高速3.3V
8K ×8双端口
静态RAM
集成设备技术有限公司
IDT70V05S/L
产品特点：
真正的双端口存储器单元允许simulta-
相同的内存位置neous访问
高速访问
- 商业：25 /35 / 55ns （最大值）
低功耗运行
- IDT70V05S
主动：为350mW （典型值）。
待机： 3.5MW （典型值）。
- IDT70V05L
主动：为350mW （典型值）。
待机：为1mW （典型值）。
IDT70V05轻松扩展数据总线宽度为16位或
更多使用主/从选择级联时
一个以上的设备
M/
S
= H的
忙
法师输出标志
M/
S
= L为
忙
输入从机上
忙碌和中断标志
片上端口仲裁逻辑
完整的片上硬件支持信号量的信号
端口之间
从任何一个端口完全异步操作
设备能够超过2001V承受更大的
静电放电
电池备份操作-2V的数据保留
LVTTL兼容，单3.3V （ ± 0.3V ）电源
提供68引脚的PGA ， 68引脚PLCC和64引脚
TQFP
描述：
该IDT70V05是一个高速8K ×8双端口静态
内存。该IDT70V05被设计为用作一个独立的
双端口RAM或作为一个组合主/从双核
端口RAM为16位或更多的字的系统。采用IDT
在16位或更宽的主/从双口RAM的方法
存储器系统的应用程序的结果在全速无差错
功能框图
OE
L
R/
OE
R
R/
CE
L
W
L
CE
R
W
R
I / O
0L
- I / O
7L
I / O
控制
I / O
控制
I / O
0R
-I / O
7R
忙
L
(1,2)
忙
R
地址
解码器
13
(1,2)
A
12L
A
0L
内存
ARRAY
地址
解码器
A
12R
A
0R
13
注意事项：
1. （ MASTER ） ：
忙
输出;
（ SLAVE ） ：
忙
输入。
2. BUSY输出
和INT输出
都是非三
规定的推拉。
OE
L
R/
CE
L
W
L
仲裁
打断
SEMAPHORE
逻辑
CE
R
R/
OE
R
W
R
SEM
R
(2)
SEM
L
INT
L
(2)
M/
S
INT
R
2941 DRW 01
IDT标志是集成设备技术，Inc.的注册商标。
商业级温度范围
1996集成设备技术有限公司
有关最新信息，请联系IDT的网站www.idt.com或传真点播在408-492-8391 。
1996年10月
6.35
DSC-2941/3
1
IDT70V05S/L
高速3.3V 8K ×8双端口静态RAM
商业级温度范围
操作而不需要额外的分立逻辑。
该器件提供了独立的两个独立端口
控制，地址和I / O引脚，允许独立的，
对于异步访问读或写操作的任何位置中
内存。受控制的自动断电功能
CE
允许执行片上的电路的每个端口的输入非常低的
备用电源模式。
采用IDT的CMOS高性能技制造
术，这些设备通常在功率仅350mW的操作。
低功率（ L）版本提供电池备份数据保留
与500μW的从2V典型功耗能力
电池。
该IDT70V05封装在陶瓷68针的PGA ，一个68-
引脚PLCC和64引脚薄型塑料四方扁平封装（ TQFP ） 。
销刀豆网络gurations
(1,2)
SEM
L
4
I / O
1L
I / O
0L
N / C
W
L
R/
6
5
指数
I / O
2L
I / O
3L
I / O
4L
I / O
5L
GND
I / O
6L
I / O
7L
V
CC
GND
I / O
0R
I / O
1R
I / O
2R
V
CC
I / O
3R
I / O
4R
I / O
5R
I / O
6R
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
9
8
7
3
N / C
N / C
V
CC
A
12L
A
11L
A
10L
A
9L
A
8L
A
7L
A
6L
2
1 68 67 66 65 64 63 62 61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
OE
L
CE
L
IDT70V05
J68-1
F68-1
PLCC / FLATPACK
TOP VIEW （ 3 ）
A
5L
A
4L
A
3L
A
2L
A
1L
A
0L
INT
L
忙
L
GND
M/
S
INT
R
忙
R
A
0R
A
1R
A
2R
A
3R
A
4R
44
26
27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43
I / O
7R
N / C
SEM
R
N / C
N / C
GND
A
12R
A
11R
A
10R
A
9R
A
8R
A
7R
A
6R
A
5R
OE
R
W
R
CE
R
2941 DRW 02
R/
I / O
1L
I / O
0L
R/
L
SEM
L
OE
L
指数
54
