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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第867页 > IXSX40N60CD1
IGBT与二极管
PLUS247
TM
包
短路SOA能力
初步数据
IXSK 40N60CD1
IXSX 40N60CD1
V
CES
I
C25
V
CE （ SAT ）
t
网络连接（典型值）
=
=
=
=
600 V
75 A
2.5 V
70纳秒
符号
V
CES
V
CGR
V
GES
V
创业板
I
C25
I
C90
I
CM
SSOA
（ RBSOA ）
t
SC
（ SCSOA ）
P
C
T
J
T
JM
T
英镑
M
d
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GE
= 1兆瓦
连续
短暂
T
C
= 25 ° C，受导线
T
C
= 90°C
T
C
= 25 ° C， 1毫秒
V
GE
= 15 V ，T
VJ
= 125 ° C，R
G
= 22
W
钳位感性负载， L = 30
mH
V
GE
= 15 V, V
CE
= 360 V，T
J
= 125°C
R
G
= 22
W,
不重复
T
C
= 25°C
最大额定值
600
600
±20
±30
75
40
150
I
CM
= 80
@ 0.8 V
CES
10
280
-55 ... +150
150
-55 ... +150
V
V
V
V
A
A
A
A
ms
W
°C
°C
°C
°C
g
g
PLUS 247
TM
（ IXSX ）
C（ TAB ）
G
C
E
TO- 264 AA
（ IXSK ）
G
C
E
C =收藏家，
TAB =收藏家
G =门，
E =发射器，
安装力矩
(TO-264)
0.9 / 6牛米/ lb.in 。
300
10
6
最大无铅焊接温度的
从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）
重量
TO-264
PLUS247
特点
国际标准封装
保证短路SOA
能力
高频IGBT和反
在一个封装平行FRED
最新一代HDMOS
TM
过程
MOS栅极导通
- 驱动器的简单
快速恢复，低漏外延
二极管
- 软恢复低我
RM
应用
交流电机调速
直流伺服和机器人的驱动器
直流斩波器
不间断电源（UPS ）
开关模式和谐振模式
电源
优势
PLUS 247
TM
包夹子或弹簧
MOUNTING
节省空间（在一两个设备
包）
减少装配时间和成本
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
600
4
T
J
= 25°C
T
J
= 150°C
7
650
5
±100
2.5
V
V
mA
mA
nA
V
BV
CES
V
GE （日）
I
CES
I
GES
V
CE （ SAT ）
I
C
I
C
= 1毫安， V
GE
= 0 V
= 4毫安， V
CE
= V
GE
V
CE
= 0.8 V
CES
V
GE
= 0 V
V
CE
= 0 V, V
GE
=
±20
V
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
98574A (7/00)
版权所有2000 IXYS所有权利。
1-2
IXSK 40N60CD1
IXSX 40N60CD1
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
16
23
3700
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
440
60
190
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.5 V
CES
45
88
感性负载，T
J
= 25°C
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V ， L = 100
mH的，
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= 2.7
W
备注：开关时间可能会增加
对于V
CE
（钳） > 0.8 V
CES
，更高的温度
J
or
加强研究
G
感性负载，T
J
= 125°C
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V ， L = 100
mH
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= 2.7
W
备注：开关时间可能会增加
对于V
CE
（钳） > 0.8 V
CES
，更高的温度
J
or
加强研究
G
50
50
70
70
1.0
50
50
2.2
140
140
1.7
140
120
1.7
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
0.48 K / W
0.15
K / W
DIM 。
A
A1
A2
b
b1
b2
c
D
E
e
J
K
L
L1
P
Q
Q1
R
R1
S
T
毫米
分钟。
马克斯。
4.82
2.54
2.00
1.12
2.39
2.90
0.53
25.91
19.81
5.46
0.00
0.00
20.32
2.29
3.17
6.07
8.38
3.81
1.78
6.04
1.57
5.13
2.89
2.10
1.42
2.69
3.09
0.83
26.16
19.96
BSC
0.25
0.25
20.83
2.59
3.66
6.27
8.69
4.32
2.29
6.30
1.83
英寸
分钟。
马克斯。
.190
.202
.100
.114
.079
.083
.044
.056
.094
.106
.114
.122
.021
.033
1.020
1.030
.780
.786
0.215 BSC
.000
.010
.000
.010
.800
.820
.090
.102
.125
.144
.239
.247
.330
.342
.150
.170
.070
.090
.238
.248
.062
.072
TO- 264 AA大纲
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
ge
Q
gc
t
D（上）
t
ri
t
