添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线:13751165337  13692101218
51电子网联系电话:13751165337
位置:首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第867页 > IXTQ82N25P
PolarHT
TM
功率MOSFET
N沟道增强模式
初步数据表
IXTQ 82N25P
IXTT 82N25P
IXTK 82N25P
R
DS ( ON)
V
DSS
I
D25
= 250 V
= 82
A
= 35
m
TO- 264 ( IXTK )
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSM
I
D25
I
D( RMS)
I
DM
I
AR
E
AR
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
M
d
重量
从案例10秒1.6毫米( 0.062英寸)
安装力矩
TO-3P
TO-264
TO-268
T
C
= 25°C
外部引线电流限制
T
C
= 25 ° C,脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
I
S
I
DM
, di / dt的
100 A / μs的,V
DD
V
DSS
,
T
J
150℃ ,R
G
= 4
T
C
= 25°C
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GS
= 1 M
最大额定值
250
250
±20
82
75
250
60
40
1.0
10
500
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
V
V
V
A
A
A
A
mJ
J
V / ns的
W
°C
°C
°C
°C
G =门
S =源
D =漏
TAB =漏
G
D
S
( TAB )
TO-3P ( IXTQ )
G
D
S
( TAB )
TO- 268 ( IXTT )
G
S
D( TAB )
1.13 / 10牛米/ lb.in 。
5.5
10
5.0
g
g
g
特点
国际标准封装
非钳位感应开关( UIS)
评级
低封装电感
- 易于驾驶和保护
优势
易于安装
节省空间
高功率密度
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
V
DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
R
DS ( ON)
V
GS
= 0 V,I
D
= 250
A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
=
±20
V
DC
, V
DS
= 0
V
DS
= V
DSS
V
GS
= 0 V
T
J
= 125°C
特征值
MIN 。 TYP 。
马克斯。
250
2.5
5.0
±100
25
250
35
V
V
nA
A
A
m
V
GS
= 10 V,I
D
= 0.5 I
D25
脉冲测试,T
300
s,
占空比
2 %
PolarHT
TM
DMOS晶体管
利用专有的设计和
流程。美国专利正在申请中。
DS99121B(04/04)
版权所有2004 IXYS所有权利。
IXTK 82N25P IXTQ 82N25P
IXTT 82N25P
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
分钟。
典型值。
马克斯。
30
52
4800
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V , F = 1兆赫
900
210
29
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 60 A
R
G
= 4
(外部)
20
78
22
142
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
32
74
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
0.25 K / W
TO-3P
TO-264
0.21
0.15
K / W
K / W
TO-3P概要
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
G( ON)的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
thCH
V
DS
= 10 V ;我
D
= 0.5 I
D25
,脉冲测试
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
RM
测试条件
V
GS
= 0 V
重复
特征值
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
分钟。
典型值。
马克斯。
82
250
1.5
200
2.0
A
A
V
ns
C
TO- 268外形
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V,
脉冲测试,T
300
s,
占空比
2 %
I
F
= 25 A
-di / DT = 100 A / μs的
V
R
= 100 V
TO- 264 AA大纲
IXYS保留更改限制,试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或多个
:下列美国专利
4,850,072
4,835,592
4,931,844
4,881,106
5,034,796
5,017,508
5,063,307
5,049,961
5,237,481
5,187,117
5,381,025
5,486,715
6,404,065B1
6,306,728B1
6,162,665
6,534,343
6,583,505
6,259,123B1 6,306,728B1 6,683,344
IXTK 82N25P IXTQ 82N25P
IXTT 82N25P
图。 1.输出特性
@ 25
C
90
80
70
V
GS
= 10V
9V
8V
200
180
160
140
V
GS
= 10V
9V
图。 2.扩展的输出特性
@ 25
C
I
D
- 安培
I
D
- 安培
60
50
40
30
20
10
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
6V
7V
120
100
80
60
40
20
0
0
2
4
6
8
10
12
8V
7V
6V
14
16
18
20
V
DS
- 伏特
图。 3.输出特性
@ 125
C
90
80
70
V
GS
= 10V
9V
8V
2.6
2.4
2.2
V
GS
= 10V
V
DS
- 伏特
图。 4.
