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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第499页 > IXTP32P05T
TrenchP
TM
功率MOSFET
P沟道增强模式
额定雪崩
IXTY32P05T
IXTA32P05T
IXTP32P05T
D
V
DSS
I
D25
R
DS （ ON）
=
=
≤
- 50V
- 32A
39mΩ
Ω
TO- 252 （ IXTY ）
G
S
G
S
D（ TAB ）
TO- 263 AA （ IXTA ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
A
E
AS
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
T
出售
M
d
重量
1.6毫米（ 0.062英寸）从案例10秒
塑料机身10秒
安装扭矩（ TO- 220 ）
TO-252
TO-263
TO-220
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25° C到150° C，R
GS
= 1MΩ
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 25 ° C，脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
最大额定值
- 50
- 50
±15
±25
- 32
-110
- 32
200
83
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
260
1.13/10
0.35
2.50
3.00
V
V
V
V
A
A
A
mJ
W
°C
°C
°C
°C
°C
纳米/ lb.in 。
g
g
g
G
DS
D（ TAB ）
G
S
D（ TAB ）
TO- 220AB （ IXTP ）
G =门
S =源
D
=漏
TAB =漏
特点
国际标准封装
额定雪崩
扩展FBSOA
快速内在二极管
低R
DS （ ON）
和Q
G
优势
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS
= 0V时，我
D
= - 250μA
V
DS
= V
GS
, I
D
= - 250μA
V
GS
=
±
15V, V
DS
= 0V
V
DS
= V
DSS
, V
GS
= 0V
T
J
= 125°C
特征值
分钟。
典型值。马克斯。
- 50
- 2.5
- 4.5
V
V
易于安装
节省空间
高功率密度
应用
高侧开关
推挽放大器
直流斩波器
自动测试设备
电流调节器
充电器中的应用
±50
nA
- 3
μA
-100
μA
39 mΩ
V
GS
= -10V ，我
D
= 0.5 I
D25
注意1
2013 IXYS公司，版权所有
DS99967C(01/13)
IXTY32P05T IXTA32P05T
IXTP32P05T
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
乡镇卫生院
TO-220
0.50
V
GS
= -10V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
电阻开关时间
V
GS
= -10V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 10Ω （外部）
V
GS
= 0V, V
DS
= - 25V ， F = 1MHz的
V
DS
= -10V ，我
D
= 0.5 I
D25
注意1
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
11
17
1975
315
160
20
28
39
27
46
19
11
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
1.5
° C / W
° C / W
DIM 。
A
A1
A2
b
b1
b2
c
c1
D
D1
E
E1
e
e1
TO- 252外形
引脚：
1 - GATE
3 - 来源
毫米
分钟。马克斯。
2.19
0.89
0
0.64
0.76
5.21
0.46
0.46
5.97
4.32
6.35
4.32
2.38
1.14
0.13
0.89
1.14
5.46
0.58
0.58
6.22
5.21
6.73
5.21
2,4 - 漏
英寸
分钟。
0.086
0.035
0
0.025
0.030
0.205
0.018
0.018
0.235
0.170
0.250
0.170
马克斯。
0.094
0.045
0.005
0.035
0.045
0.215
0.023
0.023
0.245
0.205
0.265
0.205
2.28 BSC
4.57 BSC
9.40 10.42
0.51 1.02
0.64
0.89
2.54
1.02
1.27
2.92
0.090 BSC
0.180 BSC
0.370
0.020
0.025
0.035
0.100
0.410
0.040
0.040
0.050
0.115
源极 - 漏极二极管
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
RM
I
RM
V
GS
= 0V
重复，脉冲宽度为T有限公司
JM
I
F
= - 32A ，V
GS
= 0V ，说明1
I
F
= -16A ， -di / DT = -100A / μs的
V
R
= - 25V, V
GS
= 0V
26
21
-1.6
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
- 32
-128
-1.5
A
A
V
ns
nC
A
H
L
L1
L2
L3
的TO-220概要
记
1:
脉冲测试，T
≤
300μS ，占空比D
≤
2%.
