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ISL6208
数据表
2007年3月30日
FN9115.2
高电压同步整流降压
MOSFET驱动器
该ISL6208是高频,双MOSFET驱动器,
优化驱动两个N沟道功率MOSFET的
同步整流降压转换器拓扑结构。这是
特别适用于移动计算应用
需要高效率和出色的散热性能。
该驱动程序,结合了Intersil的多相降压PWM
控制,形成一个完整的单级核心电压
为先进的移动微处理器稳压器解决方案。
该ISL6208拥有4A典型的吸收电流为低
栅极驱动器。该电流能够保持在较低的
MOSFET栅极关在相节点的上升沿。
这样可防止因高直通功率损耗
相电压的dv / dt 。工作电压相匹配的
在通常使用的MOSFET的30V击穿电压
移动计算机电源。
该ISL6208还具有三态PWM输入的,
与Intersil的多相PWM控制器一起工作,
将防止负电压输出时的CPU关机。
这个特性消除了保护的肖特基二极管通常
见于微处理器电源系统。
MOSFET栅极可以有效地切换高达2MHz的使用
该ISL6208 。每个驱动器能够驱动一个3000pF的负载
同为8ns和过渡时代下的传播延迟
为10ns 。引导与一个内部实现
肖特基二极管。这降低了系统的成本和复杂性,
同时允许使用较高性能的MOSFET。
自适应贯通保护集成,以防止
这两个MOSFET同时导通。
二极管仿真功能集成在ISL6208为
提高轻负载条件下转换器的效率。这
功能还允许单调启动至预偏置
输出。当二极管仿真开启,司机会
允许非连续导通模式通过检测的时候
电感器电流达到零,并随后关闭
低边MOSFET栅极。
特点
双MOSFET驱动器的同步整流桥
自适应贯通保护
0.5Ω的导通电阻和4A灌电流能力
支持高开关频率高达2MHz
- 快速输出上升和下降时间
- 低传播延迟
三态PWM输入用于电源级停机
内部自举肖特基二极管
低偏置电源电流( 5V , 80μA )
二极管仿真增强型轻载效率和
预偏置启动,截至应用
VCC POR (上电复位)功能集成
低三态关机释抑时间(典型值为160ns )
引脚对引脚兼容ISL6207
QFN封装:
- 符合JEDEC PUB95 MO- 220
QFN - 方形扁平无引线 - 封装外形
- 靠近芯片级封装尺寸,从而提高
PCB的效率,并具有更薄的外形
无铅加退火有(符合RoHS )
应用
核心电压供应为英特尔和AMD移动
微处理器
高频超薄型DC / DC转换器
大电流低输出电压DC / DC转换器
高输入电压DC / DC转换器
相关文献
技术简介TB363 “准则处理和
处理湿度敏感表面贴装器件
( SMD的) “
技术简报TB389 “ PCB焊盘图案设计
表面贴装准则MLFP包“
技术简介TB447 “指南防止引导用于─
相胁迫对半桥MOSFET驱动器IC “
1
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
Intersil公司(和设计)是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有 Intersil公司美洲2004-2006 。版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
ISL6208
订购信息
产品型号
ISL6208CB*
ISL6208CBZ * (注)
ISL6208CR*
ISL6208CRZ * (注)
ISL6208IB*
ISL6208IBZ * (注)
ISL6208IR*
ISL6208IRZ * (注)
最热
ISL6208CB
ISL6208CBZ
208C
208Z
ISL6208IB
ISL6208IBZ
208I
81RZ
TEMP 。范围(° C)
-10至+100
-10至+100
-10至+100
-10至+100
-40至+100
-40至+100
-40至+100
-40至+100
8 Ld的SOIC
8 Ld的SOIC (无铅)
8 Ld的3x3 QFN封装
8 Ld的3x3 QFN封装(无铅)
8 Ld的SOIC
8 Ld的SOIC (无铅)
8 Ld的3x3 QFN封装
8 Ld的3x3 QFN封装(无铅)
PKG 。 DWG 。 #
M8.15
M8.15
L8.3x3
L8.3x3
M8.15
M8.15
L8.3x3
L8.3x3
*添加“ -T ”后缀磁带和卷轴。
注: Intersil无铅加退火产品采用特殊的无铅材料制成,模塑料/晶片的附属材料和100 %雾锡板
终止完成,这是符合RoHS标准,既锡铅和无铅焊接操作兼容。 Intersil无铅产品分类MSL
在达到或超过IPC / JEDEC J STD- 020对无铅要求的无铅峰值回流温度。
引脚配置
ISL6208CB
( 8 LD SOIC )
顶视图
ISL6208CR
( 8 LD 3x3 QFN封装)
顶视图
7
6
6 FCCM
5 VCC
3
GND
4
LGATE
UGATE
8
BOOT 1
PWM 2
拍摄开启
通过
保护
PWM
10K
控制
逻辑
VCC
LGATE
GND
散热焊盘( FOR QFN封装)
UGATE
BOOT
PWM
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
FCCM
VCC
LGATE
