IC42S16101
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512K ×16位×2组（ 16兆位） SDRAM
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历史
最初的草案
牛逼的变化
OH
从2.5 ns至2.2纳秒
加入60球（ 16M SDRAM ） VF- BGA封装
添加无铅封装
添加速度等级-5ns
Obselte速度等级-8ns
修改错字
草案日期
备注
八月28,2001
四月15,2002
九月05,2003
十二月02,2003
七月01,2004
一月17,2005
所附的说明书是由ICSI提供。集成电路解决方案公司保留更改规格的权利和
产品。 ICSI会回答有关设备的问题。如果您有任何疑问，请联系ICSI办事处。
集成电路解决方案公司
DR025-0F 2005年1月17日
1
IC42S16101
512K ×16位×2 ，银行（16 - MBIT ）
同步动态RAM
特点
驱动强度低电容总线负载
时钟频率： 200 ， 166 ， 143 MHz的
完全同步;引用到的所有信号
时钟上升沿
两个银行可以同时操作，
独立地
通过A11双控制内部银行（银行选择）
单3.3V电源
LVTTL接口
可编程突发长度
- （ 1，2， 4，8，全页）
可编程突发序列：
顺序/交错
自动刷新，自刷新
4096刷新周期每64毫秒
随机列地址每个时钟周期
可编程
CAS
延迟（2,3时钟）
突发读取/写入和突发读/写单
作战能力
突发终止突发停止和预充电
命令
字节由LDQM和UDQM控制
封装400mil 50脚TSOP - 2和60ball （ 16M ）
VF- BGA
Pb（铅） - 免费包可
描述
ICSI
的16Mb的同步DRAM IC42S16101组织
作为524,288字×16位×2 ，银行提高
性能。该同步DRAM实现高速
采用流水线结构的数据传输。所有的输入和
输出信号的参考时钟输入的上升沿。
销刀豆网络gurations
50针TSOP- 2
VCC
DQ0
DQ1
GNDQ
DQ2
DQ3
VCCQ
DQ4
DQ5
GNDQ
DQ6
DQ7
VCCQ
LDQM
WE
CAS
RAS
CS
A11
A10
A0
A1
A2
A3
VCC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
GND
DQ15
DQ14
GNDQ
DQ13
DQ12
VCCQ
DQ11
DQ10
GNDQ
DQ9
DQ8
VCCQ
NC
UDQM
CLK
CKE
NC
A9
A8
A7
A6
A5
A4
GND
ICSI保留随时更改其产品在任何时候，恕不另行通知，以改进设计和提供最好的产品的权利。我们对任何错误概不负责
它可能出现在本出版物中。 版权所有2000年，集成电路解决方案公司
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IC42S16101
60 - BALL VF- BGA （ 16M SDRAM ）
7
6
5
4
3
2
1
VDD
A1
A2
A10
NC
CS
CAS
WE
NC
DQ7
DQ6
DQ5
DQ3
DQ2
DQ1
VDD
A3
A0
NC
NC
RAS
LDQM
NC
NC
VSSQ
VDDQ
DQ4
VSSQ
V
DDQ
DQ0
A4
A5
A7
A9
NC
CLK
UDQM
NC
NC
VDDQ
VSSQ
DQ
11
VDDQ
VSSQ
DQ
15
VSS
A6
A8
A11
CKE
NC
NC
NC
DQ8
DQ9
DQ
10
DQ
12
DQ
13
DQ
14
VSS
R
P
N
M
L
K
J
H
G
F
E
D
C
B
A
引脚说明
A0 - A10
A11
DQ0 - DQ15
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
LDQM ， UDQM
V
DD
/V
SS
V
DD
Q / V
SS
Q
NC
地址
银行地址
数据输入/输出
时钟
时钟使能
芯片选择
行地址选通
列地址选通
写使能
数据输入/输出面膜
电源/接地
数据输出电源/接地
无连接
行地址： RA0 - RA11 ，列地址： CA0 - CA7
自动预充电标志： A10
选择银行时被激活
RAS
活动
选择银行进行读/写时
CAS
活动
复用的数据输入/输出引脚
系统时钟input.All其它输入被注册到SDRAM
在CLK的上升沿
控制内部时钟信号和去激活时， SDRAM的意志
跻身断电的国家之一，暂停或自刷新
启用或禁用除CLK ， CKE和DQM所有输入
RAS ， CAS
和
我们定义操作
请参阅功能真值表细节
控制输出缓冲器中读取模式和口罩输入数据的写入
模式
电源为内部电路和输入缓冲器
电源，输出缓冲器
无连接
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IC42S16101
绝对最大额定值
(1)
符号
V
CC MAX
V
CCQ MAX
V
IN
V
OUT
P
MAX
I
CS
T
OPR
T
英镑
参数
最大电源电压
最大电源电压为输出缓冲
输入电压
输出电压
允许功耗
输出短路电流
工作温度
储存温度
等级
-1.0到+4.6
-1.0到+4.6
-1.0到+4.6
-1.0到+4.6
1
50
0至+70
-55到+150
单位
V
V
V
V
W
mA
°C
°C
DC推荐工作条件
(2)
(
在T
A
= 0至+ 70 ° C）
符号
V
CC
, V
CC
Q
V
IH
V
IL
参数
电源电压
输入高电压
(3)
输入低电压
(4)
分钟。
3.0
2.0
-0.3
典型值。
3.3
—
—
马克斯。
3.6
V
DD
+ 0.3
+0.8
单位
V
V
V
电容特性
(1,2)
（在T
A
= 0至+ 25 ° C， VCC = VCCQ = 3.3 ± 0.3V ， F = 1兆赫）
符号
C
IN
1
C
IN
2
CI / O
参数
输入电容： A0 -A11
输入电容（ CLK ， CKE ，
CS ， RAS ， CAS，WE ，
LDQM ， UDQM ）
数据输入/输出电容： I / O0 -I / O15
典型值。
—
—
—
马克斯。
4
4
5
单位
pF
pF
pF
注意事项：
1.应力超过绝对最大额定值可能会导致器件永久性损坏。
这是一个额定值，器件运行在超过或在标明的任何其他条件
本规范的业务部门是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作
期间可能会影响其可靠性。
2.所有电压参考GND 。
3. V
IH
（MAX） = V
CCQ
+ 2.0V的脉冲宽度
≤
3纳秒。
4. V
IL
（分钟） = GND - 2.0V带脉＆ LT ; 3 NS和-1.5V带脉＆ LT ;为5ns 。
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