数据表号PD60251
IRS2112(
-1,-2,S
）的PbF
特点
高端和低端驱动器
产品概述
V
OFFSET
I
O
+/-
V
OUT
t
开/关
（典型值）。
延迟匹配
600 V最大。
200毫安/ 440毫安
10 V - 20 V
135纳秒& 105纳秒
30纳秒
设计为引导操作浮动通道
充分运作，以+600 V
耐负瞬态电压的dV / dt
免疫的
栅极驱动电压范围为10 V至20 V
欠压锁定两个通道
3.3 V逻辑兼容
独立的逻辑电源电压范围为3.3 V至20 V
逻辑和电源地+/- 5 V偏置
CMOS施密特触发与下拉输入
逐周期边沿触发关断逻辑
匹配的传播延迟为两个通道
同相输入输出
符合RoHS
套餐
14引脚PDIP
IRS2112
16引脚PDIP
（W / O导致4 & 5 ）
IRS2112-2
描述
该IRS2112是高电压，高转速动力
MOSFET和IGBT驱动器具有独立的高，
低侧参考输出通道。专有的HVIC
和锁存免疫CMOS技术使rug-
14引脚PDIP
gedized单片式结构。逻辑输入的COM
（W / O引线4 ）
兼容与标准CMOS或LSTTL输出，下降
IRS2112-1
至3.3 V逻辑。输出驱动器具有高脉冲
16引脚SOIC
电流缓冲级，最低驱动
IRS2112S
跨导。传播延迟匹配
为了简化在高频应用中使用。该
浮动通道可以用于驱动N沟道功率MOSFET或IGBT在高侧配置
它的工作频率高达600 V.
典型连接
HO
V
DD
HIN
SD
LIN
V
SS
V
CC
V
DD
HIN
SD
LIN
V
SS
V
CC
COM
LO
V
B
V
S
高达600 V
TO
负载
（请参阅铅作业的正确引脚配置） 。此图仅显示电气连接。请
请参考我们的应用笔记和DesignTips正确的电路板布局。
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1
IRS2112(-1,-2,S)PbF
绝对最大额定值
绝对最大额定值表明持续的界限，可能会损坏设备。所有的电压参
ETERS都是参考COM绝对的电压。热敏电阻和功率耗散的评分被测量
在船上安装和静止空气条件。附加信息被显示在图28至35 。
符号
V
B
V
S
V
HO
V
CC
V
LO
V
DD
V
SS
V
IN
dV
s
/ DT
P
D
R
thJA
T
J
T
S
T
L
德网络nition
高侧浮动电源电压
高侧浮动电源偏置电压
高侧浮动输出电压
低端固定电源电压
低侧输出电压
逻辑电源电压
逻辑电源电压偏移
逻辑输入电压（ HIN ， LIN & SD ）
可允许的偏移电压瞬变（图2）
包装功耗@ T
A
≤
+25 °C
热阻，结到环境
结温
储存温度
引线温度（焊接， 10秒）
（ 14引脚DIP ）
（ 16引脚SOIC ）
（ 14引脚DIP ）
（ 16引脚SOIC ）
分钟。
-0.3
V
B
- 25
V
S
- 0.3
-0.3
-0.3
-0.3
V
CC
- 25
V
SS
- 0.3
—
—
—
—
—
—
-55
—
马克斯。
625
V
B
+ 0.3
V
B
+ 0.3
25
V
CC
+ 0.3
V
SS
+ 25
V
CC
+ 0.3
V
DD
+ 0.3
50
1.6
1.25
75
100
150
150
300
单位
V
V / ns的
W
° C / W
°C
推荐工作条件
的输入/输出逻辑的时序图中示出图1.对于正确的操作设备应在该使用
推荐的条件。在VS和VSS抵消收视率与偏置15 V差分所有电源进行测试。典型
在其他的偏置条件的评分示于图36和37 。
符号
V
B
V
S
V
HO
V
CC
V
LO
V
DD
V
SS
V
IN
T
A
德网络nition
高侧浮动电源电压的绝对值
高侧浮动电源偏置电压
高侧浮动输出电压
低端固定电源电压
低侧输出电压
逻辑电源电压
逻辑电源电压偏移
逻辑输入电压（ HIN ， LIN & SD ）
环境温度
分钟。
V
S
+ 10
注1
V
S
10
0
V
SS
+ 3
-5 （注2 ）
V
SS
-40
马克斯。
V
S
+ 20
600
V
B
20
V
CC
V
SS
+ 20
5
V
DD
125
单位
V
°C
注1 ：
逻辑运算的V
S
-5 V至+600 V.逻辑状态保持V
S
-5 V至-V
BS
。 （请参考设计
提示DT97-3有详细介绍） 。
注2 ：
当V
DD
< 5V，最小V
SS
偏移量被限制为-V
DD
.
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2
IRS2112(-1,-2,S)PbF
动态电气特性
V
BIAS
(V
CC
, V
BS
, V
DD
）= 15 V ，C
L
= 1000pF的，T
A
= 25° C和V
SS
= COM ，除非另有规定。动态
电特性用图中所示的测试电路进行测量。 3 。
符号
t
on
t
关闭
t
sd
t
r
t
f
MT
德网络nition
导通传播延迟
关断传播延迟
关断传播延迟
开启上升时间
关断下降时间
延时匹配，HS & LS的开启/关闭
分钟。典型值。马克斯。单位测试条件
—
—
—
—
—
—
135
130
130
75
35
—
180
160
160
130
65
30
V
S
= 600 V
V
S
= 0 V
ns
静态电气特性
V
BIAS
(V
CC
, V
BS
, V
DD
） ≤ 15 V ，T
A
= 25° C和V
SS
= COM ，除非另有规定。在V
IN
, V
TH
和我
IN
参数
是参考V
SS
并适用于所有的三个逻辑输入引线： HIN ，LIN和SD 。在V
O
我
O
参数
参考COM和适用于各个输出引线： HO或LO 。
符号
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
LK
I
QBS
I
QCC
I
检疫侦缉犬
I
IN +
I
IN-
V
BSUV +
V
BSUV-
V
CCUV +
V
CCUV-
I
O+
I
O-
德网络nition
逻辑“1”的输入电压
逻辑“0”输入电压
高电平输出电压V
BIAS
- V
O
低电平输出电压，V
O
偏置电源漏电流
静态V
BS
电源电流
静态V
CC
电源电流
静态V
DD
电源电流
逻辑“1”的输入偏置电流
逻辑“0”输入偏置电流
V
BS
电源欠压积极正在进行
门槛
V
BS
电源欠压负向
门槛
V
CC
电源欠压积极正在进行
门槛
V
CC
电源欠压负向
门槛
高输出短路电流脉冲
低输出短路脉冲电流
分钟。典型值。马克斯。单位测试条件
9.5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
7.4
7.0
7.6
7.2
200
420
—
—
0.05
0.02
—
25
80
2.0
20
—
8.5
8.1
8.6
8.2
290
600
—
6.0
0.2
0.1
50
100
180
30
40
1.0
9.6
9.2
V
9.6
9.2
—
mA
—
V
O
= 0 V, V
IN
= V
DD
PW
≤
10 s
V
O
= 15 V, V
IN
= 0 V
PW
≤
10 s
A
V
IN
= V
DD
V
IN
= 0 V
V
IN
= 0 V或V
DD
V
I
O
= 2毫安
V
B
= V
S
= 600 V
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