53
52
64
63
62
59
58
57
61
60
56
55
I / O
2L
I / O
3L
I / O
4L
I / O
5L
GND
I / O
6L
I / O
7L
V
CC
GND
I / O
0R
I / O
1R
I / O
2R
V
CC
I / O
3R
I / O
4R
I / O
5R
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
51
50
49
N / C
V
CC
A
12L
A
11L
A
10L
A
9L
A
8L
A
7L
A
6L
A
5L
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
W
CE
L
A
4L
A
3L
A
2L
A
1L
A
0L
INT
L
IDT70V05
PN-64
TQFP
TOP VIEW （ 3 ）
忙
L
GND
M/
S
忙
R
INT
R
A
0R
A
1R
A
2R
A
3R
A
4R
26
27
28
20
21
22
29
30
31
A
7R
A
6R
A
8R
I / O
6R
I / O
7R
OE
R
17
18
19
SEM
R
R/
R
CE
R
23
24
25
A
11R
A
10R
A
9R
GND
A
12R
A
5R
N / C
32
注意事项：
1.所有的Vcc引脚都必须连接到电源。
2.所有GND引脚都必须连接到接地电源。
3.本文并不表示实际的部分标记的方向。
6.35
W
2941 DRW 03
2
IDT70V05S/L
高速3.3V 8K ×8双端口静态RAM
商业级温度范围
真值表I - 非争读/写控制
输入
(1)
输出
CE
H
L
L
X
注意：
R/
W
X
L
H
X
OE
X
X
L
H
SEM
H
H
H
X
I / O
0-7
高-Z
数据
IN
数据
OUT
高-Z
取消：关闭电源
写入内存
阅读记忆
输出禁用
模式
2941 TBL 02
1. A
0L
— A
12L
≠
A
0R
— A
12R.
真值表II - 旗语读/写控制
(1)
输入
输出
CE
H
H
L
R/
W
H
X
OE
L
X
X
SEM
L
L
L
I / O
0-7
数据
OUT
数据
IN
—
在信号灯标记读取数据
写
IN0
到信号灯标志
不允许
模式
注意：
1.有通过我写的八个信号旗/ O
0
和所有的I / O （ I / O读
0
-I / O
7
） 。这八个信号灯由A处理
0
- A
2
.
2941 TBL 03
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
(2)
等级
端电压
对于
到GND
操作
温度
温度
在偏置
存储
温度
DC输出
当前
商业单位
-0.5到+4.6
V
推荐工作
温度和电源电压
GRADE
广告
环境
温度
0 ° C至+ 70°C
GND
0V
V
CC
3.3V
±
0.3V
2941 TBL 05
T
A
T
BIAS
T
英镑
I
OUT
0至+70
-55到+125
-55到+125
50
°C
°C
°C
mA
建议的直流工作
条件
符号
V
CC
GND
V
IH
V
IL
参数
电源电压
电源电压
输入高电压
输入低电压
分钟。
3.0
0
2.0
-0.3
(1)
典型值。
3.3
0
—
—
MAX 。 UNIT
3.6
0
0.8
V
V
V
2941 TBL 06
注意事项：
2941 TBL 04
1.强调超过绝对最大上市
额定值可能会导致器件的永久性损坏。这是一个应力
值仅为器件在这些或任何其他功能操作
以上这些条件在此业务部门所标明
规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能会影响其可靠性。
2. V
TERM
不得超过VCC + 0.3V 。
VCC + 0.3 V
注意事项：
1. V
IL
≥
-1.5V脉冲宽度小于10ns的。
2. V
TERM
不得超过VCC + 0.5V。
电容
(1)
(T
A
= + 25 ° C，F = 1.0MHz的）仅TQFP
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
产量
电容
条件
(1)
马克斯。
V
IN
= 3DV
V
OUT
= 3DV
11
11
单位
pF
pF
注意事项：
2941 TBL 07
1，这个参数是由器件特性决定的，但不是
生产测试。
2. 3DV表示当输入和内插的输出电容
信号转换为0V至3V或3V至0V 。
6.35
4
IDT70V05S/L
高速3.3V 8K ×8双端口静态RAM
商业级温度范围
DC电气特性在
工作温度和电源电压范围
(V
CC
= 3.3V
±
0.3V)
IDT70V05S
符号
|I
LI
|
|I
LO
|
V
OL