框图
VCC
FCCM
BOOT
UGATE
图1.框图
ti
2
FN9115.2
2007年3月30日
ISL6208
ti
绝对最大额定值
电源电压( VCC) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至7V
输入电压(V
FCCM
, V
PWM
) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V到VCC + 0.3V
BOOT电压(V
BOOT- GND
) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至33V
引导到相电压(V
BOOT -PHASE
) 。 。 。 。 。 。 -0.3V至7V ( DC )
-0.3V至9V ( <10ns )
相电压(注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至30V
GND - 8V ( <20ns脉冲宽度, 10μJ )
UGATE电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
- 0.3V ( DC )到V
BOOT
V
- 5V ( <20ns脉宽, 10μJ )到V
BOOT
LGATE电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V ( DC )到VCC + 0.3V
GND - 2.5V ( <20ns脉宽, 5μJ )至VCC + 0.3V
环境温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至+ 125°C
热信息
热电阻(典型值)
θ
JA
( ° C / W)
θ
JC
( ° C / W)
SOIC封装(注2 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
110
不适用
QFN封装(注3,4) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
80
15
最高结温(塑料封装) 。 。 。 。 。 。 。 + 150°C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 65 ° C至+ 150°C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 300℃
( SOIC - 只会提示)
推荐工作条件
环境温度范围
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 10 ° C至+ 100°C
最大工作结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 125°C
电源电压VCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5V
±10%
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意事项:
1.相电压能够承受-7V时, BOOT引脚是GND的。
2.
θ
JA
测定用安装在一个高的有效热导率测试板在自由空气中的分量。参见技术简介TB379了解详细信息。
3.
θ
JA
测量在自由空气与装在一个高有效热导率测试板用“直接连接”的功能的组件。看
技术简介TB379 。
4.对于
θ
JC
的“外壳温度”的位置是在封装底部的裸露金属焊盘的中心。
电气规格
参数
V
CC
电源电流
偏置电源电流
POR
V
CC
升起
V
CC
落下
迟滞
自举二极管
正向电压
PWM输入
输入电流
推荐工作条件,除非另有说明
符号
测试条件
典型值
最大
单位
I
VCC
PWM引脚悬空,V
FCCM
= 5V
-
-
-
2.40
-
80
-
3.40
2.90
500
-
-
3.90
-
-
μA
V
V
mV
V
F
V
VCC
= 5V ,正向偏置电流= 2毫安
0.50
0.55
0.65
V
I
PWM
V
PWM
= 5V
V
PWM
= 0V
-
-
0.70
3.5
100
250
-250
1.00
3.8
175
-
-
1.30
4.1
250
μA
μA
V
V
ns
PWM三态上升阈值
PWM三态下降阈值
三态关机拖延时间
FCCM输入
FCCM低阈值
FCCM高门槛
开关时间
UGATE上升时间(注5 )
LGATE上升时间(注5 )
t
RU
t
RL
t
tSSHD
V
VCC
= 5V
V
VCC
= 5V
V
VCC
= 5V ,温度= + 25°C
0.50
-
-
-
-
2.0
V
V
V
VCC
= 5V , 3nF的负载
V
VCC
= 5V , 3nF的负载
-
-
8.0
8.0
-
-
ns
ns
3
FN9115.2
2007年3月30日
ISL6208
电气规格
参数
UGATE下降时间(注5 )
LGATE下降时间(注5 )
UGATE关断传播延迟
LGATE关断传播延迟
UGATE导通传播延迟
LGATE导通传播延迟
UG / LG三态传输延迟
LG最小导通时间在DCM (注5 )
产量
上驱动源电阻
上部驱动源电流(注5 )
上驱动吸收电阻
上部驱动吸收电流(注5 )
降低驱动源电阻
