IXTQ 110N10P
IXTT 110N10P
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。
典型值。
马克斯。
30
40
3550
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
1370
440
21
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 60 A
R
G
= 4
（外部）
25
65
25
110
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
25
62
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
0.31 K / W
(TO-3P)
0.21
K / W
TO- 3P （ IXTQ ）大纲
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
thCK
V
DS
= 10 V ;我
D
= 0.5 I
D25
，脉冲测试
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
RM
测试条件
V
GS
= 0 V
重复
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。
典型值。
马克斯。
110
250
1.5
130
2.0
A
A
V
ns
C
TO- 268外形
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V,
脉冲测试，T
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
I
F
= 25 A
-di / DT = 100 A / μs的
V
R
= 50 V
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖
一个或moreof以下美国专利：
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,306,728 B1 6,534,343
6,259,123 B1 6,404,065 B1 6,583,505
6,683,344
6,710,405B2
IXTQ 110N10P
IXTT 110N10P
图。 1.输出特性
@ 25
C
110
100
90
80
V
GS
= 10V
9V
220
200
180
160
8V
9V
V
GS
= 10V
图。 2.扩展的输出特性
@ 25
C
I
D
- 安培
I
D
- 安培
70
60
50
40
30
20
10
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
140
120
100
80
60
7V
6V
8V
7V
6V
5V
1.4
1.6
1.8
2
40
20
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
S
- 伏特
图。 3.输出特性
@ 150
C
110
100
90
80
V
GS
= 10V
9V
2.4
2.2
V
GS
= 10V
V
S
- 伏特
图。 4.
DS （上
)
规范alized 0.5我
D25
值与结tem温度
R
S（O N）
- 归
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
I
D
= 55A
I
D
= 110A
I
D
- 安培
70
60
50
40
30
20
10
0
0
0.5
1
1.5
8V
7V
6V
5V
V
S
- 伏特
2
2.5
3
3.5
4
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
T
J
- 摄氏
图。 6.漏电流与案例
tem温度
80
70
外部引线电流限制
图。 5.
DS （ ON）
规范alized 0.5我
D25
值与漏电流
3
2.8
2.6
R
S（O N）
- 归
2.4
2.2
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0
25
50
75
V
GS
= 15V
T
J
= 175
C
60
I
D
- 安培
T
J
= 25
C
50
40
30
20
10
0
V
GS
= 10V
I
D
- 安培
100 125 150 175 200 225 250
-50
-25
0
T
C
- 摄氏
25
50
75
100
125
150
175
版权所有2004 IXYS所有权利。
IXTQ 110N10P
IXTT 110N10P
图。 7.输入上将ittance
250
225
200
T
J
= -40
C
150
C
70
60
50
图。 8.跨导
25
C
g
F小号
- 西门子
I
D
- 安培
175
150
125
100
75
50
25
0
4
5
6
7
40
30
20
10
0
T
J
= -40
C
25
C
150
C
8
9
1
0
1
1
0
50
100
150
200
250
300
V
的s
- 伏特
图。 9.源电流和
源 - 漏电压
350
300
250
10
9
8
7
V
DS
= 50V
I
D
= 55A
I
G
= 10毫安
I
D
- 安培
图。 10.栅极电荷
I
S
- 安培
V
的s
- 伏特
T
J
= 150
C
T
J
= 25
C
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
200
150
100
50
0
6
5
4
3
2
1
0
V
S.D。
- 伏特
0
20
Q
G
- nanocoulombs
图。 12. FORW ARD偏置
安全工作区
40
60
80
100
120
图。 11.电容
10000
1000
T
J
= 175
C
电容 - 皮法
T
C
= 25
C
25s
I
D
- 安培
国际空间站
R
DS （ ON）
极限
1000
OSS
100
100s
1ms
RSS
F = 1MHz的
100
0
5
10
15
20
25
30
35
40
10
1
10
10ms
DC
100
1000
V
DS
- 伏特
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖
一个或moreof以下美国专利：
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
V
S
- 伏特
6,162,665
6,306,728 B1 6,534,343
6,259,123 B1 6,404,065 B1 6,583,505
6,683,344
6,710,405B2
IXTQ 110N10P
IXTT 110N10P
F IG 。 1 3 。 M IM AX UM牛逼失败者即NT牛逼有源冰箱 ES是tance
1.00
R
T H， J·C
- C / W
0.10
0.01
0.1
1
10
100
1000
浦LS东西ID日 - 米illis权证 N D s
版权所有2004 IXYS所有权利。
QQ：2881677436 复制
