ISL6444
数据表
2007年4月12日
FN9069.3
双PWM控制器， DDR内存
选项网关应用
该ISL6444 PWM控制器提供高效率，
调节两个输出电压可调的范围
0.9V到5.5V所需要的电源的I / O ，芯片集，并
在高性能笔记本电脑内存的银行，
PDA和互联网设备。
同步整流和光迟滞的操作
载荷在较宽范围内的向高效率
负载。操作迟滞模式可以禁用
分别在每个PWM变换器，如果连续导通
操作所需的所有负载水平。效率是连
通过使用MOSFET的进一步增强
DS （ ON）
作为电流
意识的组成部分。
前馈斜坡调制，电流模式控制
计划和内部反馈补偿提供快速
负载瞬态响应。乱相运行了
180
o
相移降低输入电流纹波。
该控制器可以在一个完整的DDR转换
通过激活DDR内存引脚的电源解决方案。在
操作的DDR模式的信道之一跟踪
另一信道的输出电压，并提供输出
灌电流和源能力，功能至关重要
的DDR芯片适当的供电。该缓冲基准
通过这种类型的存储器所需的电压也被提供。
该ISL6444监视输出电压。每个PWM
控制器产生一个PGOOD （电源良好）的信号时，
在软启动结束，输出是在± 10％的
设定点。
内置的过压保护可以防止输出电压
从去高于设定值115 ％ 。正常工作
在过压条件去自动恢复
了。欠压保护锁存芯片关断时
无论是产量下降到低于75 ％的设定值后，
该输出软启动序列完成。一
可调式过电流功能监视输出电流
通过检测下的MOSFET上的电压降。如果
高精度电流检测是必需的，外部的电流 -
感测电阻器可以可选地使用。
该IC采用的是28 Ld的SSOP封装。
特点
提供稳定的输出电压范围为0.9V至5.5V
- 高效率，在很宽的负载范围内
- 同步降压转换器的迟滞操作
轻载
完整的DDR内存电源解决方案
- VTT跟踪VDDQ / 2
- VDDQ / 2缓冲基准输出
无需电流检测电阻器
- 使用MOSFET的
DS （ ON）
- 可选的电流检测电阻的精密过电流
VCC引脚上的欠压锁定
双模式操作
- 直接工作于电池5.0V至24V的输入
- 工作于3.3V或5V轨系统
出色的动态响应
- 综合电压前馈和电流模式
控制
电源良好信号，每个通道
300kHz开关频率
- 缺相运行，可降低输入纹波
- 在相运行在DDR模式下，可降低通道
干扰
- 缺相运行与90 °相移
在DDR模式下的两级转换
无铅加退火有（符合RoHS ）
应用
住宅和企业网关
DSL调制解调器
路由器和切换器
订购信息
部分
数
ISL6444CA*
部分
记号
ISL 6444CA
温度。
范围
(°C)
包
PKG 。
DWG 。 ＃
-10到+85 28 Ld的QSOP M28.15
ISL6444CAZ * ISL 6444CAZ -10至+85 28 Ld的QSOP M28.15
（注）
（无铅）
*添加“ -T ”后缀磁带和卷轴。
注： Intersil无铅加退火产品采用特殊的无铅
材料套;模塑料/晶片的附属材料和100 ％
雾锡板终止完成，这是符合RoHS标准，
既锡铅和无铅焊接操作兼容。 Intersil公司
无铅产品分类MSL在无铅峰值回流
气温达到或超过的无铅要求
IPC / JEDEC J STD- 020 。
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
Intersil公司（和设计）是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有 Intersil公司美洲2002年， 2006年， 2007年版权所有
ISL6444
绝对最大额定值
偏置电压，V
cc
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .+ 6.5V
输入电压V
in
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +27.0V
相， BOOT ， ISEN ， UGATE 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND -0.3V至+ 33.0V
BOOT的针对相位。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 6.5V
所有其他引脚。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND -0.3V到V
cc
+ 0.3V
ESD分类科幻阳离子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2级
热信息
热电阻（典型值，注1 ）
θ
JA
（ ° C / W）
QSOP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
78
最高结温（塑料封装） 。 。 。 。 。 。 。 + 125°C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 65 ° C至+ 150°C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 300℃
（ QSOP - 只会提示）
推荐工作条件
偏置电压，V
cc
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +5.0V
±5%
输入电压V
in
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 5.0V至+ 24.0V
环境温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 10 ° C至+ 85°C
结温范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 10 ° C至+ 125°C
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意：
1.
θ
JA
测定用安装在一个高的有效热导率测试板在自由空气中的分量。参见技术简介TB379了解详细信息。
电气规格
参数
VCC电源
偏置电流
关断电流
V
CC
UVLO
瑞星V
CC
门槛
落V
CC
门槛
VIN
输入电压引脚电流（漏）
输入电压引脚电流（源）
关断电流
振荡器
PWM1振荡器频率
斜坡幅度，峰峰值
斜坡幅度，峰峰值
斜坡补偿
斜坡/ V
IN
收益
斜坡/ V
IN
收益
参考和软启动
内部参考电压
基准电压准确度
软启动电流在启动过程
软启动阈值完成
PWM变换器
负载调整率
VSEN引脚偏置电流
VOUT引脚输入阻抗
推荐工作条件，除非另有说明。
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
I
CC
I
CCSn
LGATEx ， UGATEx开放， VSENx上述的强制
调节点， DDR = 0 ， VIN > 5V
-
-
2.2
-
3.2
30
mA
μA
V
CCU
V
CCD
4.3
4.1
4.65
4.35
4.75
4.45
V
V
I
VIN
I
VINO
I
VINS
10
-
-
-
-15
-
30
-30
1
μA
μA
μA
F
c
V
R1
V
R2
V
ROFF
G
RB1
G
RB2
VIN = 16V ，通过鉴定
VIN = 5V ，通过鉴定
由特性
VIN
≥
3V ，通过鉴定
1
≤
VIN
≤
3V ，通过鉴定
255
-
-
-
-
-
300
2
1.25
0.5
125
250
345
-
-
-
-
-
千赫
V
V
V
mV / V的
mV / V的
V
REF
-
-1.0
0.9
-
-5
1.5
-
+1.0
-
-
V
%
μA
V
I
软
V
ST
由特性
-
-
0.0毫安<我
VOUT1
< 5.0A ; 5.0V < V
BATT
< 24.0V
I
VSEN
I
VOUT
由特性
VOUT = 5V
-2.0
50
40
-
80
55
+2.0
120
65
%
nA
kΩ
4
FN9069.3
2007年4月12日
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