较低的驱动源电流(注5 )
降低驱动吸收电阻
较低的驱动器吸收电流(注5 )
注意:
5.通过特性保证,而不是100 %生产测试。
R
U
I
U
R
U
I
U
R
L
I
L
R
L
I
L
500毫安源电流
V
UGATE -PHASE
= 2.5V
500毫安灌电流
V
UGATE -PHASE
= 2.5V
500毫安源电流
V
LGATE
= 2.5V
500毫安灌电流
V
LGATE
= 2.5V
-
-
-
-
-
-
-
-
1
2.00
1
2.00
1
2.00
0.5
4.00
2.5
-
2.5
-
2.5
-
1.0
-
Ω
A
Ω
A
Ω
A
Ω
A
推荐工作条件,除非另有说明
(续)
符号
t
FU
t
FL
t
PDLU
t
PDLL
t
PDHU
t
PDHL
t
PT的
t
LGMIN
测试条件
V
VCC
= 5V , 3nF的负载
V
VCC
= 5V , 3nF的负载
V
VCC
= 5V ,输出空载
V
VCC
= 5V ,输出空载
V
VCC
= 5V ,输出空载
V
VCC
= 5V ,输出空载
V
VCC
= 5V ,输出空载
-
-
-
-
10
10
-
-
典型值
8.0
4.0
18
25
20
20
35
400
最大
-
-
-
-
30
30
-
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
典型的应用有2相转换器
+5V
+5V
+5V
VCC
FB
VCC
VSEN
PGOOD
PWM1
PWM2
FCCM
控制
VID
ISEN1
ISEN2
+5V
VCC
BOOT
FS
DACOUT
GND
FCCM
UGATE
DRIVE
ISL6208A
V
BAT
PAD
LGATE
COMP
FCCM
PWM
DRIVE
ISL6208A
BOOT
UGATE
V
BAT
+V
CORE
PWM
热LGATE
PAD
4
FN9115.2
2007年3月30日
ISL6208
时序图
2.5V
PWM
t
PDHU
t
PDLU
t
RU
t
RU
t
PT的
1V
UGATE
LGATE
1V
t
FL
t
PDHL
t
FL
t
RL
t
tSSHD
t
PDLL
t
tSSHD
t
FU
t
FU
t
PT的
功能引脚说明
UGATE (引脚1 SOIC - 8引脚8 QFN封装)
该UGATE引脚上栅极驱动输出。连接
高侧功率N沟道MOSFET的栅极。
PHASE (引脚8 SOIC - 8 , 7脚为QFN )
连接PHASE引脚的上MOSFET的源极
和下侧MOSFET的漏极。该引脚提供一个
返回为上层栅极驱动器的路径。
BOOT (引脚2 SOIC - 8引脚1 QFN )
BOOT是浮动自举电源引脚上闸
驾驶。连接该引脚之间的自举电容
在PHASE引脚。自举电容提供充电
打开上部MOSFET 。见自举二极管和
下的说明指导电容器部
选择合适的电容值。
描述
工作原理
专为速度, ISL6208双MOSFET驱动器
从同时控制高侧和低侧N沟道场效应晶体管
1外部提供的PWM信号。
在PWM的上升沿启动关断下
MOSFET (见时序图) 。经过短暂的传播
延迟[T
PDLL
] ,下门开始下降。典型下降时间
[t
FL
]在电气规格部分提供的。
自适应直通电路监测LGATE电压。
当LGATE已经跌破1V , UGATE允许转
ON 。这可以防止两个下部和上部从MOSFET的
同时进行,或穿通。
PWM的一个下降沿表示关断上的
MOSFET和导通的下MOSFET的。短
传播延迟[T
PDLU
]在上门前遇到
开始下降[T
FU
] 。上MOSFET的栅极 - 源极电压
被监控,并且在更低的栅极被允许后上升
上MOSFET的栅 - 源电压低于1V。该
下门,然后上升[T
RL
] ,将在下部的MOSFET 。
此驱动程序用于大型降压转换器优化
相比,因为较低的上部MOSFET
的MOSFET中的开关导通为更长的时间
期。因此,下部栅极驱动器的尺寸大得多的
为满足这种应用要求。
导通电阻和4A的0.5Ω灌电流能力
使下部栅极驱动器来吸收注入到当前
通过漏极 - 栅极电容的较低栅极
下MOSFET和防止枝条经过所造成的
高dv /相位节点的DT 。
FN9115.2
2007年3月30日
PWM (引脚3的SOIC - 8引脚2 QFN )
PWM信号是控制输入的驱动程序。该PWM
信号可以在操作过程中输入三个不同的状态(见
根据说明进行进一步的三态PWM输入部分
详细说明) 。该引脚连接到控制器的PWM输出。
GND (引脚4 SOIC - 8引脚3 QFN )
GND为接地引脚为IC 。
LGATE (引脚5 SOIC - 8引脚4 QFN )
LGATE是更低的栅极驱动器输出。连接的栅
低侧功率N沟道MOSFET 。
VCC (引脚6 SOIC - 8引脚5 QFN )
VCC引脚连接到+ 5V偏置电源。将高
优质的旁路电容此引脚与GND 。
FCCM (引脚7 SOIC - 8引脚6 QFN )
该FCCM引脚使能或禁用二极管仿真。当
FCCM为低电平时,二极管仿真是允许的。否则,
连续导通模式被强制。看到二极管
根据描述仿真部分以了解详情。
5
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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