TO- 263外形
DIM 。
A
b
b2
c
c2
D
D1
E
1.
2.
3.
4.
门
漏
来源
漏
底侧
E1
e
L
L1
L2
L3
L4
毫米
分钟。
马克斯。
4.06
0.51
1.14
0.40
1.14
8.64
8.00
9.65
6.22
2.54
14.61
2.29
1.02
1.27
0
4.83
0.99
1.40
0.74
1.40
9.65
8.89
10.41
8.13
BSC
15.88
2.79
1.40
1.78
0.13
英寸
分钟。马克斯。
.160
.020
.045
.016
.045
.340
.280
.380
.270
.100
.575
.090
.040
.050
0
.190
.039
.055
.029
.055
.380
.320
.405
.320
BSC
.625
.110
.055
.070
.005
引脚：
1 - GATE
3 - 来源
2 - 漏极
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT覆盖
4,835,592
通过以下一种或多项美国专利： 4860072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,727,585
7,005,734 B2
6,710,405 B2 6,759,692
7,063,975 B2
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
7,157,338B2
IXTY32P05T IXTA32P05T
IXTP32P05T
图。 1.输出特性@ T
J
= 25C
-32
-28
-24
V
GS
= -10V
- 9V
- 8V
-100
-90
-80
-70
V
GS
= -10V
- 9V
图。 2.扩展的输出特性@ T
J
= 25C
I
D
- 安培
I
D
- 安培
-20
- 7V
-16
-12
- 6V
-8
-4
0
0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1
-1.2
-1.4
- 5V
-60
-50
-40
-30
-20
-10
0
0
-1
-2
-3
-4
-5
- 8V
- 7V
- 6V
- 5V
-6
-7
-8
-9
-10
V
DS
- 伏特
V
DS
- 伏特
图。 3.输出特性@ T
J
= 125C
-32
-28
-24
V
GS
= -10V
- 9V
- 8V
1.6
1.8
图。 4.
DS （ ON）
归到我
D
= -16A与价值
结温
V
GS
= -10V
R
DS （ ON）
- 归
I
D
- 安培
-20
-16
-12
-8
-4
0
0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1
-1.2
-1.4
-1.6
1.4
I
D
= - 32A
- 7V
1.2
I
D
= -16A
- 6V
1.0
- 5V
0.8
0.6
-1.8
-2
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
V
DS
- 伏特
T
J
- 摄氏
图。 5.
DS （ ON）
归到我
D
= -16A与价值
漏电流
1.6
1.5
V
GS
= -10V
T
J
= 125C
-35
-30
-25
图。 6，最大漏极电流与
外壳温度
R
DS （ ON）
- 归
1.4
1.3
1.2
1.1
T
J
= 25C
1.0
0.9
0
-5
-10
-15
-20
-25
-30
-35
-40
-45
-50
-55
I
D
- 安培
-20
-15
-10
-5
0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
- 安培
T
C
- 摄氏
2013 IXYS公司，版权所有
IXTY32P05T IXTA32P05T
IXTP32P05T
图。 7.输入导纳
-35
-30
-25
24
T
J
= - 40C
20
25C
125C
12
图。 8.跨导
16
I
D
- 安培
-20
-15
-10
-5
0
-3.0
T
J
= 125C
25C
- 40C
g
F小号
- 西门子
8
4
0
-3.5
-4.0
-4.5
-5.0
-5.5
-6.0
-6.5
0
-4
-8
-12
-16
-20
-24
-28
-32
-36
V
GS
- 伏特
I
D
- 安培
图。征二极管9.正向电压降
-100
-90
-80
-70
-10
-9
-8
-7
V
DS
= - 25V
I
D
= -16A
I
G
= -1mA
图。 10.栅极电荷
I
S
- 安培
V
GS
- 伏特
T
J
= 25C
-60
-50
-40
-30
-20
-10
0
-0.4
T
J
= 125C
-6
-5
-4
-3
-2
-1
0
-0.6
-0.8
-1.0
-1.2
-1.4
-1.6
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
V
SD
- 伏特
Q
G
- nanocoulombs
图。 11.电容
10,000
-1,000
图。 12.正向偏置安全工作区
f
= 1兆赫
电容 - 皮法
西塞
- 100
R
DS （ ON）
极限
25s
100s
1,000
科斯
I
D
- 安培
- 10
T
J
= 150C
1ms
10ms
100ms
CRSS
100
0
-5
-10