DS (上
)
规范alized到我
D25
价值
- 结tem温度
I
D
- 安培
60
50
40
30
20
10
0
0
1
2
3
5V
4
5
6
7
8
7V
R
DS ( ON)
- 归
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
I
D
= 82A
I
D
= 41A
6V
V
DS
- 伏特
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 摄氏
图。 6.漏电流与案例
tem温度
图。 5.
DS ( ON)
规范alized到
3.7
3.4
3.1
V
GS
= 10V
I
D25
价值与我
D
90
80
70
R
DS ( ON)
- 归
2.8
2.5
2.2
1.9
1.6
1.3
1
0.7
0
20
40
60
T
J
= 25C
T
J
= 125C
I
D
- 安培
60
50
40
30
20
10
0
I
D
- 安培
80
100 120 140 160 180 200
-50
-25
T
C
- 摄氏
0
25
50
75
100
125
150
版权所有2004 IXYS所有权利。
IXTK 82N25P IXTQ 82N25P
IXTT 82N25P
图。 7.输入上将ittance
100
90
80
70
80
70
60
T
J
= -40C
25C
125C
图。 8.跨导
I
D
- 安培
g
fs
- 西门子
6
6.5
7
7.5
8
60
50
40
30
20
10
0
4
4.5
5
5.5
T
J
= 125C
25C
-40C
50
40
30
20
10
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
V
GS
- 伏特
图。 9.源电流和
源 - 漏电压
240
10
9
200
8
7
V
DS
= 125V
I
D
= 41A
I
G
= 10毫安
I
D
- 安培
图。 10.栅极电荷
I
S
- 安培
160
V
的s
- 伏特
T
J
= 125C
T
J
= 25C
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
6
5
4
3
2
1
120
80
40
0
0
V
SD
- 伏特
0
15
30
45
60
75
90
105 120 135 150
Q
G
- nanocoulombs
图。 12. FORW ARD偏置
安全工作区
1000
T
J
= 150C
R
DS ( ON)
极限
T
C
= 25C
100s
1ms
10ms
10
DC
25s
图。 11.电容
10000
F = 1MHz的
电容 - pF的
1000
OSS
RSS
100
0
5
10
15
1
20
25
30
35
40
10
100
1000
V
DS
- 伏特
I
D
- 安培
国际空间站
100
V
DS
- 伏特
5,381,025
5,486,715
6,404,065B1
6,306,728B1
IXYS保留更改限制,试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或多个
:下列美国专利
4,850,072
4,835,592
4,931,844
4,881,106
5,034,796
5,017,508
5,063,307
5,049,961
5,237,481
5,187,117
6,162,665
6,534,343
6,583,505
6,259,123B1 6,306,728B1 6,683,344
IXTK 82N25P IXTQ 82N25P
IXTT 82N25P
图。 13. M的Axim嗯牛逼一个S即NT牛逼赫姆人再s是棕褐色的CE
1.00
R
(日) JC
- ( C / W)
0.10
0.01
1
10
1 00
1000
PULS东西ID - 米利斯EC哔声
版权所有2004 IXYS所有权利。
PolarHT
TM
功率MOSFET
N沟道增强模式
初步数据表
IXTQ 82N25P
IXTT 82N25P
IXTK 82N25P
R
DS ( ON)
V
DSS
I
D25
= 250 V
= 82
A
= 35
m
TO- 264 ( IXTK )
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSM
I
D25
I
D( RMS)
I
DM
I
AR
E
AR
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
M
d
重量
从案例10秒1.6毫米( 0.062英寸)
安装力矩
TO-3P
TO-264
TO-268
T
C
= 25°C
外部引线电流限制
T
C
= 25 ° C,脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
I
S
I
DM
, di / dt的
100 A / μs的,V
DD
V
DSS
,
T
J
150℃ ,R
G
= 4
T
C
= 25°C
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GS
= 1 M
最大额定值
250
250
±20
82
75
250
60
40
1.0
10
500
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
V
V
V
A
A
A
A
mJ
J
V / ns的
W
°C
°C
°C
°C
G =门
S =源
D =漏
TAB =漏
G
D
S
