ISL54224
绝对最大额定值
VDD到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
VDD到霉素。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
DX到HSD1x , HSD2x 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
输入电压
HSD2x , HSD1x 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
SEL , OE / ALM 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
输出电压
D+, D- . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
连续电流( HSD2x , HSD1x ) 。 。 。 。 。
峰值电流( HSD2x , HSD1x )
( 1毫秒脉冲,占空比为10% ,最大值) 。 。 。 。
ESD额定值:
人体模型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
机器型号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
带电器件模型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
闭锁根据JEDEC测试; II类A级
。 。 。 -0.3 6.5V
. . . . . . . 10.5V
. . . . . . . . 8.6V
。 - 0.3V至6.5V
。 。 。 -0.3 6.5V
。 。 。 -5V至6.5V
。 。 。 。 。 。 ± 40毫安
。 。 。 。 。 ±100
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
。 >5.5kV
。 >250V
。 。 >2kV
在85℃下
热信息
热电阻(典型值)
θ
JA
( ° C / W)
θ
JC
( ° C / W)
10 Ld的μTQFN包装(注6,7) 。
210
165
10 Ld的TDFN封装(注8,9) 。 。
58
22
最高结温(塑料封装) 。 。 + 150°C
最大存储温度范围。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
无铅回流焊温度曲线。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。下面。见链接
http://www.intersil.com/pbfree/Pb-FreeReflow.asp
推荐工作条件
温度范围。 。 。 。 。 。
VDD电源电压范围。
逻辑控制输入电压
模拟信号范围
V
DD
= 2.7V至5.25V 。 。 。
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至+ 85°C
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2.7V至5.25V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至5.25V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至3.6V
注意:不要达到或接近上市较长时间的最高收视率运行。暴露于这样的条件可能产生不利影响的
在故障产品的可靠性和结果不在保修范围内。
注意事项:
6.
θ
JA
测定用安装在一个高的有效热导率测试板在自由空气中的分量。参见技术简介
TB379了解详细信息。
7.对于
θ
JC
,在“临时情况”位置采取包顶部中心。
8.
θ
JA
测量在自由空气与装在一个高有效热导率测试板与部件“直接连接”
功能。参见技术简介TB379 。
9。
θ
JC
的“外壳温度”的位置是在封装底部的裸露金属焊盘的中心。
电气规格 - 2.7V至5.25V电源
测试条件: V
DD
= + 3.3V , GND = 0V ,V
SELH
= 1.4V, V
卖
= 0.5V,
V
OE / ALMH
= 1.4V, V
OE / ALML
= 0.5V , (注10 ) ,除非另有
指定的。
黑体字限额适用于工作温度
范围-40 ° C至+ 85°C 。
温度
民
( ° C) (注11 , 12 )
典型值
参数
测试条件
最大
(注11 , 12 )单位
模拟开关特性
导通电阻,R
ON
(高速)
r
ON
之间的匹配
渠道,
Δr
ON
(高速)
V
DD
= 2.7V , SEL = 0.5V或1.4V ,
OE / ALM = 1.4V ,我
Dx
= 17毫安,V
HSD1x
or
V
HSD2x
= 0V至400mV的(参见图3 ,注15)
V
DD
= 2.7V , SEL = 0.5V或1.4V ,
OE / ALM = 1.4V ,我
Dx
= 17毫安, V V
HSD1x
or
V
HSD2x
=电压的最大值
ON
(注释14 , 15 )
25
满
25
满
25
满
25
满
25
满
25
满
25
满
25
满
-
-
-
-
-
-
-
-
-20
-30
-
-
-20
-30
-
-
6.5
-
0.2
-
0.3
-
12
-
1
-
2
-
1
-
2
-
7
9
0.45
0.5
0.5
1
20
25
20
30
3
4
20
30
3
4
Ω
Ω
Ω
Ω
Ω
Ω
Ω
Ω
nA
nA
A
A
nA
nA
A
A
r
ON
平整度,R
平(ON)的
V
DD
= 2.7V , SEL = 0.5V或1.4V ,
OE / ALM = 1.4V ,我
Dx
= 17毫安,V
HSD1x
or
(高速)
V
HSD2x
= 0V至400mV的, (注13,15 )
导通电阻,R
ON
V
DD
= 3.3V , SEL = 0.5V或1.4V ,
OE / ALM = 1.4V ,我
COMX
= 17毫安,V
D+
or
V
D-
= 3.3V (见图4 ,注15)
V
DD
= 5.25V , SEL = V
DD
和OE / ALM = V
DD
or
OE / ALM = 0V ,V
Dx
= 0.3V, 3.3V,
V
HSD1x
= 3.3V, 0.3V, V
HSD2x
= 0.3V, 3.3V
V
DD
= 5.25V , SEL = 0V , OE / ALM = V
DD
,
V
Dx
= 0.3V, 3.3V, V
HSD1X
= 0.3V, 3.3V,
V
HSD2x
= 3.3V, 0.3V
V
DD
= 5.25V , SEL = 0V和OE / ALM = V
DD
or
OE / ALM = 0V ,V
Dx
= 3.3V, 0.3V, V
HSD2x
= 0.3V,
3.3V, V
HSD1X
= 3.3V, 0.3V
V
DD
= 5.25V , SEL = V
DD
, OE / ALM = V
DD
,
V
Dx
= 0.3V, 3.3V, V
HSD2x
= 0.3V, 3.3V,
V
HSD1x
= 3.3V, 0.3V
断漏电流,
I
HSD1x(OFF)
泄漏电流,
I
HSD1x(ON)
断漏电流,
I
HSD2x(OFF)
泄漏电流,
I
HSD2x(ON)
4
FN6969.0
2010年6月7日