V
OH
参数
输入漏电流
(1)
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
测试条件
V
CC
= 3.6V, V
IN
= 0V至V
CC
分钟。
—
—
—
2.4
马克斯。
10
10
0.4
—
IDT70V05L
分钟。
—
—
—
2.4
马克斯。
5
5
0.4
—
单位
A
A
V
V
2941 TBL 08
CE
= V
IH
, V
OUT
= 0V至V
CC
I
OL
= 4毫安
I
OH
= -4mA
注意：
1.在Vcc
≤
2.0V输入泄漏是不确定的。
DC电气特性在
工作温度和电源电压范围
(1)
(V
CC
= 3.3V
±
0.3V)
70V05X25
符号
I
CC
参数
工作动态
当前
（两个端口均有效）
待机电流
（这两个端口 - TTL
电平输入）
待机电流
（单端口 - TTL
电平输入）
TEST
条件
VERSION
Com'l
S
L
70V05X35
70V05X55
典型值。
(2)
马克斯。典型值。
(2)
马克斯。典型值。
(2)
MAX 。 UNIT
80
70
140
120
70
60
115
100
70
60
115
100
mA
f = f
MAX(3)
CE
= V
IL
，输出打开
SEM
= V
IH
CE
R
=
CE
L
= V
IH
SEM
R
=
SEM
L
= V
IH
CE
L
or
CE
R
= V
IH
有源端口输出打开
I
SB1
Com'l 。
f = f
MAX(3)
S
L
12
10
25
20
10
8
25
20
10
8
25
20
mA
I
SB2
Com'l 。
S
L
40
30
82
72
35
25
72
62
35
25
72
62
mA
f = f
MAX(3)
SEM
R
=
SEM
L
= V
IH
I
SB3
全待机电流
（这两个端口 - 所有
CMOS电平输入）
这两个端口
CE
L
和
CE
R
≥
V
CC
- 0.2V
V
IN
≥
V
CC
- 0.2V或
V
IN
≤
0.2V ， F = 0
(4)
SEM
R
=
SEM
L
≥
V
CC
- 0.2V
一个端口
CE
L
or
CE
R
≥
V
CC
- 0.2V
SEM
R
=
SEM
L
≥
V
CC
- 0.2V
V
IN
≥
V
CC
- 0.2V或V
IN
≤
0.2V
有源端口输出打开
f = f
MAX(3)
Com'l 。
S
L
50
40
81
71
45
35
71
61
45
35
71
61
mA
Com'l 。
S
L
1.0
0.2
5
2.5
1.0
0.2
5
2.5
1.0
0.2
5
2.5
mA
I
SB4
全待机电流
（一个端口 - 所有
CMOS电平输入）
注意事项：
2941 TBL 09
1. "X"部分数字表示额定功率（S或L ） 。
2. V
CC
= 3.3V ，T
A
= +25°C.
3.在f = F
最大
，地址和控制线（除输出使能）被循环以1 /吨的最高频率的读周期
RC
，并使用“AC测试条件”
GND的输入电平为3V 。
4， F = 0表示无地址或控制线变化。
6.35
5
高速3.3V
8K ×8双端口
静态RAM
特点
x
x
IDT70V05S/L
x
x
真正的双端口存储器单元，可同步
读取相同的内存位置
高速存取
- 商业： 15/20 /25/ 35 / 55ns （最大值）
- 工业： 20/25 /35 / 55ns （最大）
低功耗工作
- IDT70V05S
主动：为400mW （典型值）。
待机： 3.3mW （典型值）。
- IDT70V05L
主动： 380MW （典型值）。
待机： 660
W（典型值）。
IDT70V05轻松扩展数据总线宽度为16位或更多
x
x
x
x
x
x
x
x
采用主/从选择当级联多
一台设备
M / S = V
IH
为
忙
法师输出标志
M / S = V
IL
为
忙
输入从机上
中断标志
片上的端口仲裁逻辑
全片上硬件支持信号量的信号
端口之间
从任何一个端口完全异步操作
TTL兼容的，单一的3.3V （ ± 0.3V ）电源
可提供68引脚的PGA和PLCC封装，以及64引脚TQFP
工业级温度范围（-40 ° C至+ 85°C ），可
对于选定的速度
功能框图
OE
L
R/
W
L
OE
R
CE
R
R/
W
R
CE
L
I / O
0L
- I / O
7L
I / O
控制
I / O
控制
I / O
0R
-I / O
7R
忙
L
(1,2)
A
12L
A
0L
地址
解码器
13
忙
R
(1,2)
内存
ARRAY
13
地址
解码器
A
12R
A
0R
CE
L
OE
L
R/
W
L
SEM
L
INT
L
(2)
注意事项：
1. （ MASTER ） ：
忙
输出; （ SLAVE ） ：
忙
输入。
2.