( TAB )
TO-3P ( IXTQ )
G
D
S
( TAB )
TO- 268 ( IXTT )
G
S
D( TAB )
1.13 / 10牛米/ lb.in 。
5.5
10
5.0
g
g
g
特点
国际标准封装
非钳位感应开关( UIS)
评级
低封装电感
- 易于驾驶和保护
优势
易于安装
节省空间
高功率密度
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
V
DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
R
DS ( ON)
V
GS
= 0 V,I
D
= 250
A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
=
±20
V
DC
, V
DS
= 0
V
DS
= V
DSS
V
GS
= 0 V
T
J
= 125°C
特征值
MIN 。 TYP 。
马克斯。
250
2.5
5.0
±100
25
250
35
V
V
nA
A
A
m
V
GS
= 10 V,I
D
= 0.5 I
D25
脉冲测试,T
300
s,
占空比
2 %
PolarHT
TM
DMOS晶体管
利用专有的设计和
流程。美国专利正在申请中。
DS99121B(04/04)
版权所有2004 IXYS所有权利。
IXTK 82N25P IXTQ 82N25P
IXTT 82N25P
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
分钟。
典型值。
马克斯。
30
52
4800
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V , F = 1兆赫
900
210
29
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 60 A
R
G
= 4
(外部)
20
78
22
142
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
32
74
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
0.25 K / W
TO-3P
TO-264
0.21
0.15
K / W
K / W
TO-3P概要
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
G( ON)的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
thCH
V
DS
= 10 V ;我
D
= 0.5 I
D25
,脉冲测试
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
RM
测试条件
V
GS
= 0 V
重复
特征值
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
分钟。
典型值。
马克斯。
82
250
1.5
200
2.0
A
A
V
ns
C
TO- 268外形
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V,
脉冲测试,T
300
s,
占空比
2 %
I
F
= 25 A
-di / DT = 100 A / μs的
V
R
= 100 V
TO- 264 AA大纲
IXYS保留更改限制,试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或多个
:下列美国专利
4,850,072
4,835,592
4,931,844
4,881,106
5,034,796
5,017,508
5,063,307
5,049,961
5,237,481
5,187,117
5,381,025
5,486,715
6,404,065B1
6,306,728B1
6,162,665
6,534,343
6,583,505
6,259,123B1 6,306,728B1 6,683,344
IXTK 82N25P IXTQ 82N25P
IXTT 82N25P
图。 1.输出特性
@ 25
C
90
80
70
V
GS
= 10V
9V
8V
200
180
160
140
V
GS
= 10V
9V
图。 2.扩展的输出特性
@ 25
C
I
D
- 安培
I
D
- 安培
60
50
40
30
20
10
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
6V
7V
120
100
80
60
40
20
0
0
2
4
6
8
10
12
8V
7V
6V
14
16
18
20
V
DS
- 伏特
图。 3.输出特性
@ 125
C
90
80
70
V
GS
= 10V
9V
8V
2.6
2.4
2.2
V
GS
= 10V
V
DS
- 伏特
图。 4.
DS (上
)
规范alized到我
D25
价值
- 结tem温度
I
D
- 安培
60
50
40
30
20
10
0
0
1
2
3
5V
4
5
6
7
8
7V
R
DS ( ON)
- 归
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
I
D
= 82A
I
D
= 41A
6V
V
DS
- 伏特
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 摄氏
图。 6.漏电流与案例
tem温度
图。 5.
