IXTA 1N100
IXTP 1N100
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
0.8
1.5
480
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
45
15
18
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 1A
R
G
= 18Ω ， （外部）
19
20
18
23
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 1A
4.5
14
2.3
（ IXTP ）
0.50
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
DIM 。
毫米
分钟。
马克斯。
4.06
2.03
0.51
1.14
0.46
1.14
8.64
7.11
9.65
6.86
2.54
14.61
2.29
1.02
1.27
0
0.46
4.83
2.79
0.99
1.40
0.74
1.40
9.65
8.13
10.29
8.13
BSC
15.88
2.79
1.40
1.78
0.38
0.74
英寸
分钟。马克斯。
.160
.080
.020
.045
.018
.045
.340
.280
.380
.270
.100
.575
.090
.040
.050
0
.018
.190
.110
.039
.055
.029
.055
.380
.320
.405
.320
BSC
.625
.110
.055
.070
.015
.029
TO- 263 AA （ IXTA ）大纲
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
thCK
V
DS
= 20V;我
D
= 1.0A ，脉冲测试
nC
nC
nC
K / W
K / W
A
A1
b
b2
c
c2
D
D1
E
E1
e
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
测试条件
V
GS
= 0 V
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
1.5
6
1.8
710
A
A
V
ns
L
L1
L2
L3
L4
R
重复;脉冲宽度限制T
JM
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V,
脉冲测试，T
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
I
F
= I
S
， -di / DT = 100 A / μs的，V
R
= 100 V
TO- 220 AB （ IXTP ）大纲
DIM 。
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
M
N
Q
R
毫米
分钟。马克斯。
12.70 13.97
14.73 16.00
9.91 10.66
3.54
4.08
5.85
6.85
2.54
3.18
1.15
1.65
2.79
5.84
0.64
1.01
2.54
BSC
4.32
4.82
1.14
1.39
0.35
0.56
2.29
2.79
英寸
分钟。马克斯。
0.500 0.550
0.580 0.630
0.390 0.420
0.139 0.161
0.230 0.270
0.100 0.125
0.045 0.065
0.110 0.230
0.025 0.040
0.100
BSC
0.170 0.190
0.045 0.055
0.014 0.022
0.090 0.110
版权所有2000 IXYS所有权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,881,106
5,017,508
5,049,961
5,187,117
5,486,715
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,063,307
5,237,481
5,381,025
2-2
IXTA 1N100
IXTP 1N100
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
0.8
1.5
480
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
45
15
18
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 1A
R
G
= 18Ω ， （外部）
19
20
18
23
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 1A
4.5
14
2.3
（ IXTP ）
0.50
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
DIM 。
毫米
分钟。
马克斯。
4.06
2.03
0.51
1.14
0.46
1.14
8.64
7.11
9.65
6.86
2.54
14.61
2.29
1.02
1.27
0
0.46
4.83
2.79
0.99
1.40
0.74
1.40
9.65
8.13
10.29
8.13
BSC
15.88
2.79
1.40
1.78
0.38
0.74
英寸
分钟。马克斯。
.160
.080
.020
.045
.018
.045
.340
.280
.380
.270
.100
.575
.090
.040
.050
0
.018
.190
.110
.039
.055
.029
.055
.380
.320
.405
.320
BSC
.625
.110
.055
.070
.015
.029
TO- 263 AA （ IXTA ）大纲
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
thCK
V
DS
= 20V;我
D
= 1.0A ，脉冲测试
nC
nC
nC
K / W
K / W
A
A1
b
b2
c
c2
D
D1
E
E1
e
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
测试条件
V
GS
= 0 V
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
1.5
6
1.8
710
A
A
V
ns
L
L1
L2
L3
L4
R
重复;脉冲宽度限制T
JM
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V,
脉冲测试，T
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
I
F
= I
S
， -di / DT = 100 A / μs的，V
R
= 100 V
TO- 220 AB （ IXTP ）大纲
DIM 。
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
M
N
Q
R
毫米
分钟。马克斯。
12.70 13.97
14.73 16.00
9.91 10.66
3.54
4.08
5.85
6.85
2.54
3.18
1.15
1.65
2.79
5.84
0.64
1.01
2.54
BSC
4.32
4.82
1.14
1.39
0.35
0.56
2.29
2.79
英寸
分钟。马克斯。
0.500 0.550
0.580 0.630
0.390 0.420
0.139 0.161
0.230 0.270
0.100 0.125
0.045 0.065
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0.100
BSC
0.170 0.190
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0.014 0.022
0.090 0.110
版权所有2000 IXYS所有权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,881,106
5,017,508
5,049,961
5,187,117
5,486,715
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,063,307
5,237,481
5,381,025
2-2
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