-15
-20
-25
-30
-35
-40
T
C
= 25C
单脉冲
-1
-1
- 10
- 100
V
DS
- 伏特
V
DS
- 伏特
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXTY32P05T IXTA32P05T
IXTP32P05T
图。 13.电阻导通上升时间
- 结温
30
29
28
R
G
= 10 , V
GS
= -10V
V
DS
= - 30V
29
图。 14.电阻导通上升时间
与漏电流
28
T
J
= 25C
t
r
- 纳秒
t
r
- 纳秒
27
26
25
24
23
22
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
I
= - 32A
I
D
27
R
G
= 10 , V
GS
= -10V
V
DS
= - 30V
= -16A
26
25
D
24
T
J
= 125C
23
-16
-18
-20
-22
-24
-26
-28
-30
-32
T
J
- 摄氏
I
D
- 安培
图。 15.电阻导通开关时间
与栅极电阻
90
80
70
36
28.0
27.5
27.0
图。 16.电阻关断开关时间
- 结温
52
34
32
t
r
V
DS
= - 30V
t
D（上）
- - - -
T
J
= 125°C ，V
GS
= -10V
t
f
V
DS
= - 30V
t
D（关闭）
- - - -
I
D
= -16A
48
44
R
G
= 10, V
GS
= -10V
t
D（关闭）
- 纳秒
t
D（上）
- 纳秒
t
r
- 纳秒
t
f
- 纳秒
60
50
40
30
20
10
0
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
32
34
I
D
= -16A, - 32A
30
28
26
24
22
20
18
26.5
26.0
25.5
25.0
24.5
24.0
23.5
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
I
D
= -16A, - 32A
40
36
32
28
24
20
16
125
R
G
- 欧姆
T
J
- 摄氏
图。 17.电阻关断开关时间
与漏电流
27.5
27.0
26.5
50
80
70
60
图。 18.电阻关断开关时间
与栅极电阻
80
t
f
V
DS
= - 30V
t
D（关闭）
- - - -
45
40
35
30
25
t
f
V
DS
= - 30V
t
D（关闭）
- - - -
70
60
50
40
R
G
= 10, V
GS
= -10V
T
J
= 125°C ，V
GS
= -10V
t
D（关闭）
- 纳秒
t
D（关闭）
- 纳秒
t
f
- 纳秒
t
f
- 纳秒
26.0
25.5
25.0
T
J
= 25C, 125C
24.5
24.0
-16
-18
-20
-22
-24
-26
-28
-30
-32
50
40
30
20
10
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
32
34
I
D
= - 32A
I
D
= -16A
30
20
10
20
15
I
D
- 安培
R
G
- 欧姆
2013 IXYS公司，版权所有
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推荐型号
IDT7M203S65C
IS61LF25618A
ICS477R-05IT
IP120R5
IP120R-5
IRKVF200-02EP
IDT7206L50PB
IRKKF151-08CM
IDT54FCT166244ATPAB
ISL89166FBEAZ
IDT7134SA35PI
IDT82V2108BB
IRHNJ54230
IDT7015S15JI
ICS525-01RILF
ISL6444CAZ
IN74HC123AN
ISO7131CCDBQ
IRHA8260
IDT74FCT543CDB
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    IXTP32P05T
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
上海熠富电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：892174007 复制 点击这里给我发消息 QQ：2300949663 复制 点击这里给我发消息 QQ：2719079875 复制

电话：15821228847 // 13764057178 // 15026993318
联系人：销售部
地址：门市：上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
IXTP32P05T
专营IXYS
2024
36000
TO-220
原装现货上海库存，欢迎查询
上海熠富电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：565106636 复制 点击这里给我发消息 QQ：414322027 复制
电话：15026993318 // 13764057178 // 15821228847
联系人：销售部
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