 V
= 100毫安
= 80
符号
测试条件
最大额定值
01N100
1000
1000
±20
±30
100
400
25
-55 ... +150
150
-55 ... +150
V
V
TO- 251 AA
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
DM
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
重量
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GS
= 1 M
连续
短暂
T
C
= 25°C ;吨
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
C
= 25 ° C，脉冲宽度有限的最大值。牛逼
J
T
C
= 25°C
G
V
V
mA
mA
W
°C
°C
°C
°C
g
D
S
D（ TAB ）
TO- 252 AA
G
S
D（ TAB ）
G =门，
S =源，
D =排水，
TAB =漏
从案例5秒1.6毫米（以0.063 ）
300
0.8
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
1000
2
4.5
±50
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
60
10
200
80
V
V
V
nA
A
A
特点
l
V
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS
= 0 V，I
D
= 25
A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 25
A
V
GS
= ±20 V
DC
, V
DS
= 0
V
DS
= 0.8 V
DSS
V
GS
= 0 V
国际标准封装
JEDEC TO- 251 AA ， TO- 252 AA
l
低R
DS （ ON）
HDMOS
TM
过程
l
l
坚固的多晶硅栅单元结构
快速开关时间
应用
l
l
l
l
电平转换
TRIGGERS
固态继电器
电流调节器
V
GS
= 10 V，I
D
= I
D25
脉冲测试，T
≤
300毫秒，占空比
≤
2 %
版权所有2001 IXYS所有权利。
98812B (11/01)
IXTU 01N100
IXTY 01N100
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
140
60
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
7.5
1.8
12
V
GS
= 10 V, V
DS
= 500 V，I
D
= I
D25
R
G
= 50
（外部）
12
28
28
8
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
1.8
3
3
mS
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
K / W
DIM 。
A
A1
b
b1
b2
c
c1
D
E
e
e1
H
L
L1
L2
L3
毫米
分钟。
马克斯。
2.19
0.89
0.64
0.76
5.21
0.46
0.46
5.97
6.35
2.28
4.57
17.02
8.89
1.91
0.89
1.15
2.38
1.14
0.89
1.14
5.46
0.58
0.58
6.22
6.73
BSC
BSC
17.78
9.65
2.28
1.27
1.52
1.
2.
3.
4.
门
漏
来源
漏
返回散热器
TO- 251 AA大纲
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
V
DS
= 10 V ;我
D
= 0.5 I
D25
，脉冲测试
英寸
分钟。
马克斯。
.086
0.35
.025
.030
.205
.018
.018
.235
.250
.090
.180
.670
.350
.075
.035
.045
.094
.045
.035
.045
.215
.023
.023
.245
.265
BSC
BSC
.700
.380
.090
.050
.060
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
t
rr
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
1.8
1.5
V
s
TO- 252 AA
I
F
= 100毫安， V
GS
= 0 V,
脉冲测试，T
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
I
F
= 0.75 A， -di / DT = 10 A / μs的，
V
DS
= 25 V
1阳极
2 NC
3阳极
4阴极
DIM 。
A
A1
A2
b
b1
b2
c
c1
D
D
1
E
E1
e
e1
H
L
L1
L2
L3
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
毫米
分钟。马克斯。
2.19 2.38
0.89 1.14
0 0.13
0.64 0.89
0.76 1.14
5.21 5.46
0.46 0.58
0.46 0.58
5.97 6.22
4.32 5.21
6.35 6.73
4.32 5.21
2.28 BSC
4.57 BSC
9.40 10.42
0.51 1.02
0.64 1.02
0.89 1.27
2.54 2.92
英寸
分钟。
马克斯。
0.086 0.094
0.035 0.045
0 0.005
0.025 0.035
0.030 0.045
0.205 0.215
0.018 0.023
0.018 0.023
0.235 0.245
0.170 0.205
0.250 0.265
0.170 0.205
0.090 BSC
0.180 BSC
0.370 0.410
0.020 0.040
0.025 0.040
0.035 0.050
0.100 0.115
5,486,715
5,381,025
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
QQ：2880707522 复制