D（关闭）
t
fi
E
关闭
t
D（上）
t
ri
E
on
t
D（关闭）
t
fi
E
关闭
R
thJC
R
thCK
I
C
= I
C90
; V
CE
= 10 V,
脉冲测试，T
300
女士，
占空比
2 %
PLUS247
TM
（ IXSX ）
反向二极管（ FRED ）
符号
V
F
I
RM
t
rr
R
thJC
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
1.8
2
35
2.5
V
A
ns
0.75 K / W
DIM 。
A
A
1
A
2
b
b
1
b
2
C
D
E
e
L
L1
Q
R
毫米
分钟。马克斯。
4.83
5.21
2.29
2.54
1.91
2.16
1.14
1.40
1.91
2.13
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20.80 21.34
15.75 16.13
5.45 BSC
19.81 20.32
3.81
4.32
5.59
6.20
4.32
4.83
英寸
分钟。马克斯。
.190 .205
.090 .100
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0.215 BSC
.780 .800
.150 .170
.220 .244
.170 .190
I
F
= I
C90
, V
GE
= 0 V,
脉冲测试，T
300
女士，
占空比
2 %
I
F
= I
C90
, V
GE
= 0 V ， - 二
F
/ DT = 100 A / MS
V
R
= 100 V
I
F
= 1 ; -di / DT = 200 A / MS; V
R
= 30 V
版权所有2000 IXYS所有权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,881,106
5,017,508
5,049,961
5,187,117
5,486,715
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,063,307
5,237,481
5,381,025
2-2
IGBT与二极管
PLUS247
TM
包
短路SOA能力
初步数据
IXSK 40N60CD1
IXSX 40N60CD1
V
CES
I
C25
V
CE （ SAT ）
t
网络连接（典型值）
=
=
=
=
600 V
75 A
2.5 V
70纳秒
符号
V
CES
V
CGR
V
GES
V
创业板
I
C25
I
C90
I
CM
SSOA
（ RBSOA ）
t
SC
（ SCSOA ）
P
C
T
J
T
JM
T
英镑
M
d
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GE
= 1兆瓦
连续
短暂
T
C
= 25 ° C，受导线
T
C
= 90°C
T
C
= 25 ° C， 1毫秒
V
GE
= 15 V ，T
VJ
= 125 ° C，R
G
= 22
W
钳位感性负载， L = 30
mH
V
GE
= 15 V, V
CE
= 360 V，T
J
= 125°C
R
G
= 22
W,
不重复
T
C
= 25°C
最大额定值
600
600
±20
±30
75
40
150
I
CM
= 80
@ 0.8 V
CES
10
280
-55 ... +150
150
-55 ... +150
V
V
V
V
A
A
A
A
ms
W
°C
°C
°C
°C
g
g
PLUS 247
TM
（ IXSX ）
C（ TAB ）
G
C
E
TO- 264 AA
（ IXSK ）
G
C
E
C =收藏家，
TAB =收藏家
G =门，
E =发射器，
安装力矩
(TO-264)
0.9 / 6牛米/ lb.in 。
300
10
6
最大无铅焊接温度的
从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）
重量
TO-264
PLUS247
特点
国际标准封装
保证短路SOA
能力
高频IGBT和反
在一个封装平行FRED
最新一代HDMOS
TM
过程
MOS栅极导通
- 驱动器的简单
快速恢复，低漏外延
二极管
- 软恢复低我
RM
应用
交流电机调速
直流伺服和机器人的驱动器
直流斩波器
不间断电源（UPS ）
开关模式和谐振模式
电源
优势
PLUS 247
TM
包夹子或弹簧
MOUNTING
节省空间（在一两个设备
包）
减少装配时间和成本
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
600
4
T
J
= 25°C
T
J
= 150°C
7
650
5
±100
2.5
V
V
mA
mA
nA
V
BV
CES
V
GE （日）
I
CES
I
GES
V
CE （ SAT ）
I
C
I
C
= 1毫安， V
GE
= 0 V
= 4毫安， V
CE
= V
GE
V
CE
= 0.8 V
CES
V
GE
= 0 V
V
CE
= 0 V, V
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=
±20
V
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
98574A (7/00)
版权所有2000 IXYS所有权利。
1-2
IXSK 40N60CD1
IXSX 40N60CD1
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
16
23
3700
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
440
60
190
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.5 V
CES
45
88
感性负载，T
J
= 25°C
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V ， L = 100
mH的，
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= 2.7
W
备注：开关时间可能会增加
对于V
CE
（钳） > 0.8 V
CES
，更高的温度
J
or
加强研究
G
感性负载，T
J
= 125°C
