高压
Megamos
TM
场效应管
IXTK 21N100
IXTN 21N100
V
DSS
= 1000 V
= 21 A
I
D25
R
DS （ ON）
= 0.55
N沟道，增强模式
TO- 264 AA （ IXTK ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
DM
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
V
ISOL
M
d
重量
从案例10秒1.6毫米（以0.063 ）
50/60赫兹， RMS
I
ISOL
≤
1毫安
T = 1分
t=1s
300
-
-
0.9/6
-
10
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GS
= 1 M
连续
短暂
T
C
= 25 ℃，芯片能力
T
C
= 25 ° C，脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
最大额定值
IXTK
IXTN
1000
1000
±20
±30
21
84
500
1000
1000
±20
±30
21
84
520
150
-55 ... +150
-
2500
3000
V
V
V
V
A
A
W
°C
°C
°C
°C
V~
V~
S
S
D
G
S
G
D
S
D（ TAB ）
miniBLOC ， SOT- 227 B
E153432
D
G
S
-55 ... +150
G =门
S =源
D =漏
TAB =漏
或者可以使用在miniBLOC源终端
作为主要或开尔文源
安装力矩
终端连接扭矩
1.5 / 13牛米/ lb.in 。
1.5 / 13牛米/ lb.in 。
30
g
特点
国际标准封装
JEDEC TO- 264 ，环氧符合UL 94 V- 0
易燃性分类科幻阳离子
miniBLOC ， （ ISOTOP兼容）与
氮化铝隔离
低R
DS （ ON）
HDMOS
TM
过程
坚固的多晶硅栅单元结构
低封装电感
l
l
l
l
l
l
l
l
l
l
l
l
l
l
l
应用
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
1000
2
4.5
±200
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
500
2
0.55
V
V
nA
A
mA
DC- DC转换器
同步整流
电池充电器
开关模式和谐振模
电源
直流斩波器
温度和照明控制
V
DSS
V
GH （日）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS
= 0 V，I
D
= 6毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 500
A
V
GS
=
±20
V
DC
, V
DS
= 0
V
DS
= 0.8 V
DSS
V
GS
= 0 V
优势
易于安装
节省空间
高功率密度
92808I(5/97)
V
GS
= 10 V，I
D
= 0.5 I
D25
脉冲测试，T
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
版权所有2000 IXYS所有权利。
1-4
IXTK 21N100
IXTN 21N100
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
24
8400
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
630
110
30
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 1
（外部）
50
100
40
250
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
60
100
TO- 264 AA
TO- 264 AA
miniBLOC ， SOT- 227 B
miniBLOC ， SOT- 227 B
0.05
0.15
0.24
0.25
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
DIM 。
TO- 264 AA大纲
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
thCK
R
thJC
R
thCK
V
DS
= 10 V ;我
D
= 0.5 I
D25
，脉冲测试
ns
nC
nC
nC
K / W
K / W
K / W
K / W
A
A1
A2
b
b1
b2
c
D
E
e
J
K
L
L1
P
Q
Q1
R
R1
S
T
毫米
分钟。
马克斯。
4.82
2.54
2.00
1.12
2.39
2.90
0.53
25.91
19.81
5.46
0.00
0.00
20.32
2.29
3.17
6.07
8.38
3.81
1.78
6.04
1.57
5.13
2.89
2.10
1.42
2.69
3.09
0.83
26.16
19.96
BSC
0.25
0.25
20.83
2.59
3.66
6.27
8.69
4.32
2.29
6.30
1.83
英寸
分钟。
马克斯。
.190
.202
.100
.114
.079
.083
.044
.056
.094
.106
.114
.122
.021
.033
1.020
1.030
.780
.786
0.215 BSC
.000
.010
.000
.010
.800
.820
.090
.102
.125
.144
.239
.247
.330
.342
.150
.170
.070
.090
.238
.248
.062
.072
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
I
RM
测试条件
V
GS
= 0 V
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
21
84
1.5
A
A
V
miniBLOC ， SOT- 227 B
重复;脉冲宽度限制T
JM
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V,
脉冲测试，T
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
I
F
= I
S
， -di / DT = 100 A / μs的，V
R
= 100 V
1000
20
ns
A
供应M4螺丝（4次）
DIM 。
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
O
P
Q
R
S
T
U
毫米
分钟。
马克斯。
31.50
7.80
4.09
4.09
4.09
14.91
30.12
