IXTA 5N50P IXTP 5N50P
IXTY 5N50P
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
分钟。
典型值。
马克斯。
3.0
4.7
620
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V , F = 1兆赫
72
6.3
18
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= I
D25
R
G
= 20
Ω
(外部)
18
45
16
12.6
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
4.3
5.0
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
1.4 K / W
(TO-220)
0.25
K / W
DIM 。
A
A1
b
b2
c
c2
D
D1
E
E1
e
TO- 263 ( IXTA )大纲
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
G( ON)的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
thCK
V
DS
= 10 V ;我
D
= 0.5 I
D25
,脉冲测试
销: 1 - 门2,4 - 漏极
3 - 来源
毫米
分钟。
马克斯。
4.06
2.03
0.51
1.14
0.46
1.14
8.64
7.11
9.65
6.86
2.54
14.61
2.29
1.02
1.27
0
0.46
4.83
2.79
0.99
1.40
0.74
1.40
9.65
8.13
10.29
8.13
BSC
15.88
2.79
1.40
1.78
0.38
0.74
英寸
分钟。马克斯。
.160
.080
.020
.045
.018
.045
.340
.280
.380
.270
.100
.575
.090
.040
.050
0
.018
.190
.110
.039
.055
.029
.055
.380
.320
.405
.320
BSC
.625
.110
.055
.070
.015
.029
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
测试条件
V
GS
= 0 V
重复
特征值
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编)
分钟。
典型值。
马克斯。
5
15
1.5
400
A
A
V
ns
L
L1
L2
L3
L4
R
TO- 220 ( IXTP )大纲
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V , -di / DT = 100 A / μs的
脉冲测试,T
≤
300
μs,
占空比
≤
2 %
TO- 252 ( IXTY )大纲
DIM 。
A
A1
A2
b
b1
b2
c
c1
D
D1
E
E1
e
e1
H
L
毫米
分钟。马克斯。
2.19
0.89
0
0.64
0.76
5.21
0.46
0.46
5.97
4.32
6.35
4.32
2.38
1.14
0.13
0.89
1.14
5.46
0.58
0.58
6.22
5.21
6.73
5.21
英寸
分钟。
0.086
0.035
0
0.025
0.030
0.205
0.018
0.018
0.235
0.170
0.250
0.170
马克斯。
0.094
0.045
0.005
0.035
0.045
0.215
0.023
0.023
0.245
0.205
0.265
0.205
引脚:
1 - GATE
3 - 来源
2,4 - 漏
2.28 BSC
4.57 BSC
9.40
0.51
0.64
0.89
2.54
10.42
1.02
1.02
1.27
2.92
0.090 BSC
0.180 BSC
0.370
0.020
0.025
0.035
0.100
0.410
0.040
0.040
0.050
0.115
销: 1 - 门
3 - 来源
2,4 - 漏
L1
L2
L3
IXYS保留更改限制,试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖
一个或moreof以下美国专利:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,710,405B2
6,710,463
6,727,585
6,759,692