忙
输出和
INT
输出的非三态推挽。
仲裁
打断
SEMAPHORE
逻辑
CE
R
OE
R
读/写
R
M/
S
SEM
R
INT
R
(2)
2941 DRW 01
2000年3月
1
2000集成设备技术有限公司
DSC六分之二千九百四十一
IDT70V05S/L
高速8K ×8双端口静态RAM
军事，工业和商业温度范围
描述
该IDT70V05是一个高速8K ×8双端口静态RAM 。该
IDT70V05被设计为用作一个独立的64K位双端口
SRAM或作为组合主/从双端口SRAM为16比特
或者，更字系统。采用IDT主/从双端口SRAM
在16位或更广泛的存储系统应用成果在全办法
速度，而不需要额外的分立逻辑错误的操作。
该器件提供了独立控制两个独立的端口，
地址和I / O引脚，允许自主，异步访问
读或写操作的任何位置在存储器中。自动断电
功能通过控制
CE
允许片上电路，每个端口的输入
非常低的待机功耗模式。
采用IDT ？的CMOS高性能技术制造，这些
设备通常对功耗仅为400mW的运行。
该IDT70V05封装在陶瓷68针的PGA和PLCC
和64引脚薄型四方扁平封装（ TQFP ） 。
销刀豆网络gurations
(1,2,3)
指数
I / O
2L
I / O
3L
I / O
4L
I / O
5L
GND
I / O
6L
I / O
7L
V
CC
GND
I / O
0R
I / O
1R
I / O
2R
V
CC
I / O
3R
I / O
4R
I / O
5R
I / O
6R
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
I / O
1L
I / O
0L
N / C
OE
L
读/写
L
SEM
L
CE
L
N / C
N / C
V
CC
A
12L
A
11L
A
10L
A
9L
A
8L
A
7L
A
6L
9 8 7
6 5 4 3
2 1 68 67 66 65 64 63 62 61
60
59
58
57
56
IDT70V05J
J68-1
(4)
68引脚PLCC
顶视图
(5)
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
25
44
26
27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43
A
5L
A
4L
A
3L
A
2L
A
1L
A
0L
INT
L
忙
L
GND
M / S
忙
R
INT
R
A
0R
A
1R
A
2R
A
3R
A
4R
2941 DRW 02
,
I / O
7R
N / C
OE
R
读/写
R
SEM
R
CE
R
N / C
N / C
GND
A
12R
A
11R
A
10R
A
9R
A
8R
A
7R
A
6R
A
5R
OE
L
R/
W
L
SEM
L
CE
L
I / O
1L
I / O
0L
指数
59
58
57
54
53
52
64
63
62
61
60
56
55
51
50
49
N / C
V
CC
A
12L
A
11L
A
10L
A
9L
A
8L
A
7L
A
6L
A
5L
注意事项：
1.所有V
CC
引脚必须连接到电源。
2.所有GND引脚都必须连接到接地电源。
3. J68-1包体约为0.95英寸x 0.95英寸x 0.17英寸
PN64包体约为14毫米X 14毫米X 1.4毫米。
4.这个包的代码来引用该包图。
5.本文不表明oriention实际部件标记
20
21
22
26
27
28
29
30
31
17
18
19
23
24
25
32
I / O
2L
I / O
3L
I / O
4L
I / O
5L
GND
I / O
6L
I / O
7L
V
CC
GND
I / O
0R
I / O
1R
I / O
2R
V
CC
I / O
3R
I / O
4R
I / O
5R
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
A
4L
A
3L
A
2L
A
1L
A
0L
70V05PF
PN-64
(4)
64引脚TQFP
顶视图
(5)
INT
L
忙
L
GND
M/
S
,
忙
R
INT
R
A
0R
A
1R
A
2R
A
3R
A
4R
2941 DRW 03
6.42
2
OE
R
R/
W
R
SEM
R
CE
R
I / O
6R
I / O
7R
N / C
GND
A
12R
A
11R
A
10R
A
9R
A
8R
A
7R
A
6R
A
5R
IDT70V05S/L
高速8K ×8双端口静态RAM
军事，工业和商业温度范围
