【高压功率MOSFETN沟道增强模式额定雪崩初步数据表IXTH 6N120IXTT 6N120VDSS】,IC型号IXTT6N120,IXTT6N120 PDF资料,IXTT6N120经销商,ic,电子元器件-51电子网

高压

功率MOSFET

N沟道增强模式

额定雪崩

初步数据表

IXTH 6N120

IXTT 6N120

V

DSS

I

D25

R

DS （ ON）

= 1200 V

=

6A

= 2.6

符号

V

DSS

V

DGR

V

GS

V

GSM

I

D25

I

DM

I

AR

E

AR

E

AS

dv / dt的

P

D

T

J

T

JM

T

英镑

T

L

M

d

重量

测试条件

T

J

= 25 ℃至150 ℃的

T

J

= 25 ℃至150 ℃;

GS

= 1 M

连续

短暂

T

C

= 25°C

T

C

= 25 ° C，脉冲宽度限制T

JM

T

C

= 25°C

T

C

= 25°C

T

C

= 25°C

I

S

≤

I

DM

， di / dt的

≤

100 A / μs的，V

DD

≤

V

DSS

,

T

J

≤

150℃ ，R

G

= 2

T

C

= 25°C

最大额定值

1200

±20

±30

6

24

6

25

500

5

300

-55 ... +150

150

-55 ... +150

V

A

mJ

V / ns的

W

°C

g

AD TO- 247 （ IXTH ）

（ TAB ）

TO-268

（ IXTT ）

机箱样式

G

G =门

S =源

S

D =漏

TAB =漏

（ TAB ）

特点

国际标准封装

低R

DS （ ON）

HDMOS

TM

过程

坚固的多晶硅栅单元结构

非钳位感应开关（ UIS）

评级

低封装电感

- 易于驾驶和保护

优势

易于安装

节省空间

高功率密度

从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）

安装力矩

的TO- 247的AD

TO-268

300

6

4

1.13 / 10牛米/ lb.in 。

符号

测试条件

(T

J

= 25 ° C，除非另有规定编）

V

DSS

V

GS （ TH）

I

GSS

I

DSS

R

DS （ ON）

V

GS

= 0 V，I

D

=

250 A

V

DS

= V

GS

, I

D

=

250A

V

GS

=

±20

V

DC

, V

DS

= 0

V

DS

= V

DSS

V

GS

= 0 V

T

J

= 25°C

T

J

= 125°C

特征值

MIN 。 TYP 。

马克斯。

1200

2.5

5.0

±100

25

500

2.6

V

nA

A

V

GS

= 10 V，I

D

= 0.5 I

D25

脉冲测试，T

≤

300

s,

占空比

≤

2 %

DS99024B(01/04)

IXTH 6N120

IXTT 6N120

符号

测试条件

特征值

(T

J

= 25 ° C，除非另有规定编）

分钟。典型值。马克斯。

3

5

1950

V

GS

= 0 V, V

DS

= 25 V ， F = 1兆赫

175

60

28

V

GS

= 10 V, V

DS

= 0.5 V

DSS

, I

D

= 0.5 I

D25

R

G

= 4.7

（外部）

33

42

18

56

V

GS

= 10 V, V

DS

= 0.5 V

DSS

, I

D

= 0.5 I

D25

13

25

0.42

(TO-247)

