IRF9530 ， SiHF9530
Vishay Siliconix公司
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(Ω)
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
V
GS
= - 10 V
38
6.8
21
单身
S
特点
- 100
0.30
动态的dv / dt额定值
额定重复性雪崩
P沟道
175°C的工作温度
快速开关
易于并联的
简单的驱动要求
铅（Pb ） ，免费提供
可用的
RoHS指令*
柔顺
TO-220
G
描述
Vishay的第三代功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，低导通电阻和
成本效益。
在TO- 220封装普遍首选的所有
商业工业应用的功率耗散
水平，以约50瓦的低热阻
和TO- 220封装低的成本导致其广泛
接受整个行业。
S
G
D
D
P沟道MOSFET
订购信息
包
铅（Pb ） - 免费
SNPB
TO-220
IRF9530PbF
SiHF9530-E3
IRF9530
SiHF9530
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
脉冲漏
当前
a
V
GS
在 - 10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
E
AS
I
AR
E
AR
T
C
= 25 °C
P
D
dv / dt的
T
J
, T
英镑
10秒
6-32或M3螺丝
极限
- 100
± 20
- 12
- 8.2
- 48
0.59
400
- 12
8.8
88
- 5.5
- 55 + 175
300
d
10
1.1
W / ℃，
mJ
A
mJ
W
V / ns的
°C
磅力·中
N·m的
A
单位
V
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
b
重复性雪崩
重复性雪崩
当前
a
能源
a
dv / dt的
c
最大功率耗散
峰值二极管恢复
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
安装力矩
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。 V
DD
= - 25 V ，起始物为
J
= 25 ° C，L = 4.2 mH的，R
G
= 25
Ω,
I
AS
= - 12 A（见图12 ）。
C.我
SD
≤
- 12 A， di / dt的
≤
140 A / μs的，V
DD
≤
V
DS
, T
J
≤
175 °C.
。 1.6毫米的情况。
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 91076
S- 81272 -REV 。 A， 16军08
www.vishay.com
1
IRF9530 ， SiHF9530
Vishay Siliconix公司
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
案件到水槽，平面，脂表面
最大结至外壳（漏）
符号
R
thJA
R
乡镇卫生院
R
thJC
典型值。
-
0.50
-
马克斯。
62
-
1.7
° C / W
单位
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
漏源导通电阻
正向跨导
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向电流
a
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
向前开启时间
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
MOSFET符号
展示
整体反转
P - N结二极管
D
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
DS
ΔV
DS
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
g
fs
V
GS
= 0 V，I
D
= - 250 A
参考至25℃ ，我
D
= - 1毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= - 250 A
V
GS
= ± 20 V
V
DS
= - 100 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= - 80 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 150 °C
V
GS
= - 10 V
I
D
= - 7.2 A
b
A
b
V
DS
= - 50 V，I
D
= - 7.2
- 100
-
- 2.0
-
-
-
-
3.7
-
- 0.10
-
-
-
-
-
-
-
-
- 4.0
± 100
- 100
- 500
0.30
-
V
V /°C的
V
nA
A
Ω
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
V
GS
= 0 V,
V
DS
= - 25 V,
F = 1.0兆赫，见图。五
-
-
-
-
860
340
93
-
-
-
12
52
31
39
4.5
7.5
-
-
-
38
6.8
21
-
-
-
-
-
nH
-
ns
nC
pF
V
GS
= - 10 V
I
D
= - 12 A，V
DS
= - 80 V,
参见图。 6和13
b
-
-
-
V
DD
= - 50 V，I
D
= - 12 A,
R
G
= 12
Ω,R
D
= 3.9
Ω,
参见图。 10
b
-
-
-
铅之间，
从6毫米（ 0.25" ）
封装中心
模具接触
D
-
-
G
S
-
-
-
-
-
-
-
-
120
0.46
- 12
A
- 48
- 6.3
240
0.92
V
ns
C
G
S
T
J
= 25 ° C，I
S
= - 12 A，V
GS
= 0 V
b
T
J
= 25 ° C，I
F
= - 12 A， di / dt的= 100 A / μs的
b
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
和L
D
)
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。脉冲宽度
≤
300微秒;占空比
≤
2 %.
www.vishay.com
2
文档编号： 91076
S- 81272 -REV 。 A， 16军08
IRF9530 ， RF1S9530SM
数据表
1999年7月
网络文件编号
2221.4
12A ， 100V ， 0.300欧姆， P沟道功率
MOSFET的
这些是P沟道增强型硅栅
电源连接的场效晶体管。他们是高级电源
的MOSFET设计，测试并保证能经受
能在雪崩击穿特定模式网络版水平
的操作。所有这些功率MOSFET设计用于
应用，如开关稳压器，开关
变流器，电机驱动器，继电器驱动器，驱动器和高
功率双极开关需要高速的晶体管和
低栅极驱动电源。高输入阻抗，允许这些
种直接从集成电路操作。
以前发育类型TA17511 。
特点
12A ， 100V
r
DS （ ON）
= 0.300
单脉冲能量额定雪崩
SOA是功耗有限公司
纳秒的开关速度
线性传输特性
高输入阻抗
相关文献
- TB334 “指南焊锡表面贴装
组件到PC板“
订购信息
产品型号
IRF9530
RF1S9530SM
包
TO-220AB
TO-263AB
BRAND
IRF9530
RF1S9530
符号
D
G
注：订货时，使用整个零件编号。添加SUF科幻X 9A至
获得TO- 263AB变种在磁带和卷轴，即RF1S9530SM9A 。
S
包装
JEDEC TO- 220AB
来源
漏
门
漏极（法兰）
门
来源
JEDEC TO- 263A
漏
（法兰）
4-9
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的ESD处理程序。
http://www.intersil.com或407-727-9207
|
版权
Intersil公司1999
IRF9530 ， RF1S9530SM
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
IRF9530,
RF1S9530SM
-100
-100
-12
-7.5
-48
±20
75
0.6
500
-55到150
300
260
单位
V
V
A
A
A
V
W
W/
o
C
mJ
o
C
o
C
o
C
漏极至源极击穿电压（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DS
漏极至栅极电压（R
GS
= 20kΩ时）（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .V
DGR
连续漏电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .I
D
T
C
= 100
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .I
D
漏电流脉冲（注3 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
DM
门源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GS
最大功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 PD
耗散降额因子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
单脉冲雪崩能量额定值（注4 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ê
AS
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J,
T
英镑
最高温度焊接
信息在0.063in （ 1.6毫米）从案例10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
包体为10S ，见Techbrief 334 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .T
PKG
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意：
1. T
J
= 25
o
C至T的
J
= 125
o
C.