销刀豆网络gurations
(1,2,3)
（续）
51
11
53
A
7L
55
A
9L
A
5L
52
A
6L
54
A
8L
50
A
4L
49
A
3L
48
A
2L
47
A
1L
46
44
42
40
38
A
0L
忙
L
M/
S诠释
R
A
1R
45
43
41
39
37
INT
L
GND
忙
R
A
0R
A
2R
36
A
3R
35
A
4R
32
A
7R
30
A
9R
28
A
11R
26
GND
24
N / C
34
A
5R
33
A
6R
31
A
8R
29
A
10R
27
A
12R
25
N / C
23
10
09
08
07
56
57
A
11L
A
10L
58
59
V
CC
A
12L
60
61
N / C
N / C
63
62
IDT70V05G
G68-1
(4)
68引脚PGA
顶视图
(5)
06
05
SEM
L
65
CE
L
64
读/写
L
04
03
02
OE
L
SEM
R
20
22
CE
R
67
66
I / O
0L
N / C
1
3
68
I / O
1L
I / O
2L
I / O
4L
2
4
I / O
5L
I / O
3L
B
C
5
7
9
11
13
15
GND I / O
7L
GND I / O
1R
V
CC
I / O
4R
6
I / O
6L
D
8
10
12
14
16
V
CC
I / O
0R
I / O
2R
I / O
3R
I / O
5R
E
F
G
H
J
OE
R
21
R/
W
R
18
19
I / O
7R
N / C
17
I / O
6R
K
L
2941 DRW 04
,
01
A
指数
注意事项：
1.所有V
CC
引脚必须连接到电源。
2.所有GND引脚都必须连接到接地电源。
3.包体约为1.18英寸x 1.18英寸x 0.16英寸
4.这个包的代码来引用该包图。
5.本文并不表示实际的部分标记的oriention 。
引脚名称
左侧端口
正确的端口
名字
芯片使能
读/写使能
OUTPUT ENABLE
地址
数据输入/输出
信号灯启用
中断标志
忙标志
主机或从机选择
动力
地
2941 TBL 01
CE
L
R/
W
L
CE
R
R/
W
R
OE
L
A
0L
- A
12L
I / O
0L
- I / O
7L
OE
R
A
0R
- A
12R
I / O
0R
- I / O
7R
SEM
L
INT
L
忙
L
SEM
R
INT
R
忙
R
M/
S
V
CC
GND
6.42
3
IDT70V05S/L
高速8K ×8双端口静态RAM
军事，工业和商业温度范围
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
(2)
等级
端电压
对于
到GND
温度
在偏置
存储
温度
DC输出
当前
广告
＆放大器;产业
-0.5到+4.6
单位
V
最大工作温度
与电源电压
(1)
GRADE
广告
环境
温度
0
O
C至+70
O
C
-40
O
C至+ 85
O
C
GND
0V
0V
VCC
3.3V
+
0.3V
3.3V
+
0.3V
2941 TBL 05
T
BIAS
T
英镑
I
OUT
-55到+125
-55到+125
50
o
C
C
产业
o
注意：
1.这是参数T
A
.
mA
2941 TBL 04
注意事项：
1.强调超过绝对最大额定值可能
对器件造成永久性损坏。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或以上在标明的任何其他条件的操作
本规范的业务部门是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响其可靠性。
2. V
TERM
不得超过VCC + 0.3V 。
建议的直流工作
条件
符号
V
CC
GND
V
IH
参数
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
分钟。
3.0
0
2.0
-0.5
(1)
典型值。
3.3
0
____
马克斯。
3.6
0
V
CC
+0.3
(2)
0.8
单位
V
V
V
V
2941 TBL 06
电容
(T
A
= + 25 ° C，F = 1.0MHz的）
符号
C
IN
C
OUT
参数
(1)
输入电容
输出电容
条件
V
IN
= 3DV
V
OUT
= 3DV
马克斯。
9
10
单位
pF
pF
2941 TBL 07
V
IL
____
注意事项：
1. V
IL
> -1.5V脉冲宽度小于10ns的。
2. V
TERM
一定不能超过V
CC
+0.3V.
