IXTQ 100N25P IXTT 100N25P
IXTK 100N25P
TO-3P概要
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。
典型值。
马克斯。
40
56
6300
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
1150
240
25
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= I
D25
R
G
= 3.3
（外部）
26
100
28
185
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
43
91
0.21
TO-3P
TO-264
0.21
0.15
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
K / W
K / W
K / W
1
2
3
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
thCK
R
thCK
V
DS
= 10 V ;我
D
= 0.5 I
D25
，脉冲测试
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
RM
测试条件
V
GS
= 0 V
重复
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。
典型值。
马克斯。
100
250
1.5
200
3.0
A
A
V
ns
C
TO- 268外形
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V,
脉冲测试，T
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
I
F
= 25 A
-di / DT = 100 A / μs的
V
R
= 100 V
TO- 264外形
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或多个
：下列美国专利
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715 6,306,728B1 6,259,123B1 6,306,728B1
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025 6,404,065B1 6,162,665
6,534,343
IXTQ 100N25P IXTT 100N25P
IXTK 100N25P
图。 1.输出特性
@ 25
C
100
90
80
70
V
GS
= 10V
9V
8V
250
225
200
175
V
GS
= 10V
9V
图。 2.扩展的输出特性
@ 25
C
I
D
- 安培
60
50
40
30
20
10
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
5V
6V
7V
I
D
- 安培
150
125
100
75
50
25
0
0
2
4
6
8
10
12
8V
7V
6V
14
16
18
20
V
DS
- 伏特
图。 3.输出特性
@ 125
C
100
90
80
V
GS
= 10V
9V
8V
2.8
2.6
2.4
V
GS
= 10V
V
DS
- 伏特
图。 4.
DS （上
)
规范alized 0.5我
D25
值与结tem温度
I
D
- 安培
70
60
50
40
30
20
10
0
0
1
2
3
4
5
6
7
5V
6V
7V
R
DS （ ON）
- 归
2.2
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
= 100A
I
D
= 50A
V
DS
- 伏特
图。 5.
DS （ ON）
规范alized到
3.4
3.1
2.8
T
J
- 摄氏
图。 6.漏电流与案例
tem温度
110
100
90
80
0.5 I
D25
价值与我
D
V
GS
= 10V
R
DS （ ON）
- 归
2.2
1.9
1.6
1.3
1
0.7
0
25
50
75
T
J
= 25C
I
D
- 安培
2.5
T
J
= 125C
70
60
50
40
30
20
10
0
I
D
- 安培
100 125 150 175 200 225 250
-50
-25
T
C
- 摄氏
0
25
50
75
100
125
150
版权所有2004 IXYS所有权利。
IXTQ 100N25P IXTT 100N25P
IXTK 100N25P
图。 7.输入上将ittance
150
90
80
125
70
100
60
50
40
30
20
10
0
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
7.5
8
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
T
J
= -40C
25C
125C
图。 8.跨导
I
D
- 安培
75
50
25
T
J
= 125C
25C
-40C
V
GS
- 伏特
图。 9.源电流和
源 - 漏电压
300
10
9
250
200
8
7
V
DS
= 125V
I
D
= 50A
I
G
= 10毫安
g
fs
- 西门子
I
D
- 安培
图。 10.栅极电荷
I
S
- 安培
V
的s
- 伏特
T
J
= 125C
T
J
= 25C
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
6
5
4
3
2
1
150
100
50
0
0
V
SD
- 伏特
0
20
40
60
80
100 120 140 160 180 200
Q
G
- nanocoulombs
图。 12. FORW ARD偏置
安全启运区
1000
R
DS （ ON）
极限
T
J
= 150C
T
C
= 25C
100s
1ms
10ms
10
DC
25s
图。 11.电容
10000
电容 - 皮法
国际空间站
I
D
- 安培
100
1000
OSS
F = 1MHz的
RSS
100
0
5
10
15
1
20
25
30
35
40
10
100
1000
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
V
DS
- 伏特
V
DS
- 伏特
IXTQ 100N25P IXTT 100N25P
IXTK 100N25P
图。 13.马克西姆嗯瞬态千卡人抵抗
1.00
R
（日） JC
- C / W
0.10
0.01
1
10
100
1000
脉冲宽度 - 毫秒
版权所有2004 IXYS所有权利。
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