PD-91800
IR2153Z
特点
·
设计为引导操作浮动通道
充分运作，以+ 600V
耐负瞬态电压
的dV / dt免疫
·
欠压锁定
·
可编程振荡器频率
自振荡半桥驱动器
产品概述
VOFFSET
占空比
IO +/-
VCLAMP
死区时间（典型值）。
600V最大。
50%
200毫安/ 400毫安
15.6V
1.2 s
f
=
·
·
·
·
1
1.4
×
(R
T
+
75
)
×
C
T
匹配的传播延迟为两个通道
90 μA微功耗电源的启动电流。
关机功能关闭两个通道
低侧输出同相的RT
描述
该IR2153Z是一个高电压，高转速，自激振荡
功率MOSFET和IGBT驱动器，具有高，低
侧参考输出通道。专有的HVIC和
锁存免疫CMOS技术使加固
单片式结构。前端设有一个编程
序的振荡器，它是类似于555定时器。该
输出驱动器具有高脉冲
当前
缓冲阶段，
内部死区时间设计为最小驱动器跨
传导。传播延迟为两个通道
相匹配，以简化在占空比为50％的应用中使用。
浮置沟道，可用于驱动一个N沟道
在高侧配置中的功率MOSFET或IGBT
该操作过的高电压轨电压高达600伏。
绝对最大额定值
绝对最大额定值表明持续的界限，可能会损坏设备。所有
电压参数参考COM绝对的电压。热电阻和功率耗散
而不能使收视率都在船上安装和静止空气条件下测得的。
符号
V
B
V
S
V
HO
V
LO
V
RT
V
CT
I
CC
I
RT
dV
s
/ DT
P
D
RTH
JA
T
J
T
S
T
L
参数
高侧浮动电源电压
高侧浮动电源偏置电压
高侧浮动输出电压
低侧输出电压
R
T
电压
C
T
电压
电源电流（注1 ）
R
T
输出电流
允许的偏移电压瞬变
包装功耗@ T
A
+25°C
热阻，结到环境
结温
储存温度
引线温度（焊接， 10秒）
分钟。
-0.3
V
B
- 25
V
S
- 0.3
-0.3
-0.3
-0.3
—
-5
—
—
—
-55
-55
—
马克斯。
625
V
B
+ 0.3
V
B
+ 0.3
V
CC
+ 0.3
V
CC
+ 0.3
V
CC
+ 0.3
25
5
50
1.0
100
125
150
300
单位
V
mA
V / ns的
W
° C / W
°C
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1
IR2153Z
推荐工作条件
的输入/输出逻辑的时序图示于图1中对于正确的操作设备应当在所述使用
推荐的条件。在V
S
胶印的评价测试的所有物资偏置在15V的差分。
符号
V
B
V
S
V
HO
V
LO
I
CC
德网络nition
高侧浮动电源电压的绝对值
高侧浮动电源偏置电压
高侧浮动输出电压
低侧输出电压
电源电流（注1 ）
分钟。
V
S
+ 10
—
V
S
0
—
马克斯。
V
S
+ 20
600
V
B
V
CC
5
单位
V
mA
动态电气特性
V
BIAS
(V
CC
, V
BS
） = 12V ，C
L
= 1000 pF的和T
A
= 25 ° C除非另有规定ED 。
符号
t
r
t
f
t
sd
DT
D
德网络nition
开启上升时间
关断下降时间
关断传播延迟
死区时间
R
T
占空比
分钟。典型值。马克斯。单位测试条件
—
—
—
—
—
80
35
660
1.2
50
165
100
—
—
—
ns
s
%
典型连接
IR2153Z
600V
最大
VCC
VB
HO
RT
VS
CT
关闭
COM
LO
注1 ：
由于IR2153的应用程序对特异性脱线供电系统，该IC包含一个齐纳二极管钳位
该芯片V之间的结构
CC
和COM具有15.6V的额定击穿电压。因此，该集成电路
电源电压通过迫使电流流入电源引线通常来自（一般用一个高值的装置
电阻器连接在所述片V之间
CC
与已整流线路电压，并从一个地方去耦电容器
V
CC
以COM） ，并允许内部齐纳钳位电路来确定标称电源电压。 There-
前，该电路不应该由直流，大于伏的低阻抗电源驱动
钳
.