注意事项：
1，这个参数是由器件特性决定的，但不是生产
测试。
2. 3DV引用插capacitznce当输入和输出信号
从0V切换到3V或3V至0V 。
DC电气特性在工作
温度和电源电压范围
(V
CC
= 3.3V ± 0.3V)
70V05S
符号
|I
LI
|
|I
LO
|
V
OL
V
OH
参数
输入漏电流
(1)
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
测试条件
V
CC
= 3.6V, V
IN
= 0V至V
CC
V
OUT
= 0V至V
CC
I
OL
= + 4毫安
I
OH
= -4mA
分钟。
___
___
___
70V05L
分钟。
___
___
___
马克斯。
10
10
0.4
___
马克斯。
5
5
0.4
___
单位
A
A
V
V
2941 TBL 08
2.4
2.4
注意：
1. V
CC
< 2.0V输入泄漏是不确定的。
6.42
5
高速3.3V
8K ×8双端口
静态RAM
集成设备技术有限公司
IDT70V05S/L
产品特点：
真正的双端口存储器单元允许simulta-
相同的内存位置neous访问
高速访问
- 商业：25 /35 / 55ns （最大值）
低功耗运行
- IDT70V05S
主动：为350mW （典型值）。
待机： 3.5MW （典型值）。
- IDT70V05L
主动：为350mW （典型值）。
待机：为1mW （典型值）。
IDT70V05轻松扩展数据总线宽度为16位或
更多使用主/从选择级联时
一个以上的设备
M/
S
= H的
忙
法师输出标志
M/
S
= L为
忙
输入从机上
忙碌和中断标志
片上端口仲裁逻辑
完整的片上硬件支持信号量的信号
端口之间
从任何一个端口完全异步操作
设备能够超过2001V承受更大的
静电放电
电池备份操作-2V的数据保留
LVTTL兼容，单3.3V （ ± 0.3V ）电源
提供68引脚的PGA ， 68引脚PLCC和64引脚
TQFP
描述：
该IDT70V05是一个高速8K ×8双端口静态
内存。该IDT70V05被设计为用作一个独立的
双端口RAM或作为一个组合主/从双核
端口RAM为16位或更多的字的系统。采用IDT
在16位或更宽的主/从双口RAM的方法
存储器系统的应用程序的结果在全速无差错
功能框图
OE
L
R/
OE
R
R/
CE
L
W
L
CE
R
W
R
I / O
0L
- I / O
7L
I / O
控制
I / O
控制
I / O
0R
-I / O
7R
忙
L
(1,2)
忙
R
地址
解码器
13
(1,2)
A
12L
A
0L
内存
ARRAY
地址
解码器
A
12R
A
0R
13
注意事项：
1. （ MASTER ） ：
忙
输出;
（ SLAVE ） ：
忙
输入。
2. BUSY输出
和INT输出
都是非三
规定的推拉。
OE
L
R/
CE
L
W
L
仲裁
打断
SEMAPHORE
逻辑
CE
R
R/
OE
R
W
R
SEM
R
(2)
SEM
L
INT
L
(2)
M/
S
INT
R
2941 DRW 01
IDT标志是集成设备技术，Inc.的注册商标。
商业级温度范围
1996集成设备技术有限公司
有关最新信息，请联系IDT的网站www.idt.com或传真点播在408-492-8391 。
1996年10月
6.35
DSC-2941/3
1
IDT70V05S/L
高速3.3V 8K ×8双端口静态RAM
商业级温度范围
操作而不需要额外的分立逻辑。
该器件提供了独立的两个独立端口
控制，地址和I / O引脚，允许独立的，
对于异步访问读或写操作的任何位置中
内存。受控制的自动断电功能
CE
允许执行片上的电路的每个端口的输入非常低的
备用电源模式。
采用IDT的CMOS高性能技制造
术，这些设备通常在功率仅350mW的操作。
低功率（ L）版本提供电池备份数据保留
与500μW的从2V典型功耗能力
电池。
该IDT70V05封装在陶瓷68针的PGA ，一个68-
引脚PLCC和64引脚薄型塑料四方扁平封装（ TQFP ） 。
销刀豆网络gurations
(1,2)
SEM
L
4
I / O