DS ( ON)
规范alized到
3.7
3.4
3.1
V
GS
= 10V
I
D25
价值与我
D
90
80
70
R
DS ( ON)
- 归
2.8
2.5
2.2
1.9
1.6
1.3
1
0.7
0
20
40
60
T
J
= 25C
T
J
= 125C
I
D
- 安培
60
50
40
30
20
10
0
I
D
- 安培
80
100 120 140 160 180 200
-50
-25
T
C
- 摄氏
0
25
50
75
100
125
150
版权所有2004 IXYS所有权利。
IXTK 82N25P IXTQ 82N25P
IXTT 82N25P
图。 7.输入上将ittance
100
90
80
70
80
70
60
T
J
= -40C
25C
125C
图。 8.跨导
I
D
- 安培
g
fs
- 西门子
6
6.5
7
7.5
8
60
50
40
30
20
10
0
4
4.5
5
5.5
T
J
= 125C
25C
-40C
50
40
30
20
10
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
V
GS
- 伏特
图。 9.源电流和
源 - 漏电压
240
10
9
200
8
7
V
DS
= 125V
I
D
= 41A
I
G
= 10毫安
I
D
- 安培
图。 10.栅极电荷
I
S
- 安培
160
V
的s
- 伏特
T
J
= 125C
T
J
= 25C
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
6
5
4
3
2
1
120
80
40
0
0
V
SD
- 伏特
0
15
30
45
60
75
90
105 120 135 150
Q
G
- nanocoulombs
图。 12. FORW ARD偏置
安全工作区
1000
T
J
= 150C
R
DS ( ON)
极限
T
C
= 25C
100s
1ms
10ms
10
DC
25s
图。 11.电容
10000
F = 1MHz的
电容 - pF的
1000
OSS
RSS
100
0
5
10
15
1
20
25
30
35
40
10
100
1000
V
DS
- 伏特
I
D
- 安培
国际空间站
100
V
DS
- 伏特
5,381,025
5,486,715
6,404,065B1
6,306,728B1
IXYS保留更改限制,试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或多个
:下列美国专利
4,850,072
4,835,592
4,931,844
4,881,106
5,034,796
5,017,508
5,063,307
5,049,961
5,237,481
5,187,117
6,162,665
6,534,343
6,583,505
6,259,123B1 6,306,728B1 6,683,344
IXTK 82N25P IXTQ 82N25P
IXTT 82N25P
图。 13. M的Axim嗯牛逼一个S即NT牛逼赫姆人再s是棕褐色的CE
1.00
R
(日) JC
- ( C / W)
0.10
0.01
1
10
1 00
1000
PULS东西ID - 米利斯EC哔声
版权所有2004 IXYS所有权利。
查看更多IXTQ82N25PPDF信息
推荐型号
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    IXTQ82N25P
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
IXTQ82N25P
IXYS/艾赛斯
21+
10000
TO-3P
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1281623813 复制 点击这里给我发消息 QQ:1281623813 复制

电话:0755-23914006/18318877587
联系人:陈佳隆
地址:深圳市福田区华强北新亚洲电子市场一期2A108●国利大厦1502室
IXTQ82N25P
IXYS/艾赛斯
24+
21000
TO-220
真实库存信息/只做原装正品/支持实单
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2441261114 复制
电话:0755-82731800
联系人:付先生
地址:深圳市福田区振华路118号华丽装饰大厦2栋2单元320室
IXTQ82N25P
IXYS
24+
1435
TO247
只做原装正品
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2885615943 复制
电话:0512-82613006
联系人:曾小姐
地址:昆山市朝阳东路99号4楼
IXTQ82N25P
IXYS
19+
355
标准封装
一级授权代理IGBT模块 可控硅模块 二极管 晶闸管 熔断器 保证全新原装正品
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3539722974 复制 点击这里给我发消息 QQ:3449124707 复制
电话:0755-23915992/23140719
联系人:李小姐
地址:深圳市福田区振华路中航苑鼎城大夏1709室
IXTQ82N25P
IXYS
24+
68500
TO247
一级代理/放心采购
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:657995889 复制

电话:0755*83682918
联系人:林小姐
地址:深圳市福田区华强花园A座30E
IXTQ82N25P
IXYS/艾赛斯
22+
16000
TO-3P
原装正品自家库存
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1257051031 复制
电话:0755-83361530
联系人:朱小姐
地址:深圳褔田区华强北上步工业区201栋303A
IXTQ82N25P
IXYS/Littelfuse
23+
450
TO-3P
450¥/片,7-10天交期
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:316279873 复制 点击这里给我发消息 QQ:2110158237 复制 点击这里给我发消息 QQ:932480677 复制 点击这里给我发消息 QQ:1298863740 复制

电话:0755-82561519
联系人:李先生
地址:深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
IXTQ82N25P
IXYS/艾赛斯
2418+
2500
TO-3P
正规报关原装现货系列订货技术支持
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2885615954 复制

电话:19129493510
联系人:李
地址:福田区上步工业区101栋4楼
IXTQ82N25P
IXYS
22+
950
TO247
原装正品
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1257051031 复制
电话:0755-83361530
联系人:朱小姐
地址:深圳褔田区华强北上步工业区201栋303A
IXTQ82N25P
IXYS/Littelfuse
23+
450
TO-3P
450¥/片,7-10天交期
查询更多IXTQ82N25P供应信息

深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功!