2
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IR2153Z
功能框图
R
T
V
B
R
+
-
R
R
+
-
R/2
+
-
R/2
逻辑
DEAD
时间
延迟
15.6V
LO
S
Q
Q
V
CC
DEAD
时间
脉冲
根
HV
水平
移
Q
脉冲
滤波器
R
S
V
S
HO
C
T
UV
检测
COM
铅定义
领导
符号说明
R
T
C
T
振荡器定时电阻输入，同相，何为正常运作IC
振荡器定时电容器的输入，根据以下方程将振荡器频率：
f
=
V
B
HO
V
S
V
CC
LO
COM
1
1.4
×
(R
T
+
75
)
×
C
T
其中， 75W是R的有效阻抗
T
输出级
高压侧浮动电源
高侧栅极驱动输出
高侧浮动电源返回
低侧和逻辑固定电源
低侧栅极驱动输出
偏低的回报
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5
PD-91800
IR2153Z
特点
·
设计为引导操作浮动通道
充分运作，以+ 600V
耐负瞬态电压
的dV / dt免疫
·
欠压锁定
·
可编程振荡器频率
自振荡半桥驱动器
产品概述
VOFFSET
占空比
IO +/-
VCLAMP
死区时间（典型值）。
600V最大。
50%
200毫安/ 400毫安
15.6V
1.2 s
f
=
·
·
·
·
1
1.4
×
(R
T
+
75
)
×
C
T
匹配的传播延迟为两个通道
90 μA微功耗电源的启动电流。
关机功能关闭两个通道
低侧输出同相的RT
描述
该IR2153Z是一个高电压，高转速，自激振荡
功率MOSFET和IGBT驱动器，具有高，低
侧参考输出通道。专有的HVIC和
锁存免疫CMOS技术使加固
单片式结构。前端设有一个编程
序的振荡器，它是类似于555定时器。该
输出驱动器具有高脉冲
当前
缓冲阶段，
内部死区时间设计为最小驱动器跨
传导。传播延迟为两个通道
相匹配，以简化在占空比为50％的应用中使用。
浮置沟道，可用于驱动一个N沟道
在高侧配置中的功率MOSFET或IGBT
该操作过的高电压轨电压高达600伏。
绝对最大额定值
绝对最大额定值表明持续的界限，可能会损坏设备。所有
电压参数参考COM绝对的电压。热电阻和功率耗散
而不能使收视率都在船上安装和静止空气条件下测得的。
符号
V
B
V
S
V
HO
V
LO
V
RT
V
CT
I
CC
I
RT
dV
s
/ DT
P
D
RTH
JA
T
J
T
S
T
L
参数
高侧浮动电源电压
高侧浮动电源偏置电压
高侧浮动输出电压
低侧输出电压
R
T
电压
C
T
电压
电源电流（注1 ）
R
T
输出电流
允许的偏移电压瞬变
包装功耗@ T
A
+25°C
热阻，结到环境
结温
储存温度
引线温度（焊接， 10秒）
分钟。
-0.3
V
B
- 25
V
S
- 0.3
-0.3
-0.3
-0.3
—
-5
—
—
—
-55
-55
—
马克斯。
625
V
B
+ 0.3
V
B
+ 0.3
V
CC
+ 0.3
V
CC
+ 0.3
V
CC
+ 0.3
25
5
50
1.0
100
125
150
300
单位
V
mA
V / ns的
W
° C / W
°C
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IR2153Z
推荐工作条件
的输入/输出逻辑的时序图示于图1中对于正确的操作设备应当在所述使用
推荐的条件。在V
S
胶印的评价测试的所有物资偏置在15V的差分。
符号
V
B
V
S
V
HO
V
LO
I
CC
德网络nition
高侧浮动电源电压的绝对值
高侧浮动电源偏置电压
高侧浮动输出电压
低侧输出电压
电源电流（注1 ）
分钟。
V
S
+ 10
—
V
S
0
—
马克斯。
V
S
+ 20
600
V
B
V
CC
5
单位
V
mA
动态电气特性
V
BIAS
(V
CC
, V
BS
） = 12V ，C
L
= 1000 pF的和T
A
= 25 ° C除非另有规定ED 。
符号
t
r
t
f
t
sd
DT
D
德网络nition
开启上升时间
关断下降时间
关断传播延迟
死区时间
R
T
占空比
分钟。典型值。马克斯。单位测试条件
—
—
—
—
—
80
35
660
1.2
50
165
100
—
—
—
ns
s
%
典型连接
IR2153Z
600V
最大
VCC
VB
HO
RT
VS
CT
关闭
COM
LO
注1 ：
由于IR2153的应用程序对特异性脱线供电系统，该IC包含一个齐纳二极管钳位
该芯片V之间的结构
CC
和COM具有15.6V的额定击穿电压。因此，该集成电路
电源电压通过迫使电流流入电源引线通常来自（一般用一个高值的装置
电阻器连接在所述片V之间
CC
与已整流线路电压，并从一个地方去耦电容器
V
CC
以COM） ，并允许内部齐纳钳位电路来确定标称电源电压。 There-
前，该电路不应该由直流，大于伏的低阻抗电源驱动
钳
.
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IR2153Z
功能框图
R
T
V
B
R
+
-
R
R
+
-
R/2
+
-
R/2
逻辑
DEAD
时间
延迟
15.6V
LO
S
Q
Q
V
CC
DEAD
时间
脉冲
根
HV
水平
移
Q
脉冲
滤波器
R
S
V
S
HO
C
T
UV
检测
COM
铅定义
领导
符号说明
R
T
C
T
振荡器定时电阻输入，同相，何为正常运作IC
振荡器定时电容器的输入，根据以下方程将振荡器频率：
f
=
V
B
HO
V
S
V
CC
LO
COM
1
1.4
×
(R
T
+
75
)
×
C
T
其中， 75W是R的有效阻抗
T
输出级
高压侧浮动电源
高侧栅极驱动输出
高侧浮动电源返回
低侧和逻辑固定电源
低侧栅极驱动输出
偏低的回报
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