0.21

S

pF

ns

nC

K / W

端子： 1 - 门

3 - 来源

2 - 漏极

标签 - 漏

1

2

3

的TO- 247的AD概要

g

fs

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

G（ ON）的

Q

gs

Q

gd

R

thJC

R

thCK

V

DS

= 20V;我

D

= 0.5 I

D25

，脉冲测试

DIM 。

源极 - 漏极二极管

符号

I

S

I

SM

V

SD

T

rr

测试条件

V

GS

= 0 V

重复

特征值

(T

J

= 25 ° C，除非另有规定编）

分钟。典型值。马克斯。

6

24

1.5

850

A

V

ns

毫米

分钟。

马克斯。

A

4.7

5.3

A

1

2.2

2.54

A

2

2.2

2.6

b

1.0

1.4

b

1

1.65

2.13

b

2

2.87

3.12

C

.4

.8

D

20.80 21.46

E

15.75 16.26

e

5.20

5.72

L

19.81 20.32

L1

4.50

P

3.55

3.65

Q

5.89

6.40

R

4.32

5.49

S

6.15 BSC

英寸

分钟。马克斯。

.185 .209

.087 .102

.059 .098

.040 .055

.065 .084

.113 .123

.016 .031

.819 .845

.610 .640

0.205 0.225

.780 .800

.177

.140 .144

0.232 0.252

.170 .216

242 BSC

TO- 268外形

I

F

= I

S

, V

GS

= 0 V,

脉冲测试，T

≤

300

s,

占空比

≤

2 %

I

F

= 6A

-di / DT = 100 A / μs的

端子： 1 - 门

3 - 来源

2 - 漏极

标签 - 漏

闵推荐足迹

IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。

IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或多个

：下列美国专利

4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715 6,306,728B1 6,259,123B1 6,306,728B1

4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025 6,404,065B1 6,162,665

6,534,343

IXTH 6N120

IXTT 6N120

图。 1.输出特性

@ 25度。

6

5

V

GS

= 10V

9V

8V

7V

6V

1

0

V

GS

= 10V

9V

8V

7V

图。 2.扩展的输出特性

@ 25度。

8

I

D

- 安培

I

D

- 安培

4

3

2

1

0

2

6

6V

4

5V

2

5V

0

4

V

DS

- 伏特

6

8

1

0

1

2

1

4

1

6

0

5

1

0

1

5

20

25

30

V

DS

- 伏特

图。 3.输出特性

@ 125度。

6

5

V

GS

= 10V

9V

8V

7V

6V

图。 4.

DS （ ON）

归到我

D25

值与

结温

3.1

2.8

V

GS

= 10V

R

DS （ ON）

- 归

2.5

2.2

1

.9

1

.6

1

.3

1

0.7

0.4

I

D

= 6A

I

D

= 3A

I

D

- 安培

4

3

2

5V

1

0

5

1

0

1

5

20

25

30

-50

-25

0

25

50

75

1

00

1

25

1

50

V

DS

- 伏特

T

J

- 摄氏

图。 5.

DS （ ON）

归到我

D25

价值与我

D

2.8

2.5

V

GS

= 10V

T

J

= 125C

7

6

5

图。 6.漏电流与案例

温度

R

DS （ ON）

- 归

2.2

1

.9

1

.6

1

.3

1

0.7

0

1

.5

3

4.5

I

D

- 安培

4

3

2

1

0

T

J

= 25C

6

7.5

9

-50

-25

0

25

50

75

1

00

1

25

1

50

I

D

- 安培

T

C

- 摄氏

IXTH 6N120

IXTT 6N120

图。 7.输入导纳

6

5

1

2

1

0

图。 8.跨导

I

D

- 安培

3

2

1

0

3.5

4

T

J

= -40C

25C

125C

G

fs

- 西门子

4

8

6

4

2

0

T

J

= -40C

25C

125C

4.5

5

5.5

6

6.5

V

GS

- 伏特

0

1

.5

3

4.5

6

7.5

9

I

D

- 安培

图。 9.源电流和源极到漏极

电压

20

1

0

图。 10.栅极电荷

1

6

8

V

DS

= 600V

I

D

= 3A

I

G

= 10毫安

I

S

- 安培

1

2

V

GS

- 伏特

T

J

= 25C

0.7

0.8

0.9

6

8

T

J

= 125C

4

2

0

0.4

0.5

0.6

0

1

0

20

30

40

50

60

V

SD

- 伏特

Q

G

- nanocoulombs

图。 11.电容

1

0000

F = 100万赫兹

1

图。 12.最大瞬态热

阻力

电容 - pF的

1

000

C

OSS

1

00

C

RSS

1

0

5

1

0

1

5

R

- （ C / W）

（日） JC

30

35

40

C

国际空间站

0.1

0.01

V

DS

- 伏特

20

25

1

脉冲宽度 - 毫秒

1

0

1

00

1

000

IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。

IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或多个

：下列美国专利

4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715 6,306,728B1 6,259,123B1 6,306,728B1