38.00
11.68
8.92
0.76
12.60
25.15
1.98
4.95
26.54
3.94
4.72
24.59
-0.05
31.88
8.20
4.29
4.29
4.29
15.11
30.30
38.23
12.22
9.60
0.84
12.85
25.42
2.13
5.97
26.90
4.42
4.85
25.07
0.1
英寸
分钟。
马克斯。
1.240
0.307
0.161
0.161
0.161
0.587
1.186
1.496
0.460
0.351
0.030
0.496
0.990
0.078
0.195
1.045
0.155
0.186
0.968
-0.002
1.255
0.323
0.169
0.169
0.169
0.595
1.193
1.505
0.481
0.378
0.033
0.506
1.001
0.084
0.235
1.059
0.174
0.191
0.987
0.004
版权所有2000 IXYS所有权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,881,106
5,017,508
5,049,961
5,187,117
5,486,715
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,063,307
5,237,481
5,381,025
2-4
IXTK 21N100
IXTN 21N100
图。 1输出特性
40
T
J
= 25°C
图。 2输入导纳
40
V
GS
= 10V
35
30
35
30
I
D
- 安培
I
D
- 安培
6V
25
20
15
10
5
0
5V
25
20
15
10
5
0
T
J
= 25°C
0
5
10
15
20
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
DS
- 伏特
V
GS
- 伏特
图。 3 R
DS （ ON）
与漏电流
1.5
T
J
= 25°C
图。 4温度依赖性
的漏极至源极电阻
2.50
2.25
1.4
R
DS （ ON）
- 归
R
DS （ ON）
- 归
2.00
1.75
1.50
1.25
1.00
0.75
I
D
= 12A
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0
5
10 15 20 25 30 35 40 45 50
V
GS
= 10V
V
GS
= 15V
0.50
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
I
D
- 安培
T
J
- 摄氏度
图。 5漏极电流 -
外壳温度
25
20
图。 6温度依赖性
分解和阈值电压
1.2
V
GS （ TH）
1.1
BV
DSS
BV / V
G（ TH ）
- 归
-25
0
25
50
75
100 125 150
I
D
- 安培
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
15
10
5
0
-50
0.5
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
T
C
- 摄氏度
T
J
- 摄氏度
版权所有2000 IXYS所有权利。
3-4
高压
Megamos
TM
场效应管
IXTK 21N100
IXTN 21N100
V
DSS
= 1000 V
= 21 A
I
D25
R
DS （ ON）
= 0.55
N沟道，增强模式
TO- 264 AA （ IXTK ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
DM
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
V
ISOL
M
d
重量
从案例10秒1.6毫米（以0.063 ）
50/60赫兹， RMS
I
ISOL
≤
1毫安
T = 1分
t=1s
300
-
-
0.9/6
-
10
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GS
= 1 M
连续
短暂
T
C
= 25 ℃，芯片能力
T
C
= 25 ° C，脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
最大额定值
IXTK
IXTN
1000
1000
±20
±30
21
84
500
1000
1000
±20
±30
21
84
520
150
-55 ... +150
-
2500
3000
V
V
V
V
A
A
W
°C
°C
°C
°C
V~
V~
S
S
D
G
S
G
D
S
D（ TAB ）
miniBLOC ， SOT- 227 B
E153432
D
G
S
-55 ... +150
G =门
S =源
D =漏
TAB =漏
或者可以使用在miniBLOC源终端
作为主要或开尔文源
安装力矩
终端连接扭矩
1.5 / 13牛米/ lb.in 。
1.5 / 13牛米/ lb.in 。
30
g
特点
国际标准封装
JEDEC TO- 264 ，环氧符合UL 94 V- 0
易燃性分类科幻阳离子
miniBLOC ， （ ISOTOP兼容）与
氮化铝隔离
低R
DS （ ON）
HDMOS
TM
过程
坚固的多晶硅栅单元结构
低封装电感
l
l
l
l
l
l
l
l
l
l
l
l
l
l
l
应用
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
1000
2
4.5
±200
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
500
2
0.55
V
V
nA
A
mA
DC- DC转换器
同步整流
电池充电器
开关模式和谐振模
电源
直流斩波器
温度和照明控制
V
DSS
V
GH （日）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS
= 0 V，I
D
= 6毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 500
A
V
GS
=
±20
V
DC
, V
DS
= 0
V
DS
= 0.8 V
DSS
V
GS
= 0 V
优势
易于安装
节省空间
高功率密度
92808I(5/97)
V
GS
= 10 V，I
D
= 0.5 I
D25
脉冲测试，T
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
版权所有2000 IXYS所有权利。
1-4
IXTK 21N100
IXTN 21N100
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
24
8400