1L
I / O
0L
N / C
W
L
R/
6
5
指数
I / O
2L
I / O
3L
I / O
4L
I / O
5L
GND
I / O
6L
I / O
7L
V
CC
GND
I / O
0R
I / O
1R
I / O
2R
V
CC
I / O
3R
I / O
4R
I / O
5R
I / O
6R
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
9
8
7
3
N / C
N / C
V
CC
A
12L
A
11L
A
10L
A
9L
A
8L
A
7L
A
6L
2
1 68 67 66 65 64 63 62 61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
OE
L
CE
L
IDT70V05
J68-1
F68-1
PLCC / FLATPACK
TOP VIEW （ 3 ）
A
5L
A
4L
A
3L
A
2L
A
1L
A
0L
INT
L
忙
L
GND
M/
S
INT
R
忙
R
A
0R
A
1R
A
2R
A
3R
A
4R
44
26
27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43
I / O
7R
N / C
SEM
R
N / C
N / C
GND
A
12R
A
11R
A
10R
A
9R
A
8R
A
7R
A
6R
A
5R
OE
R
W
R
CE
R
2941 DRW 02
R/
I / O
1L
I / O
0L
R/
L
SEM
L
OE
L
指数
54
53
52
64
63
62
59
58
57
61
60
56
55
I / O
2L
I / O
3L
I / O
4L
I / O
5L
GND
I / O
6L
I / O
7L
V
CC
GND
I / O
0R
I / O
1R
I / O
2R
V
CC
I / O
3R
I / O
4R
I / O
5R
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
51
50
49
N / C
V
CC
A
12L
A
11L
A
10L
A
9L
A
8L
A
7L
A
6L
A
5L
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
W
CE
L
A
4L
A
3L
A
2L
A
1L
A
0L
INT
L
IDT70V05
PN-64
TQFP
TOP VIEW （ 3 ）
忙
L
GND
M/
S
忙
R
INT
R
A
0R
A
1R
A
2R
A
3R
A
4R
26
27
28
20
21
22
29
30
31
A
7R
A
6R
A
8R
I / O
6R
I / O
7R
OE
R
17
18
19
SEM
R
R/
R
CE
R
23
24
25
A
11R
A
10R
A
9R
GND
A
12R
A
5R
N / C
32
注意事项：
1.所有的Vcc引脚都必须连接到电源。
2.所有GND引脚都必须连接到接地电源。
3.本文并不表示实际的部分标记的方向。
6.35
W
2941 DRW 03
2
IDT70V05S/L
高速3.3V 8K ×8双端口静态RAM
商业级温度范围
真值表I - 非争读/写控制
输入
(1)
输出
CE
H
L
L
X
注意：
R/
W
X
L
H
X
OE
X
X
L
H
SEM
H
H
H
X
I / O
0-7
高-Z
数据
IN
数据
OUT
高-Z
取消：关闭电源
写入内存
阅读记忆
输出禁用
模式
2941 TBL 02
1. A
0L
— A
12L
≠
A
0R
— A
12R.
真值表II - 旗语读/写控制
(1)
输入
输出
CE
H
H
L
R/
W
H
X
OE
L
X
X
SEM
L
L
L
I / O
0-7
数据
OUT
数据
IN
—
在信号灯标记读取数据
写
IN0
到信号灯标志
不允许
模式
注意：
1.有通过我写的八个信号旗/ O
0
和所有的I / O （ I / O读
0
-I / O
7
） 。这八个信号灯由A处理
0
- A
2
.