4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025 6,404,065B1 6,162,665

6,534,343

高压

功率MOSFET

N沟道增强模式

额定雪崩

初步数据表

IXTH 6N120

IXTT 6N120

V

DSS

I

D25

R

DS （ ON）

= 1200 V

=

6A

= 2.6

符号

V

DSS

V

DGR

V

GS

V

GSM

I

D25

I

DM

I

AR

E

AR

E

AS

dv / dt的

P

D

T

J

T

JM

T

英镑

T

L

M

d

重量

测试条件

T

J

= 25 ℃至150 ℃的

T

J

= 25 ℃至150 ℃;

GS

= 1 M

连续

短暂

T

C

= 25°C

T

C

= 25 ° C，脉冲宽度限制T

JM

T

C

= 25°C

T

C

= 25°C

T

C

= 25°C

I

S

≤

I

DM

， di / dt的

≤

100 A / μs的，V

DD

≤

V

DSS

,

T

J

≤

150℃ ，R

G

= 2

T

C

= 25°C

最大额定值

1200

±20

±30

6

24

6

25

500

5

300

-55 ... +150

150

-55 ... +150

V

A

mJ

V / ns的

W

°C

g

AD TO- 247 （ IXTH ）

（ TAB ）

TO-268

（ IXTT ）

机箱样式

G

G =门

S =源

S

D =漏

TAB =漏

（ TAB ）

特点

国际标准封装

低R

DS （ ON）

HDMOS

TM

过程

坚固的多晶硅栅单元结构

非钳位感应开关（ UIS）

评级

低封装电感

- 易于驾驶和保护

优势

易于安装

节省空间

高功率密度

从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）

安装力矩

的TO- 247的AD

TO-268

300

6

4

1.13 / 10牛米/ lb.in 。

符号

测试条件

(T

J

= 25 ° C，除非另有规定编）

V

DSS

V

GS （ TH）

I

GSS

I

DSS

R

DS （ ON）

V

GS

= 0 V，I

D

=

250 A

V

DS

= V

GS

, I

D

=

250A

V

GS

=

±20

V

DC

, V

DS

= 0

V

DS

= V

DSS

V

GS

= 0 V

T

J

= 25°C

T

J

= 125°C

特征值

MIN 。 TYP 。

马克斯。

1200

2.5

5.0

±100

25

500

2.6

V

nA

A

V

GS

= 10 V，I

D

= 0.5 I

D25

脉冲测试，T

≤

300

s,

占空比

≤

2 %

DS99024B(01/04)

IXTH 6N120

IXTT 6N120

符号

测试条件

特征值

(T

J

= 25 ° C，除非另有规定编）

分钟。典型值。马克斯。

3

5

1950

V

GS

= 0 V, V

DS

= 25 V ， F = 1兆赫

175

60

28

V

GS

= 10 V, V

DS

= 0.5 V

DSS

, I

D

= 0.5 I

D25

R

G

= 4.7

（外部）

33

42

18

56

V

GS

= 10 V, V

DS

= 0.5 V

DSS

, I

D

= 0.5 I

D25

13

25

0.42

(TO-247)