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
630
110
30
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 1
（外部）
50
100
40
250
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
60
100
TO- 264 AA
TO- 264 AA
miniBLOC ， SOT- 227 B
miniBLOC ， SOT- 227 B
0.05
0.15
0.24
0.25
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
DIM 。
TO- 264 AA大纲
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
thCK
R
thJC
R
thCK
V
DS
= 10 V ;我
D
= 0.5 I
D25
，脉冲测试
ns
nC
nC
nC
K / W
K / W
K / W
K / W
A
A1
A2
b
b1
b2
c
D
E
e
J
K
L
L1
P
Q
Q1
R
R1
S
T
毫米
分钟。
马克斯。
4.82
2.54
2.00
1.12
2.39
2.90
0.53
25.91
19.81
5.46
0.00
0.00
20.32
2.29
3.17
6.07
8.38
3.81
1.78
6.04
1.57
5.13
2.89
2.10
1.42
2.69
3.09
0.83
26.16
19.96
BSC
0.25
0.25
20.83
2.59
3.66
6.27
8.69
4.32
2.29
6.30
1.83
英寸
分钟。
马克斯。
.190
.202
.100
.114
.079
.083
.044
.056
.094
.106
.114
.122
.021
.033
1.020
1.030
.780
.786
0.215 BSC
.000
.010
.000
.010
.800
.820
.090
.102
.125
.144
.239
.247
.330
.342
.150
.170
.070
.090
.238
.248
.062
.072
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
I
RM
测试条件
V
GS
= 0 V
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
21
84
1.5
A
A
V
miniBLOC ， SOT- 227 B
重复;脉冲宽度限制T
JM
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V,
脉冲测试，T
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
I
F
= I
S
， -di / DT = 100 A / μs的，V
R
= 100 V
1000
20
ns
A
供应M4螺丝（4次）
DIM 。
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
O
P
Q
R
S
T
U
毫米
分钟。
马克斯。
31.50
7.80
4.09
4.09
4.09
14.91
30.12
38.00
11.68
8.92
0.76
12.60
25.15
1.98
4.95
26.54
3.94
4.72
24.59
-0.05
31.88
8.20
4.29
4.29
4.29
15.11
30.30
38.23
12.22
9.60
0.84
12.85
25.42
2.13
5.97
26.90
4.42
4.85
25.07
0.1
英寸
分钟。
马克斯。
1.240
0.307
0.161
0.161
0.161
0.587
1.186
1.496
0.460
0.351
0.030
0.496
0.990
0.078
0.195
1.045
0.155
0.186
0.968
-0.002
1.255
0.323
0.169
0.169
0.169
0.595
1.193
1.505
0.481
0.378
0.033
0.506
1.001
0.084
0.235
1.059
0.174
0.191
0.987
0.004
版权所有2000 IXYS所有权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,881,106
5,017,508
5,049,961
5,187,117
5,486,715
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,063,307
5,237,481
5,381,025
2-4
IXTK 21N100
IXTN 21N100
图。 1输出特性
40
T
J
= 25°C
图。 2输入导纳
40
V
GS
= 10V
35
30
35
30
I
D
- 安培
I
D
- 安培
6V
25
20
15
10
5
0
5V
25
20
15
10
5
0
T
J
= 25°C
0
5
10
15
20
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
DS
- 伏特
V
GS
- 伏特
图。 3 R
DS （ ON）
与漏电流
1.5
T
J
= 25°C
图。 4温度依赖性
的漏极至源极电阻
2.50
2.25
1.4
R
DS （ ON）
- 归
R
DS （ ON）
- 归
2.00
1.75
1.50
1.25
1.00
0.75
I
D
= 12A
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0
5
10 15 20 25 30 35 40 45 50
V
GS
= 10V
V
GS
= 15V
0.50
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
I
D
- 安培
T
J
- 摄氏度
图。 5漏极电流 -
外壳温度
25
20
图。 6温度依赖性
分解和阈值电压
1.2
V
GS （ TH）
1.1
BV
DSS
BV / V
G（ TH ）
- 归
-25
0
25
50
75
100 125 150
I
D
- 安培
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
15
10
5
0
-50
0.5
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
T
C
- 摄氏度
T
J
- 摄氏度
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3-4
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