2941 TBL 03
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
(2)
等级
端电压
对于
到GND
操作
温度
温度
在偏置
存储
温度
DC输出
当前
商业单位
-0.5到+4.6
V
推荐工作
温度和电源电压
GRADE
广告
环境
温度
0 ° C至+ 70°C
GND
0V
V
CC
3.3V
±
0.3V
2941 TBL 05
T
A
T
BIAS
T
英镑
I
OUT
0至+70
-55到+125
-55到+125
50
°C
°C
°C
mA
建议的直流工作
条件
符号
V
CC
GND
V
IH
V
IL
参数
电源电压
电源电压
输入高电压
输入低电压
分钟。
3.0
0
2.0
-0.3
(1)
典型值。
3.3
0
—
—
MAX 。 UNIT
3.6
0
0.8
V
V
V
2941 TBL 06
注意事项：
2941 TBL 04
1.强调超过绝对最大上市
额定值可能会导致器件的永久性损坏。这是一个应力
值仅为器件在这些或任何其他功能操作
以上这些条件在此业务部门所标明
规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能会影响其可靠性。
2. V
TERM
不得超过VCC + 0.3V 。
VCC + 0.3 V
注意事项：
1. V
IL
≥
-1.5V脉冲宽度小于10ns的。
2. V
TERM
不得超过VCC + 0.5V。
电容
(1)
(T
A
= + 25 ° C，F = 1.0MHz的）仅TQFP
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
产量
电容
条件
(1)
马克斯。
V
IN
= 3DV
V
OUT
= 3DV
11
11
单位
pF
pF
注意事项：
2941 TBL 07
1，这个参数是由器件特性决定的，但不是
生产测试。
2. 3DV表示当输入和内插的输出电容
信号转换为0V至3V或3V至0V 。
6.35
4
IDT70V05S/L
高速3.3V 8K ×8双端口静态RAM
商业级温度范围
DC电气特性在
工作温度和电源电压范围
(V
CC
= 3.3V
±
0.3V)
IDT70V05S
符号
|I
LI
|
|I
LO
|
V
OL
V
OH
参数
输入漏电流
(1)
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
测试条件
V
CC
= 3.6V, V
IN
= 0V至V
CC
分钟。
—
—
—
2.4
马克斯。
10
10
0.4
—
IDT70V05L
分钟。
—
—
—
2.4
马克斯。
5
5
0.4
—
单位
A
A
V
V
2941 TBL 08
CE
= V
IH
, V
OUT
= 0V至V
CC
I
OL
= 4毫安
I
OH
= -4mA
注意：
1.在Vcc
≤
2.0V输入泄漏是不确定的。
DC电气特性在
工作温度和电源电压范围
(1)
(V
CC
= 3.3V
±
0.3V)
70V05X25
符号
I
CC
参数
工作动态
当前
（两个端口均有效）
待机电流
（这两个端口 - TTL
电平输入）
待机电流
（单端口 - TTL
电平输入）
TEST
条件
VERSION
Com'l
S
L
70V05X35
70V05X55
典型值。
(2)
马克斯。典型值。
(2)
马克斯。典型值。
(2)
MAX 。 UNIT
80
70
140
120
70
60
115
100
70
60
115
100
mA
f = f
MAX(3)
CE
= V
IL
，输出打开
SEM
= V
IH
CE
R
=
CE
L
= V
IH
SEM
R
=
SEM
L
= V
IH
CE
L
or
CE
R
= V
IH
有源端口输出打开
I
SB1
Com'l 。
f = f
MAX(3)
S
L
12
10
25
20
10
8
25
20
10
8
25
20
mA
I
SB2
Com'l 。
S
L
40
30
82
72
35
25
72
62
35
25
72
62
mA
f = f
MAX(3)
SEM
R
=
SEM
L
= V
IH
I
SB3
全待机电流
（这两个端口 - 所有
CMOS电平输入）
这两个端口
CE
L
和
CE
R
≥
V
CC
- 0.2V
V
IN
≥
V
CC
- 0.2V或
V
IN
≤
0.2V ， F = 0
(4)
SEM
R
=
SEM
L
≥
V
CC
- 0.2V
一个端口
CE
L
or
CE
R
≥
V
CC
- 0.2V
SEM
R
=
SEM
L
≥
V
CC
- 0.2V
V
IN
≥
V
CC
- 0.2V或V
IN
≤
0.2V
有源端口输出打开
f = f
MAX(3)
Com'l 。
S
L
50
40
81
71
45
35
71
61
45
35
71
61
mA
Com'l 。
S
L
1.0
0.2
5
2.5
1.0
0.2
5
2.5
1.0
0.2
5
2.5
mA
I
SB4
全待机电流
（一个端口 - 所有
CMOS电平输入）
注意事项：
2941 TBL 09
1. "X"部分数字表示额定功率（S或L ） 。
2. V
CC
= 3.3V ，T
A
= +25°C.
3.在f = F
最大
，地址和控制线（除输出使能）被循环以1 /吨的最高频率的读周期
RC
，并使用“AC测试条件”
GND的输入电平为3V 。
4， F = 0表示无地址或控制线变化。
6.35
5
QQ：2881677436 复制