电气连接特定的阳离子
参数
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
I
D（上）
I
GSS
r
DS （ ON）
政府飞行服务队
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ TOT ）
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
L
D
测量从
修改MOSFET
联系方式拧紧Tab键切换到符号显示的
的模具中心
内部设备
测量从漏极电感
铅的6mm （ 0.25英寸） ，从
包装以模具中心
D
L
D
测试条件
I
D
= -250μA ，V
GS
= 0V时， （图10）
V
GS
= V
DS
, I
D
= -250A
V
DS
=额定BV
DSS
, V
GS
= 0V
V
DS
= 0.8×额定BV
DSS
, V
GS
= 0V ，T
C
= 125
o
C
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）最大值
, V
GS
= -10V,
（图7）
V
GS
=
±20V
I
D
= -6.5A ，V
GS
= -10V ， （图8,9 ）
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）
马克斯，我
D
= -6.5A
（图12）
V
DD
= 50V ，我
D
≈
-12A ，R
G
= 50, V
GS
= 10V
R
L
=
4.2Ω ， （图17,18 ）
MOSFET开关时间基本上是不知疲倦
工作温度的吊灯
V
GS
= -10V ，我
D
= -12A ，V
DSS
= 0.8×额定BV
DSS ，
（图14 ， 19 ， 20 ）的栅极电荷
本质上是独立运营的
温度
V
DS
= -25V, V
GS
= 0V中，f = 1MHz时， （图11）
民
-100
-2
-
-
-12
-
-
2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
0.250
3.8
30
70
70
70
25
13
12
500
300
100
3.5
最大
-
-4
-25
-250
-
±100
0.300
-
60
140
140
140
45
-
-
-
-
-
-
单位
V
V
A
A
A
nA
S
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
pF
pF
pF
nH
漏源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
通态漏电流（注2 ）
门源漏电流
漏极至源极导通电阻（注2 ）
正向跨导（注2 ）
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
（门源+栅漏）
门源费
栅漏（ “米勒” ）费
输入电容
输出电容
反向传输电容
内部排水电感
-
4.5
-
nH
内部源极电感
L
S
测量从
来源铅的6mm
（ 0.25英寸）从包头到
来源粘合垫
-
G
L
S
S
7.5
-
nH
热阻结到外壳
热阻结到环境
R
θJC
R
θJA
典型的插座安装
-
-
-
-
1.67
62.5
o
C / W
o
C / W
4-10
IRF9530 ， RF1S9530SM
源极到漏极二极管特定网络阳离子
参数
连续源极到漏极电流
脉冲源极到漏极电流
（注2 ）
符号
I
SD
I
SDM
测试条件
修改MOSFET
符号显示在 -
tegral反转
P-N结二极管
G
D
民
-
-
典型值
-
-
最大
-12
-48
单位
A
A
S
源极到漏极二极管电压（注2 ）
反向恢复时间
反向恢复电荷
注意事项：
V
SD
t
rr
Q
RR
T
J
= 25
o
C，我
SD
= -12A ，V
GS
= 0V,
（图13）
T
J
= 150
o
C，我
SD
= -12A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
T
J
= 150
o
C，我
SD
= -12A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
-
-
-
-
300
1.8
-1.5
-
-
V
ns
C
2.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2%.
3.重复评价：脉冲宽度有限的最高结温。见瞬态热阻抗曲线（图3 ） 。
4. V
DD
= 25V ，起始物为
J
= 25
o
C，L = 5.2mH ，R
G
= 25Ω ，峰值I
AS
= 12A 。参见图15，图16 。
典型性能曲线
1.2
功耗乘法器
1.0
0.8
除非另有规定编
-12.0
I
D
，漏电流（ A）
-9.6
-7.2
0.6
0.4
-4.8
-2.4
0.2
0
0
25
50
75
100
T
C
，外壳温度（
o
C)
125
150
0
25
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度（
o
C)
图1.归功耗与案例
温度
图2.最大连续漏极电流VS
外壳温度
1
热阻抗
Z
θJC
归一化
0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
P
DM
t
1
t
2
t
2
注意事项：
DUTY因子：D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θJC
+ R
θJA
+T
C
0.01
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
t
1
，矩形脉冲持续时间（ S）
1
10
图3.归一化最大瞬态热阻抗
4-11
QQ：2881677436 复制