0.21

S

pF

ns

nC

K / W

端子： 1 - 门

3 - 来源

2 - 漏极

标签 - 漏

1

2

3

的TO- 247的AD概要

g

fs

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

G（ ON）的

Q

gs

Q

gd

R

thJC

R

thCK

V

DS

= 20V;我

D

= 0.5 I

D25

，脉冲测试

DIM 。

源极 - 漏极二极管

符号

I

S

I

SM

V

SD

T

rr

测试条件

V

GS

= 0 V

重复

特征值

(T

J

= 25 ° C，除非另有规定编）

分钟。典型值。马克斯。

6

24

1.5

850

A

V

ns

毫米

分钟。

马克斯。

A

4.7

5.3

A

1

2.2

2.54

A

2

2.2

2.6

b

1.0

1.4

b

1

1.65

2.13

b

2

2.87

3.12

C

.4

.8

D

20.80 21.46

E

15.75 16.26

e

5.20

5.72

L

19.81 20.32

L1

4.50

P

3.55

3.65

Q

5.89

6.40

R

4.32

5.49

S

6.15 BSC

英寸

分钟。马克斯。

.185 .209

.087 .102

.059 .098

.040 .055

.065 .084

.113 .123

.016 .031

.819 .845

.610 .640

0.205 0.225

.780 .800

.177

.140 .144

0.232 0.252

.170 .216

242 BSC

TO- 268外形

I

F

= I

S

, V

GS

= 0 V,

脉冲测试，T

≤

300

s,

占空比

≤

2 %

I

F

= 6A

-di / DT = 100 A / μs的

端子： 1 - 门

3 - 来源

2 - 漏极

标签 - 漏

闵推荐足迹

IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。

IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或多个

：下列美国专利

4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715 6,306,728B1 6,259,123B1 6,306,728B1

4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025 6,404,065B1 6,162,665

6,534,343

IXTH 6N120

IXTT 6N120

图。 1.输出特性

@ 25度。

6

5

V

GS

= 10V

9V

8V

7V

6V

1

0

V

GS

= 10V

9V

8V

7V

图。 2.扩展的输出特性

@ 25度。

8

I

D

- 安培

I

D

- 安培

4

3

2

1

0

2

6

6V

4

5V

2

5V

0

4

V

DS

- 伏特

6

8

1

0

1

2

1

4

1

6

0

5

1

0

1

5

20

25

30

V

DS

- 伏特

图。 3.输出特性

@ 125度。

6

5

V

GS

= 10V

9V

8V

7V

6V

图。 4.

DS （ ON）

归到我

D25

值与

结温

3.1

2.8

V

GS

= 10V

R

DS （ ON）

- 归

2.5

2.2

1

.9

1

.6

1

.3

1

0.7

0.4

I

D

= 6A

I

D

= 3A

I

D

- 安培

4

3

2

5V

1

0

5

1

0

1

5

20

25

30

-50

-25

0

25

50

75

1

00

1

25

1

50

V

DS

- 伏特

T

J

- 摄氏

图。 5.

DS （ ON）

归到我

D25

价值与我

D

2.8

2.5

V

GS

= 10V

T

J

= 125C

7

6

5

图。 6.漏电流与案例

温度

R

DS （ ON）

- 归

2.2

1

.9

1

.6

1

.3

1

0.7

0

1

.5

3

4.5

I

D

- 安培

4

3

2

1

0

T

J

= 25C

6

7.5

9

-50

-25

0

25

50

75

1

00

1

25

1

50

I

D

- 安培

T

C

- 摄氏

IXTH 6N120

IXTT 6N120

图。 7.输入导纳

6

5

1

2

1

0

图。 8.跨导

I

D

- 安培

3

2

1

0

3.5

4

T

J

= -40C

25C

125C

G

fs

- 西门子

4

8

6

4

2

0

T

J

= -40C

25C

125C

4.5

5

5.5

6

6.5

V

GS

- 伏特

0

1

.5

3

4.5

6

7.5

9

I

D

- 安培

图。 9.源电流和源极到漏极

电压

20

1

0

图。 10.栅极电荷

1

6

8

V

DS

= 600V

I

D

= 3A

I

G

= 10毫安

I

S

- 安培

1

2

V

GS

- 伏特

T

J

= 25C

0.7

0.8

0.9

6

8

T

J

= 125C

4

2

0

0.4

0.5

0.6

0

1

0

20

30

40

50

60

V

SD

- 伏特

Q

G

- nanocoulombs

图。 11.电容

1

0000

F = 100万赫兹

1

图。 12.最大瞬态热

阻力

电容 - pF的

1

000

C

OSS

1

00

C

RSS

1

0

5

1

0

1

5

R

- （ C / W）

（日） JC

30

35

40

C

国际空间站

0.1

0.01

V

DS

- 伏特

20

25

1

脉冲宽度 - 毫秒

1

0

1

00

1

000

IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。

IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或多个

：下列美国专利

4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715 6,306,728B1 6,259,123B1 6,306,728B1

4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025 6,404,065B1 6,162,665

6,534,343