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V ， L = 100
mH
V
CE
= 0.8 V
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, R
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W
备注：开关时间可能会增加
对于V
CE
（钳） > 0.8 V
CES
，更高的温度
J
or
加强研究
G
50
50
70
70
1.0
50
50
2.2
140
140
1.7
140
120
1.7
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
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ns
mJ
0.48 K / W
0.15
K / W
DIM 。
A
A1
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b
b1
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c
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e
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L
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P
Q
Q1
R
R1
S
T
毫米
分钟。
马克斯。
4.82
2.54
2.00
1.12
2.39
2.90
0.53
25.91
19.81
5.46
0.00
0.00
20.32
2.29
3.17
6.07
8.38
3.81
1.78
6.04
1.57
5.13
2.89
2.10
1.42
2.69
3.09
0.83
26.16
19.96
BSC
0.25
0.25
20.83
2.59
3.66
6.27
8.69
4.32
2.29
6.30
1.83
英寸
分钟。
马克斯。
.190
.202
.100
.114
.079
.083
.044
.056
.094
.106
.114
.122
.021
.033
1.020
1.030
.780
.786
0.215 BSC
.000
.010
.000
.010
.800
.820
.090
.102
.125
.144
.239
.247
.330
.342
.150
.170
.070
.090
.238
.248
.062
.072
TO- 264 AA大纲
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
ge
Q
gc
t
D（上）
t
ri
t
D（关闭）
t
fi
E
关闭
t
D（上）
t
ri
E
on
t
D（关闭）
t
fi
E
关闭
R
thJC
R
thCK
I
C
= I
C90
; V
CE
= 10 V,
脉冲测试，T
300
女士，
占空比
2 %
PLUS247
TM
（ IXSX ）
反向二极管（ FRED ）
符号
V
F
I
RM
t
rr
R
thJC
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
1.8
2
35
2.5
V
A
ns
0.75 K / W
DIM 。
A
A
1
A
2
b
b
1
b
2
C
D
E
e
L
L1
Q
R
毫米
分钟。马克斯。
4.83
5.21
2.29
2.54
1.91
2.16
1.14
1.40
1.91
2.13
2.92
3.12
0.61
0.80
20.80 21.34
15.75 16.13
5.45 BSC
19.81 20.32
3.81
4.32
5.59
6.20
4.32
4.83
英寸
分钟。马克斯。
.190 .205
.090 .100
.075 .085
.045 .055
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0.215 BSC
.780 .800
.150 .170
.220 .244
.170 .190
I
F
= I
C90
, V
GE
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脉冲测试，T
300
女士，
占空比
2 %
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F
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F
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F
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IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
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5,034,796
5,063,307
5,237,481
5,381,025
2-2
查看更多IXSX40N60CD1PDF信息
推荐型号
IDT7164S35TC
IRKLF82-04CP
ICM7555_06
IE4805D
IDT74FCT2533ATEB
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IDT7140LA25PF
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    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    IXSX40N60CD1
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    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话：13910052844（微信同步）
联系人：刘先生
地址：北京市海淀区增光路27号院
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