IXTP 01N100D
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
注1
100
150
120
V
GS
= -10 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
15
3
8
V
gs
V
ds
R
G
= 0 V ，以
-10 V，I
D
= 50毫安
= 100 V
= 30,
（外部）
6
30
51
5
mS
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
K / W
销： 1 - 门
3 - 来源
2 - 漏极
4 - 漏极
底侧
TO- 220 AD尺寸
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
R
thJC
V
DS
= 50 V ;我
D
= I
D25
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
t
rr
测试条件
V
GS
= -10 V，I
F
=
I
D25
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
注1
1.0
1.5
1.5
V
s
I
F
= 0.75 A， -di / DT = 10 A / μs的，
V
DS
= 25 V, V
GS
= -10V
注1 ：脉冲检验，t
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
IXTP 01N100D
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
注1
100
150
120
V
GS
= -10 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
15
3
8
V
gs
V
ds
R
G
= 0 V ，以
-10 V，I
D
= 50毫安
= 100 V
= 30,
（外部）
6
30
51
5
mS
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
K / W
销： 1 - 门
3 - 来源
2 - 漏极
4 - 漏极
底侧
TO- 220 AD尺寸
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
R
thJC
V
DS
= 50 V ;我
D
= I
D25
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
t
rr
测试条件
V
GS
= -10 V，I
F
=
I
D25
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
注1
1.0
1.5
1.5
V
s
I
F
= 0.75 A， -di / DT = 10 A / μs的，
V
DS
= 25 V, V
GS
= -10V
注1 ：脉冲检验，t
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
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